规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 24A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP24N15T
仓库库存编号:
IXTP24N15T-ND
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 156W(Tc) D2PAK(TO-263)
型号:
SIHB12N65E-GE3
仓库库存编号:
SIHB12N65E-GE3-ND
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 4.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.8A(Tc) 89W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA5N50P
仓库库存编号:
IXTA5N50P-ND
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET NCH 40V 100A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Tc) 2.3W(Ta), 104W(Tc) TO-220AB
型号:
DMT4005SCT
仓库库存编号:
DMT4005SCT-ND
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET NCH 60V 100A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Tc) 2.3W(Ta), 104W(Tc) TO-220AB
型号:
DMT6005LCT
仓库库存编号:
DMT6005LCT-ND
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 68W(Tc) TO-251
型号:
DMJ70H900HJ3
仓库库存编号:
DMJ70H900HJ3-ND
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 450V 4.9A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 4.9A(Tc) 74W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF734
仓库库存编号:
IRF734-ND
别名:*IRF734
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 14A TO-200AB
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Tc) 208W(Tc) TO-220AB
型号:
SIHP14N50D-E3
仓库库存编号:
SIHP14N50D-E3-ND
别名:SIHP14N50DE3
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 14A TO-200AB
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Tc) 208W(Tc) TO-220AB
型号:
SIHP14N50D-GE3
仓库库存编号:
SIHP14N50D-GE3-ND
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 61V 100V,TO220-3,T
详细描述:通孔 N 沟道 60A(Tc) 2.8W(Ta) TO-220AB
型号:
DMNH10H028SCT
仓库库存编号:
DMNH10H028SCTDI-5-ND
别名:DMNH10H028SCTDI-5
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 450V 9A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Ta) 40W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK9A45D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK9A45D(STA4QM)-ND
别名:TK9A45D(STA4QM)
TK9A45DSTA4QM
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.9W(Ta), 166W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5C410NT3G
仓库库存编号:
NVMFS5C410NT3G-ND
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 46A(Ta), 300A(Tc) 3.9W(Ta), 166W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5C410NAFT3G
仓库库存编号:
NVMFS5C410NAFT3G-ND
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 19A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 19A(Ta),92A(Tc) 1.9W(Ta),46.5W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF260L
仓库库存编号:
AOTF260L-ND
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 3.7W(Ta),88W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ34STRLPBF
仓库库存编号:
IRFZ34STRLPBF-ND
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Tc) 84W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD80R360P7ATMA1
仓库库存编号:
IPD80R360P7ATMA1CT-ND
别名:IPD80R360P7ATMA1CT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET NCH 100V 105A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 14.5A(Ta),105A(Tc) 1.9W(Ta),300W(Tc) TO-262
型号:
AOW292
仓库库存编号:
785-1730-5-ND
别名:785-1730-5
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-252AA
详细描述:表面贴装 N 沟道 100mA(Tc) 25W(Tc) TO-252AA
型号:
IXTY01N80
仓库库存编号:
IXTY01N80-ND
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 75A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 75A(Tc) 208W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP100N10
仓库库存编号:
FDP100N10-ND
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Tc) 3.7W(Ta),60W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
IRFZ24STRRPBF
仓库库存编号:
IRFZ24STRRPBF-ND
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 1A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 1A(Tc) 42W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP1N80P
仓库库存编号:
IXTP1N80P-ND
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Tc) 3.7W(Ta),60W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ24STRLPBF
仓库库存编号:
IRFZ24STRLPBF-ND
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N CH 150V 5A TO-263AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Ta),37A(Tc) 150W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB2552_F085
仓库库存编号:
FDB2552_F085CT-ND
别名:FDB2552_F085CT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 36A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 36A(Ta),235A(Tc) 3.8W(Ta), 167W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS5C612NLT1G
仓库库存编号:
NTMFS5C612NLT1G-ND
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 20A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 266W(Tc) TO-262
型号:
AOW20S60
仓库库存编号:
AOW20S60-ND
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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