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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 108A（Tc） 89W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM045NA03CR RLG
  仓库库存编号：TSM045NA03CR RLGCT-ND
  别名：TSM045NA03CR RLGCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 108A（Tc） 89W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM045NA03CR RLG
  仓库库存编号：TSM045NA03CR RLGDKR-ND
  别名：TSM045NA03CR RLGDKR
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tc） 52.1W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM2N60ECP ROG
  仓库库存编号：TSM2N60ECP ROGTR-ND
  别名：TSM2N60ECP ROGTR
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tc） 52.1W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM2N60ECP ROG
  仓库库存编号：TSM2N60ECP ROGCT-ND
  别名：TSM2N60ECP ROGCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tc） 52.1W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM2N60ECP ROG
  仓库库存编号：TSM2N60ECP ROGDKR-ND
  别名：TSM2N60ECP ROGDKR
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 25.3A 8SO
  详细描述：表面贴装 P 沟道 25.3A（Tc） 6W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4143DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4143DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4143DY-T1-GE3CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 70W（Tc） DPAK
  
  型号：STD96N3LLH6
  仓库库存编号：497-11214-1-ND
  别名：497-11214-1
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 94.9W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK9Y38-100E,115
  仓库库存编号：1727-1498-1-ND
  别名：1727-1498-1
  568-10978-1
  568-10978-1-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Rohm Semiconductor
  NCH 30V 10A MIDDLE POWER MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta） 2W（Tc） HUML2020L8
  
  型号：RF4E100AJTCR
  仓库库存编号：RF4E100AJTCRCT-ND
  别名：RF4E100AJTCRCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 51A POWERFLAT56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 51A（Tc） 62.5W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL51N3LLH5
  仓库库存编号：497-12980-1-ND
  别名：497-12980-1
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Rohm Semiconductor
  NCH 30V 13.5A MIDDLE POWER MOSFE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.5A（Ta） 2W（Tc） 8-SOP
  
  型号：RS3E135BNGZETB
  仓库库存编号：RS3E135BNGZETBCT-ND
  别名：RS3E135BNGZETBCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 90A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 128W（Tc） DPAK
  
  型号：BUK625R2-30C,118
  仓库库存编号：1727-7148-1-ND
  别名：1727-7148-1
  568-9625-1
  568-9625-1-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 16.9A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16.9A（Tc） 2.1W（Ta），41.7W（Tc） TO-252
  
  型号：SUD20N10-66L-GE3
  仓库库存编号：SUD20N10-66L-GE3CT-ND
  别名：SUD20N10-66L-GE3CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI333
  详细描述：表面贴装 P 沟道 70A（Tc） 2.8W（Ta） PowerDI3333-8
  
  型号：DMP3007SFG-7
  仓库库存编号：DMP3007SFG-7DICT-ND
  别名：DMP3007SFG-7DICT
  
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V POWERPAK SO-8L
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 48W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJA88EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJA88EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJA88EP-T1_GE3CT
  
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 2.4A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 2.4A（Tc） 45W（Tc） I-Pak
  
  型号：STD3NK60Z-1
  仓库库存编号：STD3NK60Z-1-ND
  
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 50A 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 57W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SISS27ADN-T1-GE3
  仓库库存编号：SISS27ADN-T1-GE3CT-ND
  别名：SISS27ADN-T1-GE3CT
  
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 129A（Tc） 96W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM033NA03CR RLG
  仓库库存编号：TSM033NA03CR RLGTR-ND
  别名：TSM033NA03CR RLGTR
  
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  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 129A（Tc） 96W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM033NA03CR RLG
  仓库库存编号：TSM033NA03CR RLGCT-ND
  别名：TSM033NA03CR RLGCT
  
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  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 129A（Tc） 96W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM033NA03CR RLG
  仓库库存编号：TSM033NA03CR RLGDKR-ND
  别名：TSM033NA03CR RLGDKR
  
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  MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15.5A（Ta），100A（Tc） 2.7W（Ta），150W（Tc） PowerDI5060-8
  
  型号：DMTH4007LPS-13
  仓库库存编号：DMTH4007LPS-13DICT-ND
  别名：DMTH4007LPS-13DICT
  
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  MOSFET PCH 30V 20A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20A（Tc） 40W（Tc） DPAK
  
  型号：STD20P3H6AG
  仓库库存编号：STD20P3H6AG-ND
  
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 91A（Tc） 113W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM070NA04LCR RLG
  仓库库存编号：TSM070NA04LCR RLGTR-ND
  别名：TSM070NA04LCR RLGTR
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 91A（Tc） 113W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM070NA04LCR RLG
  仓库库存编号：TSM070NA04LCR RLGCT-ND
  别名：TSM070NA04LCR RLGCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 91A（Tc） 113W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM070NA04LCR RLG
  仓库库存编号：TSM070NA04LCR RLGDKR-ND
  别名：TSM070NA04LCR RLGDKR
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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