规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 110A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 230W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP110N055T
仓库库存编号：
IXTP110N055T-ND
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Ta） 2.4W（Ta），150W（Tj） D2PAK
型号：
NVB60N06T4G
仓库库存编号：
NVB60N06T4G-ND
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 170A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 170A（Ta） 90W（Tc） D2PAK（TO-263）
型号：
NDBA170N06AT4H
仓库库存编号：
NDBA170N06AT4H-ND
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 11A TO-262
详细描述：通孔 P 沟道 11A（Tc） 3W（Ta），125W（Tc） I2PAK
型号：
IRF9640LPBF
仓库库存编号：
IRF9640LPBF-ND
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 60V 20A TO-220
详细描述：通孔 P 沟道 20A（Tc） 2W（Ta），25W（Tc） TO-220 隔离的标片
型号：
2SJ649-AZ
仓库库存编号：
2SJ649-AZ-ND
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta） 100W（Tc） LPTS
型号：
R5013ANJTL
仓库库存编号：
R5013ANJTL-ND
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 330V 25A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Tc） 3.1W（Ta），250W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FQB25N33TM_F085
仓库库存编号：
FQB25N33TM_F085-ND
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 2.5A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD024
仓库库存编号：
IRFD024-ND
别名：*IRFD024
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 14A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） TO-251AA
型号：
IRLU024
仓库库存编号：
IRLU024-ND
别名：*IRLU024
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
含铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 500V 11A TO-220SIS
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
型号：
TK11A50D(STA4,Q,M)
仓库库存编号：
TK11A50D(STA4QM)-ND
别名：TK11A50D(STA4QM)
TK11A50DSTA4QM
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 110A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 110A（Tc） 3.75W（Ta），250W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SUM110N04-04-E3
仓库库存编号：
SUM110N04-04-E3TR-ND
别名：SUM110N04-04-E3-ND
SUM110N04-04-E3TR
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 55V 90A TO-220
详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 1.2W（Ta），147W（Tc） TO-252-3
型号：
NP90N055VUK-E1-AY
仓库库存编号：
NP90N055VUK-E1-AY-ND
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 12A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 24W（Tc） PG-TO220 整包
型号：
IPAW60R280P7SXKSA1
仓库库存编号：
IPAW60R280P7SXKSA1-ND
别名：SP001658180
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） D2PAK
型号：
IRF740STRRPBF
仓库库存编号：
IRF740STRRPBF-ND
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 7A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP7N60P
仓库库存编号：
IXTP7N60P-ND
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 31V 40V TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 150A（Tc） 165W（Tc） TO-220AB
型号：
DMNH4005SCTQ
仓库库存编号：
DMNH4005SCTQ-ND
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3
详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 51W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPU80R750P7AKMA1
仓库库存编号：
IPU80R750P7AKMA1-ND
别名：SP001644620
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3
详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 51W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPS80R750P7AKMA1
仓库库存编号：
IPS80R750P7AKMA1-ND
别名：SP001644628
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 170W（Tc） TO-263AB
型号：
IRFS11N50ATRLP
仓库库存编号：
IRFS11N50ATRLP-ND
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 170W（Tc） D2PAK
型号：
IRFS11N50ATRRP
仓库库存编号：
IRFS11N50ATRRP-ND
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） D2PAK
型号：
IRL640STRRPBF
仓库库存编号：
IRL640STRRPBF-ND
别名：Q4322190B
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无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） TO-263AB
型号：
IRF840LCSTRRPBF
仓库库存编号：
IRF840LCSTRRPBF-ND
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 33A TO-220FM
详细描述：通孔 N 沟道 33A（Ta） 2.23W（Ta），40W（Tc） TO-220FM
型号：
RCX330N25
仓库库存编号：
RCX330N25-ND
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 180A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Ta） 200W（Tc） D2PAK（TO-263）
型号：
NDBA180N10BT4H
仓库库存编号：
NDBA180N10BT4H-ND
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 60A 10-POLARPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.2W（Ta），125W（Tc） 10-PolarPAK?（L）
型号：
SIE802DF-T1-E3
仓库库存编号：
SIE802DF-T1-E3TR-ND
别名：SIE802DF-T1-E3TR
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