规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 116A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 116A（Tc） 3W（Ta），150W（Tc） D2PAK
型号：
NTB5405NT4G
仓库库存编号：
NTB5405NT4G-ND
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 35A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 35A（Tc） 8.3W（Ta），83W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
SUD35N10-26P-T4GE3
仓库库存编号：
SUD35N10-26P-T4GE3-ND
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7.5A（Tc） 3.13W（Ta），147W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FQB8N60CTM
仓库库存编号：
FQB8N60CTMFSCT-ND
别名：FQB8N60CTMFSCT
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 100A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 100A（Ta） 110W（Tc） D2PAK（TO-263）
型号：
NDBA100N10BT4H
仓库库存编号：
NDBA100N10BT4H-ND
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS
详细描述：通孔 N 沟道 600V 10A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
型号：
TK10A60D(STA4,Q,M)
仓库库存编号：
TK10A60DSTA4QM-ND
别名：TK10A60DSTA4QM
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 1.6A（Tc） 43W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
IXTY1R6N50P
仓库库存编号：
IXTY1R6N50P-ND
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: >800V TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 900V 2.5A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
DMN90H8D5HCT
仓库库存编号：
DMN90H8D5HCT-ND
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 60A（Tc） 104W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR826DP-T1-RE3
仓库库存编号：
SIR826DP-T1-RE3-ND
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 240V 0.316A SOT89-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 240V 316mA（Tj） 1.6W（Ta） TO-243AA（SOT-89）
型号：
TP2424N8-G
仓库库存编号：
TP2424N8-G-ND
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 50V 1.2A TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 50V 1.2A（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
型号：
VN3205N3-G-P002
仓库库存编号：
VN3205N3-G-P002-ND
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 80V 13A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 13A（Ta），70A（Tc） 2.1W（Ta），167W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
AOB286L
仓库库存编号：
AOB286L-ND
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 11A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 12V 11A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
型号：
SI4866DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4866DY-T1-GE3-ND
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Sanken
MOSFET N-CH 500V TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 500V 5A（Ta） 30W（Tc） TO-220F
型号：
2SK3199
仓库库存编号：
2SK3199-ND
别名：2SK3199 DK
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 3.8W（Ta）, 128W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C426NWFT3G
仓库库存编号：
NVMFS5C426NWFT3G-ND
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 41A（Ta）, 235A（Tc） 3.8W（Ta）, 128W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C426NWFAFT3G
仓库库存编号：
NVMFS5C426NWFAFT3G-ND
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 60V 8A TO263
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 8A（Ta），78A（Tc） 2.1W（Ta），187W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
AOB411L
仓库库存编号：
AOB411L-ND
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 501V 650V ITO-220A
详细描述：通孔 N 沟道 7.7A（Tc） 28W（Tc） ITO-220AB
型号：
DMG7N65SCTI
仓库库存编号：
DMG7N65SCTI-ND
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 40A
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Ta） 1.65W（Ta），50W（Tc） TO-263-2
型号：
2SK3816-DL-1E
仓库库存编号：
2SK3816-DL-1E-ND
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 230W（Tc） TO-220AB
型号：
PSMN005-75P,127
仓库库存编号：
PSMN005-75P,127-ND
别名：934057042127
PSMN005-75P
PSMN005-75P-ND
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 136W（Tc） TO-252AA
型号：
SQD50N04-4M5L_GE3
仓库库存编号：
SQD50N04-4M5L_GE3-ND
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Tc） 83W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SQJ410EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJ410EP-T1_GE3-ND
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 12A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 225W（Tc） TO-220-3
型号：
FQP12N60C
仓库库存编号：
FQP12N60C-ND
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 85A DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 41A（Ta），85A（Tc） 7.3W（Ta），104W（Tc） 8-DFN（5x6）
型号：
AON6260
仓库库存编号：
AON6260-ND
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 50V 1.5A SOT89-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.5A（Tj） 1.6W（Ta） TO-243AA（SOT-89）
型号：
VN3205N8-G
仓库库存编号：
VN3205N8-G-ND
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 2A TO220FP
详细描述：通孔 P 沟道 2A（Tc） 27W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFI9610GPBF
仓库库存编号：
IRFI9610GPBF-ND
别名：*IRFI9610GPBF
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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