规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.8W（Ta）, 106W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C430NWFT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C430NWFT1G-ND
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Ta），185A（Tc） 3.8W（Ta）, 106W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C430NWFAFT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C430NWFAFT1G-ND
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 2.5A TO-220SIS
详细描述：通孔 N 沟道 2.5A（Ta） 30W（Tc） TO-220SIS
型号：
TK3A60DA(STA4,Q,M)
仓库库存编号：
TK3A60DA(STA4QM)-ND
别名：TK3A60DA(STA4QM)
TK3A60DASTA4QM
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
PCH 500V 2A MOSFET
详细描述：通孔 P 沟道 2.15A（Tc） 38W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF5P20RDTU
仓库库存编号：
FQPF5P20RDTU-ND
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.3A（Tc） 3W（Ta），36W（Tc） D2PAK
型号：
IRF610STRLPBF
仓库库存编号：
IRF610STRLPBF-ND
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.3A（Tc） 3W（Ta），36W（Tc） D2PAK
型号：
IRF610STRRPBF
仓库库存编号：
IRF610STRRPBF-ND
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 2.7A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.7A（Tc） 3.1W（Ta），36W（Tc） D2PAK
型号：
IRF614STRRPBF
仓库库存编号：
IRF614STRRPBF-ND
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Tc） 3.7W（Ta），88W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
IRF530STRRPBF
仓库库存编号：
IRF530STRRPBFCT-ND
别名：IRF530STRRPBFCT
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 7A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 78W（Tc） TO-220AB
型号：
SIHP7N60E-E3
仓库库存编号：
SIHP7N60E-E3-ND
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.4A（Tc） 55W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
IXTY2R4N50P
仓库库存编号：
IXTY2R4N50P-ND
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 3.6A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.6A（Tc） 70W（Tc） TO-252AA
型号：
IXTY3N50P
仓库库存编号：
IXTY3N50P-ND
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 1.4A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 1.4A（Tc） 50W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP1R4N60P
仓库库存编号：
IXTP1R4N60P-ND
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 2A D-PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tc） 55W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
IXTY2N60P
仓库库存编号：
IXTY2N60P-ND
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 2A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 70W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP2N80P
仓库库存编号：
IXTP2N80P-ND
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 2A TO-252AA
详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tc） 70W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
IXTY2N80P
仓库库存编号：
IXTY2N80P-ND
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 15A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.8W（Ta），94W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS6B14NT3G
仓库库存编号：
NVMFS6B14NT3G-ND
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 8A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Ta） 80W（Tc） DPAK
型号：
TK8P60W,RVQ
仓库库存编号：
TK8P60WRVQCT-ND
别名：TK8P60WRVQCT
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH
详细描述：表面贴装 N 沟道 67A（Ta），100A（Tc） 7.3W（Ta），208W（Tc） 8-DFN（5x6）
型号：
AON6590
仓库库存编号：
AON6590-ND
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 80A（Ta） 84W（Tc） ATPAK
型号：
NVATS5A302PLZT4G
仓库库存编号：
NVATS5A302PLZT4G-ND
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 0.65A 5-DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 650mA（Ta），8A（Tc） 8.3W（Ta），156W（Tc） 4-DFN-EP（8x8）
型号：
AOV11S60
仓库库存编号：
785-1683-1-ND
别名：785-1683-1
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 650V 11A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 198W（Tc） TO-220
型号：
AOT11S65L
仓库库存编号：
785-1510-5-ND
别名：AOT11S65L-ND
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 104W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR870ADP-T1-RE3
仓库库存编号：
SIR870ADP-T1-RE3-ND
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 50W（Tc） TO-220-3F
型号：
AOTF11C60P
仓库库存编号：
AOTF11C60P-ND
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 11A
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 37W（Tc） TO-220-3F
型号：
AOTF11C60PL
仓库库存编号：
785-1715-5-ND
别名：785-1715-5
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 350V 0.231A SOT89-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 231mA（Tj） 1.6W（Ta） TO-243AA（SOT-89）
型号：
TP2435N8-G
仓库库存编号：
TP2435N8-G-ND
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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