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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 24A 8-HSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Ta） 3W（Ta），27.4W（Tc） 8-HSOP
  
  型号：RS1E240GNTB
  仓库库存编号：RS1E240GNTBCT-ND
  别名：RS1E240GNTBCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 60V 3A SOT223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3A（Ta） 2W（Ta） SOT-223
  
  型号：ZXMP6A17GQTA
  仓库库存编号：ZXMP6A17GQTADICT-ND
  别名：ZXMP6A17GQTADICT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 4.5A TSMT6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.5A（Ta） 600mW（Ta） TSMT6（SC-95）
  
  型号：RRQ045P03TR
  仓库库存编号：RRQ045P03CT-ND
  别名：RRQ045P03CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 8.3A 8WDFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.3A（Ta），69A（Tc） 660mW（Ta），46.3W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
  
  型号：NTTFS4824NTAG
  仓库库存编号：NTTFS4824NTAGOSCT-ND
  别名：NTTFS4824NTAGOSCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 3.7W（Ta），39W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7114ADN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7114ADN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7114ADN-T1-GE3CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO-252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.3A（Tc） 83W（Tc） TO-252-3
  
  型号：IPD60R400CEATMA1
  仓库库存编号：IPD60R400CEATMA1CT-ND
  别名：IPD60R400CEATMA1CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 71A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 56A（Tc） 99W（Tc） DPAK
  
  型号：IRFR7546TRPBF
  仓库库存编号：IRFR7546TRPBFCT-ND
  别名：IRFR7546TRPBFCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 240V 0.2A SOT89
  详细描述：表面贴装 P 沟道 200mA（Ta） 1.5W（Ta） SOT-89-3
  
  型号：ZVP4424ZTA
  仓库库存编号：ZVP4424ZTACT-ND
  别名：ZVP4424ZTACT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 17A 8DSO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta） 1.56W（Ta） PG-DSO-8
  
  型号：BSO033N03MSGXUMA1
  仓库库存编号：BSO033N03MSGXUMA1CT-ND
  别名：BSO033N03MS GINCT
  BSO033N03MS GINCT-ND
  BSO033N03MSGXUMA1CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 19A 8TSDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），52W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
  
  型号：BSZ034N04LSATMA1
  仓库库存编号：BSZ034N04LSATMA1CT-ND
  别名：BSZ034N04LSATMA1CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 45V 7A SOP8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta） 2W（Ta） 8-SOP
  
  型号：RSH070N05TB1
  仓库库存编号：RSH070N05TB1CT-ND
  别名：RSH070N05TB1CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 4A CPT3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 20W（Tc） CPT3
  
  型号：R6004ENDTL
  仓库库存编号：R6004ENDTLCT-ND
  别名：R6004ENDTLCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 7A（Ta） 700mW（Ta） TSMT8
  
  型号：RQ1A070ZPTR
  仓库库存编号：RQ1A070ZPCT-ND
  别名：RQ1A070ZPTRCT
  RQ1A070ZPTRCT-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 7A TSMT8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 7A（Ta） 550mW（Ta） TSMT8
  
  型号：RQ1E070RPTR
  仓库库存编号：RQ1E070RPCT-ND
  别名：RQ1E070RPCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 140W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：IRFR7540TRPBF
  仓库库存编号：IRFR7540TRPBFCT-ND
  别名：IRFR7540TRPBFCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 26A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 26A（Tc） 63W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：FDD390N15ALZ
  仓库库存编号：FDD390N15ALZCT-ND
  别名：FDD390N15ALZCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Central Semiconductor Corp
  MOSFET N-CH 100V 2A SOT-89
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Ta） 1.2W（Ta） SOT-89
  
  型号：CXDM1002N TR
  仓库库存编号：CXDM1002N CT-ND
  别名：CXDM1002N CT
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.9A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP613PH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSP613PH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSP613PH6327XTSA1CT
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7455TRPBF
  仓库库存编号：IRF7455PBFCT-ND
  别名：*IRF7455TRPBF
  IRF7455PBFCT
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 49A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 49A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC117N08NS5ATMA1
  仓库库存编号：BSC117N08NS5ATMA1CT-ND
  别名：BSC117N08NS5ATMA1CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 71W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：IPZ40N04S5L2R8ATMA1
  仓库库存编号：IPZ40N04S5L2R8ATMA1CT-ND
  别名：IPZ40N04S5L2R8ATMA1CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 150V 9A 8SOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta） 1.6W（Ta），42W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPH5900CNH,L1Q
  仓库库存编号：TPH5900CNHL1QCT-ND
  别名：TPH5900CNHL1QCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 16A 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 16A（Tc） 3.6W（Ta），33W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7405BDN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7405BDN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7405BDN-T1-GE3CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 35V 15A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta），59A（Tc） 3.8W（Ta），55W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：FDD6635
  仓库库存编号：FDD6635CT-ND
  别名：FDD6635CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.8A（Tc） 2.5W（Ta），6W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4100DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4100DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4100DY-T1-GE3CT
  
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