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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 20V 20A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：AO4402
  仓库库存编号：785-1549-1-ND
  别名：785-1549-1
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 10A SOT-223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 10A（Ta） 8.3W（Ta） SOT-223（TO-261）
  
  型号：NVF6P02T3G
  仓库库存编号：NVF6P02T3GOSCT-ND
  别名：NVF6P02T3GOSCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 5A CPT3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Ta） 15W（Tc） CPT3
  
  型号：RSD050N10TL
  仓库库存编号：RSD050N10TLCT-ND
  别名：RSD050N10TLCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 4.2W（Ta），36W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR410DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR410DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR410DP-T1-GE3CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.8A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD2N80TM
  仓库库存编号：FQD2N80TMCT-ND
  别名：FQD2N80TMCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 52V 9A LL DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta） 1.74W（Ta） DPAK-3
  
  型号：NID9N05ACLT4G
  仓库库存编号：NID9N05ACLT4GOSCT-ND
  别名：NID9N05ACLT4GOSCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 160A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 160A（Tc） 135W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR8743TRPBF
  仓库库存编号：IRLR8743TRPBFCT-ND
  别名：IRLR8743TRPBFCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 40V 90A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 140W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：IRFR7440TRPBF
  仓库库存编号：IRFR7440TRPBFCT-ND
  别名：IRFR7440TRPBFCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 52A SO8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 52A（Tc） 83W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJ459EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ459EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJ459EP-T1_GE3CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），63W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ160N10NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSZ160N10NS3GATMA1CT-ND
  别名：BSZ160N10NS3 GINCT
  BSZ160N10NS3 GINCT-ND
  BSZ160N10NS3GATMA1CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.8A（Tc） 2.5W（Ta），6W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4100DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4100DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4100DY-T1-E3CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 100V 100A 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 3.2W（Ta），96W（Tc） 8-VSON（5x6）
  
  型号：CSD19533Q5A
  仓库库存编号：296-37479-1-ND
  别名：296-37479-1
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  含铅
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 60V 13A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta），80A（Tc） 2.3W（Ta），83W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6246
  仓库库存编号：785-1337-1-ND
  别名：785-1337-1
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 55A ATPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 55A（Ta） 60W（Tc） ATPAK
  
  型号：ATP114-TL-H
  仓库库存编号：ATP114-TL-HOSCT-ND
  别名：ATP114-TL-HOSCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 12A TP-FA
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Ta） 1W（Ta），15W（Tc） TP-FA
  
  型号：SFT1342-TL-W
  仓库库存编号：SFT1342-TL-WOSCT-ND
  别名：SFT1342-TL-EOSCT
  SFT1342-TL-EOSCT-ND
  SFT1342-TL-WOSCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SIS890DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS890DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SIS890DN-T1-GE3CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 20V 47A 8DFN
  详细描述：表面贴装 P 沟道 47A（Ta），85A（Tc） 7.3W（Ta），156W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6411
  仓库库存编号：785-1495-1-ND
  别名：785-1495-1
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19.7A（Tc） 3.5W（Ta），7.8W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4090DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4090DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4090DY-T1-GE3CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
  
  型号：BSZ097N10NS5ATMA1
  仓库库存编号：BSZ097N10NS5ATMA1CT-ND
  别名：BSZ097N10NS5ATMA1CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 19A 8TSDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
  
  型号：BSZ042N06NSATMA1
  仓库库存编号：BSZ042N06NSATMA1CT-ND
  别名：BSZ042N06NS
  BSZ042N06NS-ND
  BSZ042N06NSATMA1CT
  BSZ042N06NSCT
  BSZ042N06NSCT-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Ta） 125W（Tc） DPAK+
  
  型号：TK33S10N1Z,LQ
  仓库库存编号：TK33S10N1ZLQCT-ND
  别名：TK33S10N1ZLQCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 19A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC039N06NSATMA1
  仓库库存编号：BSC039N06NSATMA1CT-ND
  别名：BSC039N06NS
  BSC039N06NS-ND
  BSC039N06NSATMA1CT
  BSC039N06NSCT-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 620V 5.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.5A（Tc） 90W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD6N62K3
  仓库库存编号：497-8480-1-ND
  别名：497-8480-1
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 40V 10.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 10.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7240TRPBF
  仓库库存编号：IRF7240TRPBFCT-ND
  别名：IRF7240TRPBFCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 32A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），96W（Tc） SuperSO8
  
  型号：BSC014N04LS
  仓库库存编号：BSC014N04LSCT-ND
  别名：BSC014N04LS-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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