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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 85A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 85A（Tc） TO-264A
  
  型号：IXKK85N60C
  仓库库存编号：IXKK85N60C-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 41A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 42A（Tc） 960W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT41F100J
  仓库库存编号：APT41F100J-ND
  别名：APT41F100JMI
  APT41F100JMI-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.2A（Ta） 500mW（Ta） X2-DFN1010-3
  
  型号：DMN1045UFR4-7
  仓库库存编号：DMN1045UFR4-7DICT-ND
  别名：DMN1045UFR4-7DICT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 1.65A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.65A（Ta） 500mW（Ta） 6-TSOP
  
  型号：NTGS3441T1G
  仓库库存编号：NTGS3441T1GOSCT-ND
  别名：NTGS3441T1GOS
  NTGS3441T1GOS-ND
  NTGS3441T1GOSCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.9A（Ta） 660mW（Ta） 6-UDFN2020（2x2）
  
  型号：DMN2022UFDF-7
  仓库库存编号：DMN2022UFDF-7DICT-ND
  别名：DMN2022UFDF-7DICT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 2.5A 6TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.5A（Ta） 500mW（Ta） 6-TSOP
  
  型号：NTGS3446T1G
  仓库库存编号：NTGS3446T1GOSCT-ND
  别名：NTGS3446T1GOSCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 20V 0.43A SOT-523
  详细描述：表面贴装 P 沟道 430mA（Ta） 150mW（Ta） SOT-523
  
  型号：DMP2004TK-7
  仓库库存编号：DMP2004TKDICT-ND
  别名：DMP2004TKDICT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 30V 22A 6SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta） 2.5W（Ta） 6-SON（2x2）
  
  型号：CSD17571Q2
  仓库库存编号：296-37193-1-ND
  别名：296-37193-1
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 600MA SC-70-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600mA（Ta） 280mW（Ta） SC-70-3
  
  型号：SI1302DL-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1302DL-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1302DL-T1-GE3CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 30A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta），28A（Tc） 5W（Ta），24W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6558
  仓库库存编号：785-1670-1-ND
  别名：785-1670-1
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 12V 4.5A SC-70-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Tc） 3.5W（Ta），19W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
  
  型号：SIA406DJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA406DJ-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA406DJ-T1-GE3CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 8A 8-SO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Ta） 1.46W（Ta） 8-SO
  
  型号：DMN4800LSSL-13
  仓库库存编号：DMN4800LSSL-13DICT-ND
  别名：DMN4800LSSL-13DICT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 3.3W（Ta），31.25W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIRA34DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIRA34DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIRA34DP-T1-GE3CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 1.9A SC70-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.9A（Ta） 750mW（Ta） SC-70-6
  
  型号：FDG311N
  仓库库存编号：FDG311NCT-ND
  别名：FDG311NCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 9A SC-75-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 2.5W（Ta），13W（Tc） PowerPAK? SC-75-6L 单
  
  型号：SIB422EDK-T1-GE3
  仓库库存编号：SIB422EDK-T1-GE3CT-ND
  别名：SIB422EDK-T1-GE3CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 12V 9.5A U-DFN2020-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 9.5A（Ta） 730mW（Ta） U-DFN2020-6（F 类）
  
  型号：DMP1022UFDF-7
  仓库库存编号：DMP1022UFDF-7DICT-ND
  别名：DMP1022UFDF-7DICT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 10A 8HUML
  详细描述：表面贴装 P 沟道 10A（Ta） 2W（Ta） HUML2020L8
  
  型号：RF4C050APTR
  仓库库存编号：RF4C050APCT-ND
  别名：RF4C050APTRCT
  RF4C050APTRCT-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 32A DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Ta），70A（Tc） 6.2W（Ta）, 31W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6796
  仓库库存编号：785-1746-1-ND
  别名：785-1746-1
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Ta） 600mW（Ta） TSMT6（SC-95）
  
  型号：RSQ020N03TR
  仓库库存编号：RSQ020N03CT-ND
  别名：RSQ020N03CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 28A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Tc） 68W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR2705TRPBF
  仓库库存编号：IRLR2705PBFCT-ND
  别名：*IRLR2705TRPBF
  IRLR2705PBFCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.5A（Ta） 1.25W（Ta） TSMT6（SC-95）
  
  型号：RSQ035P03TR
  仓库库存编号：RSQ035P03CT-ND
  别名：RSQ035P03CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.6A（Tc） 61W（Tc） DPAK
  
  型号：NDD03N60ZT4G
  仓库库存编号：NDD03N60ZT4GOSCT-ND
  别名：NDD03N60ZT4GOSCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 73A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta），73A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC059N04LSGATMA1
  仓库库存编号：BSC059N04LSGATMA1CT-ND
  别名：BSC059N04LS GCT
  BSC059N04LS GCT-ND
  BSC059N04LSGATMA1CT-NDTR-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 13A POWERDI
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta），30A（Tc） 2.2W（Ta），41W（Tc） PowerDI3333-8
  
  型号：DMT6010LFG-7
  仓库库存编号：DMT6010LFG-7DICT-ND
  别名：DMT6010LFG-7DICT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 13A PWDI3333-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta），60A（Tc） 2.2W（Ta），41W（Tc） PowerDI3333-8
  
  型号：DMT6008LFG-7
  仓库库存编号：DMT6008LFG-7DICT-ND
  别名：DMT6008LFG-7DICT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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