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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 15.6W(Tc) PowerDI3333-8
型号:
DMT4011LFG-7
仓库库存编号:
DMT4011LFG-7-ND
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V POWERDI3333-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 8.5A(Ta) 950mW(Ta) PowerDI3333-8
型号:
DMP3035SFG-7
仓库库存编号:
DMP3035SFG-7DI-ND
别名:DMP3035SFG-7DI
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 1.9A SOT1220
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.9A(Ta) 1.6W(Ta),15.6W(Tc) 6-DFN2020MD(2x2)
型号:
PMPB215ENEAX
仓库库存编号:
PMPB215ENEAX-ND
别名:934067477115
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 7.5A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.5A(Tc) 8.3W(Tc) SOT-223
型号:
BUK9880-55/CUF
仓库库存编号:
1727-2229-1-ND
别名:1727-2229-1
568-12497-1
568-12497-1-ND
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 3.5A SC70FL
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.5A(Ta) 1W(Ta) SC-70FL/MCPH3
型号:
MCH3383-TL-W
仓库库存编号:
MCH3383-TL-W-ND
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 20V 7A 6SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Ta) 2.4W(Ta) 6-HUSON(2x2)
型号:
UPA2600T1R-E2-AX
仓库库存编号:
UPA2600T1R-E2-AX-ND
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.8A(Ta) 1.25W(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
MVSF2N02ELT1G
仓库库存编号:
MVSF2N02ELT1G-ND
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 33A(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIRA18DP-T1-RE3
仓库库存编号:
SIRA18DP-T1-RE3-ND
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 1A WEMT6
详细描述:表面贴装 P 沟道 1A(Ta) 700mW(Ta) 6-WEMT
型号:
ES6U42T2R
仓库库存编号:
ES6U42T2R-ND
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.6A(Tc) 15.6W(Tc)
型号:
SIA485DJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA485DJ-T1-GE3-ND
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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Diodes Incorporated
MOSFET NCH 30V 8.4A UDFN2020
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.4A(Ta) 700mW(Ta), 1.8W(Tc) U-DFN2020-6(F 类)
型号:
DMT3020LFDF-13
仓库库存编号:
DMT3020LFDF-13-ND
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 2A WEMT6
详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Ta) 400mW(Ta) 6-WEMT
型号:
RW1C020UNT2R
仓库库存编号:
RW1C020UNT2RTR-ND
别名:RW1C020UNT2R-ND
RW1C020UNT2RTR
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 11.1A(Ta) 1.9W(Ta) U-DFN2020-6(E 类)
型号:
DMP2021UFDE-7
仓库库存编号:
DMP2021UFDE-7-ND
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.8A(Ta) 1.14W(Ta) 6-TSOP
型号:
SI3467DV-T1-E3
仓库库存编号:
SI3467DV-T1-E3TR-ND
别名:SI3467DV-T1-E3TR
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 1.6A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.6A(Ta) 830mW(Ta) 6-TSOP
型号:
SI3851DV-T1-E3
仓库库存编号:
SI3851DV-T1-E3TR-ND
别名:SI3851DV-T1-E3TR
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.8A(Ta) 1.14W(Ta) 6-TSOP
型号:
SI3467DV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3467DV-T1-GE3-ND
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 23A 8WDFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.5A(Ta),23A(Tc) 790mW(Ta),20.2W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NTTFS4930NTAG
仓库库存编号:
NTTFS4930NTAG-ND
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 200V 3.8A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.8A(Tc) 2.1W(Ta),25W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD450
仓库库存编号:
785-1566-1-ND
别名:785-1566-1
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET NCH 60V 5A TSOT26
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Ta) 1.2W(Ta) TSOT-26
型号:
DMN6040SVTQ-13
仓库库存编号:
DMN6040SVTQ-13-ND
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 9A POWER33
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Ta),15A(Tc) 2.3W(Ta),18W(Tc) 8-MLP(3.3x3.3)
型号:
FDMC8884
仓库库存编号:
FDMC8884CT-ND
别名:FDMC8884CT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-WFDN
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.5A(Ta) 700mW(Ta) 6-WDFN(2x2)
型号:
NTLJS3113PT1G
仓库库存编号:
NTLJS3113PT1GOSCT-ND
别名:NTLJS3113PT1GOSCT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 3A MCPH3
详细描述:表面贴装 P 沟道 3A(Ta) 1W(Ta) SC-70FL/MCPH3
型号:
MCH3374-TL-E
仓库库存编号:
MCH3374-TL-E-ND
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 2A TO251
详细描述:通孔 N 沟道 2A(Tc) 56.8W(Tc) TO-251-3
型号:
AOU2N60
仓库库存编号:
AOU2N60-ND
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Panasonic Electronic Components
MOSFET N CH 33V 6.5A WMINI8
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.5A(Ta) 1W(Ta) W迷你型8-F1
型号:
FK8V03060L
仓库库存编号:
FK8V03060L-ND
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 2A
详细描述:通孔 N 沟道 2A(Tc) 57W(Tc) TO-251A
型号:
AOI2N60A
仓库库存编号:
785-1646-5-ND
别名:785-1646-5
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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