以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 46A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 46A（Tc） 157W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK9629-100B,118
  仓库库存编号：1727-4716-1-ND
  别名：1727-4716-1
  568-5866-1
  568-5866-1-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 157W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK9612-55B,118
  仓库库存编号：1727-4713-1-ND
  别名：1727-4713-1
  568-5863-1
  568-5863-1-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 100V 28A ATPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 28A（Ta） 70W（Tc） ATPAK
  
  型号：ATP301-TL-H
  仓库库存编号：869-1086-1-ND
  别名：869-1086-1
  ATP301TLH
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 45V 6A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6A（Ta） 2W（Ta） 8-SOP
  
  型号：RSS060P05FU6TB
  仓库库存编号：RSS060P05FU6TBCT-ND
  别名：RSS060P05FU6TBCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 100V 50 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Ta） 3.2W（Ta），63W（Tc） 8-VSON（5x6）
  
  型号：CSD19534Q5AT
  仓库库存编号：296-37838-1-ND
  别名：296-37838-1
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 64A SO8FL
  详细描述：表面贴装 P 沟道 10A（Ta），64A（Tc） 3.8W（Ta）, 150W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS5113PLT1G
  仓库库存编号：NVMFS5113PLT1GOSCT-ND
  别名：NVMFS5113PLT1GOSCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R380C6ATMA1
  仓库库存编号：IPD60R380C6ATMA1CT-ND
  别名：IPD60R380C6ATMA1CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.85A（Ta） 1.56W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4490DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4490DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4490DY-T1-E3CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 60A PPAK 8SO
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7633DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7633DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7633DP-T1-GE3CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 100A 56LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 349W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN0R9-30YLDX
  仓库库存编号：1727-1858-1-ND
  别名：1727-1858-1
  568-11554-1
  568-11554-1-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 137W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK965R4-40E,118
  仓库库存编号：1727-7262-1-ND
  别名：1727-7262-1
  568-9891-1
  568-9891-1-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 40V 65A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 65A（Ta） 107W（Tc） DPAK+
  
  型号：TK65S04N1L,LQ
  仓库库存编号：TK65S04N1LLQCT-ND
  别名：TK65S04N1LLQCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V SO-8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta），171A（Tc） 950mW（Ta），96.2W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4897NFT1G
  仓库库存编号：NTMFS4897NFT1GOSCT-ND
  别名：NTMFS4897NFT1GOSCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 40V 20A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta），105A（Tc） 1.9W（Ta），176W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：AOB240L
  仓库库存编号：785-1324-1-ND
  别名：785-1324-1
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 90A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD068N10N3GATMA1
  仓库库存编号：IPD068N10N3GATMA1CT-ND
  别名：IPD068N10N3GATMA1CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 167W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD031N06L3 G
  仓库库存编号：IPD031N06L3 GCT-ND
  别名：IPD031N06L3 GCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 12.7A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12.7A（Ta），55A（Tc） 2.1W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET? ST
  
  型号：IRF6614TRPBF
  仓库库存编号：IRF6614TRPBFCT-ND
  别名：IRF6614TRPBFCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 200V 33A SOP8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Ta） 78W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPH2900ENH,L1Q
  仓库库存编号：TPH2900ENHL1QCT-ND
  别名：TPH2900ENHL1QCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 17A TO-220
  详细描述：通孔 P 沟道 17A（Tc） 79W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP17P06
  仓库库存编号：FQP17P06-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 80A F7 D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 160W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB130N6F7
  仓库库存编号：497-15895-1-ND
  别名：497-15895-1
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 100W（Tc） DPAK+
  
  型号：TK100S04N1L,LQ
  仓库库存编号：TK100S04N1LLQCT-ND
  别名：TK100S04N1LLQCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.3A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7434DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7434DP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7434DP-T1-E3CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 17A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 60W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRLZ24PBF
  仓库库存编号：IRLZ24PBF-ND
  别名：*IRLZ24PBF
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 131W（Tc） TO-220AB
  
  型号：RFP50N06
  仓库库存编号：RFP50N06-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
  详细描述：表面贴装 P 沟道 180A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-7-3
  
  型号：IPB180P04P4L02ATMA1
  仓库库存编号：IPB180P04P4L02ATMA1CT-ND
  别名：IPB180P04P4L02ATMA1CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 
  
  无铅
• 搜索