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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 900V 9A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 9A（Tc） 50W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF9N90
  仓库库存编号：AOTF9N90-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 200A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 3.8W（Ta），110W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS5C430NLT1G
  仓库库存编号：NTMFS5C430NLT1GOSCT-ND
  别名：NTMFS5C430NLT1GOSCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N CH 100V 9.5A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 9.5A（Ta），70A（Tc） 2.1W（Ta），107W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：AOB296L
  仓库库存编号：AOB296L-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 48A（Tc） 89W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR871DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR871DP-T1-GE3-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 23A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 23A（Ta） 3.6W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：AO4302
  仓库库存编号：785-1545-1-ND
  别名：785-1545-1
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 100A（Tc） 234W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK753R1-40E,127
  仓库库存编号：1727-7236-ND
  别名：1727-7236
  568-9841-5
  568-9841-5-ND
  934066424127
  BUK753R140E127
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 60A（Tc） 5.4W（Ta），83W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR688DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR688DP-T1-GE3-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 3.8W（Ta）, 106W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS5C430NWFT3G
  仓库库存编号：NVMFS5C430NWFT3G-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 35A（Ta），185A（Tc） 3.8W（Ta）, 106W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS5C430NWFAFT3G
  仓库库存编号：NVMFS5C430NWFAFT3G-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  UNIFET 250V
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 37W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF33N25TRDTU
  仓库库存编号：FDPF33N25TRDTU-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 7A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7A（Tc） 78W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：SIHD7N60E-E3
  仓库库存编号：SIHD7N60E-E3-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 40A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 10.2A（Ta） 2.4W（Ta），60W（Tc） TO-220AB
  
  型号：NTP4813NLG
  仓库库存编号：NTP4813NLG-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 61V 100V TO263 T&R
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 108A（Tc） 2.4W（Ta）, 166W（Tc） TO-220AB
  
  型号：DMTH10H010LCTB-13
  仓库库存编号：DMTH10H010LCTB-13-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N CH 80V 13A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 13A（Ta），70A（Tc） 2.1W（Ta），167W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT286L
  仓库库存编号：AOT286L-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 60V 60A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 60A（Ta） 100W（Tc） DPAK+
  
  型号：TJ60S06M3L(T6L1,NQ
  仓库库存编号：TJ60S06M3L(T6L1NQ-ND
  别名：TJ60S06M3L(T6L1NQ
  TJ60S06M3LT6L1NQ
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 40V 80A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 80A（Ta） 100W（Tc） DPAK+
  
  型号：TJ80S04M3L(T6L1,NQ
  仓库库存编号：TJ80S04M3L(T6L1NQ-ND
  别名：TJ80S04M3L(T6L1NQ
  TJ80S04M3LT6L1NQ
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  P-CH MOSFET SO-8 30V
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8-SOIC
  
  型号：SI4413DDY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4413DDY-T1-GE3-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 120A（Tc） 306W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK663R7-75C,118
  仓库库存编号：1727-5524-1-ND
  别名：1727-5524-1
  568-7003-1
  568-7003-1-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  含铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 75A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK964R2-55B,118
  仓库库存编号：1727-5264-1-ND
  别名：1727-5264-1
  568-6589-1
  568-6589-1-ND
  BUK964R255B118
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Sanken
  MOSFET N-CH 450V TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 450V 3A（Ta） 30W（Tc） TO-220F
  
  型号：2SK2803
  仓库库存编号：2SK2803-ND
  别名：2SK2803 DK
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 200A（Tc） 150W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
  
  型号：SQJQ402E-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJQ402E-T1_GE3-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 10A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRLZ14STRLPBF
  仓库库存编号：IRLZ14STRLPBF-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 10A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRLZ14STRRPBF
  仓库库存编号：IRLZ14STRRPBF-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 8A（Tc） 60W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD80R600P7ATMA1
  仓库库存编号：IPD80R600P7ATMA1CT-ND
  别名：IPD80R600P7ATMA1CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 11.5A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 11.5A（Tc） 42W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF12N50FT
  仓库库存编号：FDPF12N50FT-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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