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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 28W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：IPA65R650CEXKSA1
  仓库库存编号：IPA65R650CEXKSA1-ND
  别名：SP001295804
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR476DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR476DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR476DP-T1-GE3CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 78W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：SIHB6N65E-GE3
  仓库库存编号：SIHB6N65E-GE3CT-ND
  别名：SIHB6N65E-GE3CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 18A（Tc） 3.7W（Ta），88W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF9Z34STRLPBF
  仓库库存编号：IRF9Z34STRLPBFCT-ND
  别名：IRF9Z34STRLPBFCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 5W（Ta），48W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7634BDP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7634BDP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7634BDP-T1-GE3CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 60 V, 0.0028 OHM TYP.,
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 158W（Tc） H2PAK-6
  
  型号：STH140N6F7-6
  仓库库存编号：497-16971-1-ND
  别名：497-16971-1
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB80NF55-08AG
  仓库库存编号：497-17142-1-ND
  别名：497-17142-1
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 2A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 45W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：STU3LN80K5
  仓库库存编号：497-17295-ND
  别名：497-17295
  STU3LN80K5-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N CH 650V 4A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 2.19W（Ta） TO-220-3
  
  型号：DMG4N65CT
  仓库库存编号：DMG4N65CTDI-ND
  别名：DMG4N65CTDI
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 120A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 136W（Tc） TO-220
  
  型号：STP160N3LL
  仓库库存编号：497-16021-5-ND
  别名：497-16021-5
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 3A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 60W（Tc） TO-220
  
  型号：STP4LN80K5
  仓库库存编号：497-17294-ND
  别名：497-17294
  STP4LN80K5-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 40V 120A PWRFLAT 5X6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 158W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STLD200N4F6AG
  仓库库存编号：497-17148-1-ND
  别名：497-17148-1
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 120A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 99W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB7446PBF
  仓库库存编号：IRFB7446PBF-ND
  别名：SP001577760
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 80A H2PAK-2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 110W（Tc） H2PAK
  
  型号：STH80N10F7-2
  仓库库存编号：497-14980-1-ND
  别名：497-14980-1
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Ta） 2.4W（Ta），150W（Tj） D2PAK
  
  型号：NTB60N06T4G
  仓库库存编号：NTB60N06T4GOSCT-ND
  别名：NTB60N06T4GOSCT
  
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• STMicroelectronics
  AUTO NCHANNEL 60V POWER MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 188W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL225N6F7AG
  仓库库存编号：497-17551-1-ND
  别名：497-17551-1
  
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 30 V, 2 MOHM TYP., 120
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 176.5W（Tc） TO-220
  
  型号：STP200N3LL
  仓库库存编号：497-16935-ND
  别名：497-16935
  
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220 FLPK
  详细描述：通孔 N 沟道 5.3A（Tc） 30W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：SIHF5N50D-E3
  仓库库存编号：SIHF5N50D-E3-ND
  别名：SIHF5N50D-E3CT
  SIHF5N50D-E3CT-ND
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 21A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 37W（Tc） TO-220AB 整包
  
  型号：IRFIZ34NPBF
  仓库库存编号：IRFIZ34NPBF-ND
  别名：*IRFIZ34NPBF
  SP001575796
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 12A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 278W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT12N60
  仓库库存编号：785-1192-5-ND
  别名：785-1192-5
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V TO-220AB-3
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 130W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP8N50NZ
  仓库库存编号：FDP8N50NZ-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N CH 650V 9A ITO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 13W（Tc） ITO-220AB
  
  型号：DMG9N65CTI
  仓库库存编号：DMG9N65CTIDI-ND
  别名：DMG9N65CTIDI
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 4A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 38W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：SPA04N80C3
  仓库库存编号：SPA04N80C3IN-ND
  别名：SP000216300
  SPA04N80C3IN
  SPA04N80C3X
  SPA04N80C3XK
  SPA04N80C3XKSA1
  SPA04N80C3XTIN
  SPA04N80C3XTIN-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.6A（Tc） 74W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFBC30ASPBF
  仓库库存编号：IRFBC30ASPBF-ND
  别名：*IRFBC30ASPBF
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 17A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Ta），45A（Tc） 3W（Ta），83W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP060N06NAKSA1
  仓库库存编号：IPP060N06NAKSA1-ND
  别名：IPP060N06N
  IPP060N06N-ND
  SP000917402
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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