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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 2.5W（Tc） 8-SOP
  
  型号：TSM180N03CS RLG
  仓库库存编号：TSM180N03CS RLGDKR-ND
  别名：TSM180N03CS RLGDKR
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 20V 7.2A SOT1220
  详细描述：表面贴装 P 沟道 7.2A（Ta） 1.7W（Ta），12.5W（Tc） 6-DFN2020MD（2x2）
  
  型号：PMPB20XPE,115
  仓库库存编号：1727-1368-1-ND
  别名：1727-1368-1
  568-10817-1
  568-10817-1-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Nexperia USA Inc.
  PMPB23XNE/SOT1220/REEL 7" Q1/T
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta） 1.7W（Ta） 6-DFN2020MD（2x2）
  
  型号：PMPB23XNEZ
  仓库库存编号：1727-2736-1-ND
  别名：1727-2736-1
  568-13300-1
  568-13300-1-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 20V 5A 6DFN
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5A（Ta） 1.7W（Ta），12.5W（Tc） 6-DFN2020MD（2x2）
  
  型号：PMPB29XPE,115
  仓库库存编号：1727-1372-1-ND
  别名：1727-1372-1
  568-10821-1
  568-10821-1-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 9.7A 4-MICROFOOT
  详细描述：表面贴装 P 沟道 9.7A（Tc） 2.8W（Tc） 4-MICRO FOOT?（1.6x1.6）
  
  型号：SI8481DB-T1-E1
  仓库库存编号：SI8481DB-T1-E1CT-ND
  别名：SI8481DB-T1-E1CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 2.5W（Ta） 8-SOP
  
  型号：TSM4424CS RVG
  仓库库存编号：TSM4424CS RVGTR-ND
  别名：TSM4424CS RLG
  TSM4424CS RLGTR
  TSM4424CS RLGTR-ND
  TSM4424CS RVGTR
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 2.5W（Ta） 8-SOP
  
  型号：TSM4424CS RVG
  仓库库存编号：TSM4424CS RVGCT-ND
  别名：TSM4424CS RLGCT
  TSM4424CS RLGCT-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 2.5W（Ta） 8-SOP
  
  型号：TSM4424CS RLG
  仓库库存编号：TSM4424CS RVGDKR-ND
  别名：TSM4424CS RLGDKR
  TSM4424CS RLGDKR-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 25W（Tc） SOT-223
  
  型号：TSM900N06CW RPG
  仓库库存编号：TSM900N06CW RPGTR-ND
  别名：TSM900N06CW RPGTR
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 25W（Tc） SOT-223
  
  型号：TSM900N06CW RPG
  仓库库存编号：TSM900N06CW RPGCT-ND
  别名：TSM900N06CW RPGCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 25W（Tc） SOT-223
  
  型号：TSM900N06CW RPG
  仓库库存编号：TSM900N06CW RPGDKR-ND
  别名：TSM900N06CW RPGDKR
  
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 20A POWER33
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta），20A（Tc） 2.4W（Ta），25W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3）
  
  型号：FDMC7696
  仓库库存编号：FDMC7696CT-ND
  别名：FDMC7696_F065CT
  FDMC7696_F065CT-ND
  FDMC7696CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Tc） 9W（Tc） SOT-223
  
  型号：TSM950N10CW RPG
  仓库库存编号：TSM950N10CW RPGTR-ND
  别名：TSM950N10CW RPGTR
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Tc） 9W（Tc） SOT-223
  
  型号：TSM950N10CW RPG
  仓库库存编号：TSM950N10CW RPGCT-ND
  别名：TSM950N10CW RPGCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Tc） 9W（Tc） SOT-223
  
  型号：TSM950N10CW RPG
  仓库库存编号：TSM950N10CW RPGDKR-ND
  别名：TSM950N10CW RPGDKR
  
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 41V 60V U-DFN2020-
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.2A（Ta） 1.97W（Ta） U-DFN2020-6（F 类）
  
  型号：DMP6110SFDF-7
  仓库库存编号：DMP6110SFDF-7DICT-ND
  别名：DMP6110SFDF-7DICT
  
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Tc） 21W（Tc） 8-PDFN（3x3）
  
  型号：TSM180N03PQ33 RGG
  仓库库存编号：TSM180N03PQ33 RGGTR-ND
  别名：TSM180N03PQ33 RGGTR
  
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Tc） 21W（Tc） 8-PDFN（3x3）
  
  型号：TSM180N03PQ33 RGG
  仓库库存编号：TSM180N03PQ33 RGGCT-ND
  别名：TSM180N03PQ33 RGGCT
  
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Tc） 21W（Tc） 8-PDFN（3x3）
  
  型号：TSM180N03PQ33 RGG
  仓库库存编号：TSM180N03PQ33 RGGDKR-ND
  别名：TSM180N03PQ33 RGGDKR
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Tc） 19W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
  
  型号：SIA477EDJT-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA477EDJT-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA477EDJT-T1-GE3CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.7A（Ta） 1.25W（Ta） SOT-23
  
  型号：TSM2323CX RFG
  仓库库存编号：TSM2323CX RFGTR-ND
  别名：TSM2323CX RFGTR
  
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.7A（Ta） 1.25W（Ta） SOT-23
  
  型号：TSM2323CX RFG
  仓库库存编号：TSM2323CX RFGCT-ND
  别名：TSM2323CX RFGCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.7A（Ta） 1.25W（Ta） SOT-23
  
  型号：TSM2323CX RFG
  仓库库存编号：TSM2323CX RFGDKR-ND
  别名：TSM2323CX RFGDKR
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  P-CHANNEL 20-V (G-S) MOSFET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5W（Tc） 8-SOIC
  
  型号：SI4403DDY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4403DDY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4403DDY-T1-GE3CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 45.5A SO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 45.5A（Tc） 25W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIRA88DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIRA88DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIRA88DP-T1-GE3CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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