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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 33A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 33A（Tc） 227W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA28N15
  仓库库存编号：FQA28N15-ND
  别名：Q2458553
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 0.1A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100mA（Tc） 25W（Tc） TO-252AA
  
  型号：IXTY01N100
  仓库库存编号：IXTY01N100-ND
  别名：490458
  IXTY01N100CT
  IXTY01N100CT-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 18A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 38.5W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF18N50
  仓库库存编号：FDPF18N50-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 200V 18A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 110W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP20NF20
  仓库库存编号：497-5812-5-ND
  别名：497-5812-5
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 33A DIRECTFETL8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Ta），200A（Tc） 3.3W（Ta），125W（Tc） DIRECTFET L8
  
  型号：IRF7749L1TRPBF
  仓库库存编号：IRF7749L1TRPBFCT-ND
  别名：IRF7749L1TRPBFCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 24A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Ta），100A（Tc） 3W（Ta），136W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP029N06NAKSA1
  仓库库存编号：IPP029N06NAKSA1-ND
  别名：IPP029N06N
  IPP029N06N-ND
  SP000917404
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 6A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF8N80K5
  仓库库存编号：497-13645-5-ND
  别名：497-13645-5
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.2A（Tc） 170W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFS9N60ATRLPBF
  仓库库存编号：IRFS9N60ATRLPBFCT-ND
  别名：IRFS9N60ATRLPBFCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 2.5W（Ta），125W（Tc） D2PAK
  
  型号：MTB50P03HDLT4G
  仓库库存编号：MTB50P03HDLT4GOSCT-ND
  别名：MTB50P03HDLT4GOSCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 22A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Tc） 170W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB28N60M2
  仓库库存编号：497-14972-1-ND
  别名：497-14972-1
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N CH 100V 110A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 150W（Tc） TO-220
  
  型号：STP110N10F7
  仓库库存编号：497-13551-5-ND
  别名：497-13551-5
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 120A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB020NE7N3 G
  仓库库存编号：IPB020NE7N3 GCT-ND
  别名：IPB020NE7N3 GCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL630SPBF
  仓库库存编号：IRL630SPBF-ND
  别名：*IRL630SPBF
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 75A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB4710PBF
  仓库库存编号：IRFB4710PBF-ND
  别名：*IRFB4710PBF
  SP001556118
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 150V 36A TO-3P
  详细描述：通孔 P 沟道 36A（Tc） 294W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA36P15
  仓库库存编号：FQA36P15-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 51A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 51A（Tc） 320W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP51N25
  仓库库存编号：FDP51N25-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-7
  
  型号：IPB019N08N3 G
  仓库库存编号：IPB019N08N3 GCT-ND
  别名：IPB019N08N3 GCT
  
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 950V 9A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF6N95K5
  仓库库存编号：497-12854-5-ND
  别名：497-12854-5
  
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 11A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 300W（Tc） TO-3P
  
  型号：FQA11N90C_F109
  仓库库存编号：FQA11N90C_F109-ND
  别名：FQA11N90CF109
  
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 650V 15A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 38.5W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF15N65
  仓库库存编号：FDPF15N65-ND
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 37.9A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 37.9A（Tc） 278W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB60R099C6
  仓库库存编号：IPB60R099C6CT-ND
  别名：IPB60R099C6CT
  
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 25A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 25A（Tc） 278W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP25N40D-GE3
  仓库库存编号：SIHP25N40D-GE3-ND
  别名：SIHP25N40DGE3
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 45A TO263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 45A（Ta），180A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-7
  
  型号：IPB010N06NATMA1
  仓库库存编号：IPB010N06NATMA1CT-ND
  别名：IPB010N06N-ND
  IPB010N06NATMA1CT
  IPB010N06NCT
  IPB010N06NCT-ND
  
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 900V TO-3PN
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Ta） 250W（Tc） TO-3P（N）
  
  型号：TK9J90E,S1E
  仓库库存编号：TK9J90ES1E-ND
  别名：TK9J90E,S1E(S
  TK9J90ES1E
  
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 110A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 250W（Tc） TO-220
  
  型号：STP150N10F7
  仓库库存编号：497-14570-5-ND
  别名：497-14570-5
  STP150N10F7-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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