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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 179A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 125W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：IRFR8314TRPBF
  仓库库存编号：IRFR8314TRPBFCT-ND
  别名：IRFR8314TRPBFCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 35A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 35A（Tc） 4.2W（Ta），35.7W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7143DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7143DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7143DP-T1-GE3CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Ta），26A（Tc） 2.5W（Ta），48W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
  
  型号：FDMS86105
  仓库库存编号：FDMS86105CT-ND
  别名：FDMS86105CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 70A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD042P03L3GATMA1
  仓库库存编号：IPD042P03L3GATMA1CT-ND
  别名：IPD042P03L3GATMA1CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 2.5A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 2.5A（Tc） 56.8W（Tc） TO-251-3
  
  型号：AOU3N60
  仓库库存编号：785-1182-5-ND
  别名：785-1182-5
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 35A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7623DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7623DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7623DN-T1-GE3CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 1.9A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 1.9A（Tc） 2.5W（Ta），44W（Tc） I-Pak
  
  型号：FQU2N60CTU
  仓库库存编号：FQU2N60CTU-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 23A 6-PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 156W（Tc） PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH7085TRPBF
  仓库库存编号：IRFH7085TRPBFCT-ND
  别名：IRFH7085TRPBFCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 10.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 10.5A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4413ADY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4413ADY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4413ADY-T1-E3CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.5A（Ta） 1.56W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4488DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4488DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4488DY-T1-GE3CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 6.2A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.2A（Tc） 74W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD06N60C3BTMA1
  仓库库存编号：SPD06N60C3BTMA1CT-ND
  别名：SPD06N60C3INCT
  SPD06N60C3INCT-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 188W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB037N06N3 G
  仓库库存编号：IPB037N06N3 GCT-ND
  别名：IPB037N06N3 GCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 188W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB029N06N3 G
  仓库库存编号：IPB029N06N3 GCT-ND
  别名：IPB029N06N3 GCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 4A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 4.1A（Tc） 83W（Tc） I-Pak
  
  型号：NDD04N60Z-1G
  仓库库存编号：NDD04N60Z-1GOS-ND
  别名：NDD04N60Z-1G-ND
  NDD04N60Z-1GOS
  NDD04N60Z1G
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 8V 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3W（Ta），6.5W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4465ADY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4465ADY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4465ADY-T1-GE3CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 500V 8A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 192W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT8N50
  仓库库存编号：785-1171-5-ND
  别名：785-1171-5
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 184A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 130A（Tc） 125W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRLB8314PBF
  仓库库存编号：IRLB8314PBF-ND
  别名：64-0101PBF
  64-0101PBF-ND
  SP001572766
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 100V 14A TO-220AB
  详细描述：通孔 P 沟道 14A（Tc） 79W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF9530NPBF
  仓库库存编号：IRF9530NPBF-ND
  别名：*IRF9530NPBF
  SP001570634
  
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 60V 40A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 40A（Ta） 67W（Tc） TO-220
  
  型号：TK40E06N1,S1X
  仓库库存编号：TK40E06N1S1X-ND
  别名：TK40E06N1,S1X(S
  TK40E06N1S1X
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 36A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 36A（Tc） 92W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF540ZPBF
  仓库库存编号：IRF540ZPBF-ND
  别名：*IRF540ZPBF
  SP001561896
  
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V 60A TO220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 40A（Tc） 30W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK40A06N1,S4X
  仓库库存编号：TK40A06N1S4X-ND
  别名：TK40A06N1,S4X(S
  TK40A06N1,S4X-ND
  TK40A06N1S4X
  
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 80V 35A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 35A（Tc） 30W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK35A08N1,S4X
  仓库库存编号：TK35A08N1S4X-ND
  别名：TK35A08N1,S4X(S
  TK35A08N1,S4X-ND
  TK35A08N1S4X
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF840ASTRLPBF
  仓库库存编号：IRF840ASTRLPBFCT-ND
  别名：IRF840ASTRLPBFCT
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 13.8A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13.8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB60R280C6
  仓库库存编号：IPB60R280C6CT-ND
  别名：IPB60R280C6CT
  
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 92A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Ta），92A（Tc） 80W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FDP8896
  仓库库存编号：FDP8896-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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