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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 48A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 48A（Tc） 500W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX48N50Q
  仓库库存编号：IXFX48N50Q-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 145A SP6
  详细描述：底座安装 N 沟道 145A（Tc） 3250W（Tc） SP6
  
  型号：APTM100UM65SAG
  仓库库存编号：APTM100UM65SAG-ND
  别名：APTM100UM65SAGMI
  APTM100UM65SAGMI-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 0.38A SOT323
  详细描述：表面贴装 N 沟道 380mA（Ta） 300mW（Ta） SOT-323
  
  型号：DMN63D8LW-13
  仓库库存编号：DMN63D8LW-13DICT-ND
  别名：DMN63D8LW-13DICT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 320MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 320mA（Ta） 350mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：2N7002KT1G
  仓库库存编号：2N7002KT1GOSCT-ND
  别名：2N7002KT1GOSCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V 0.17A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 170mA（Ta） 150mW（Ta） SSM
  
  型号：SSM3K72CFS,LF
  仓库库存编号：SSM3K72CFSLFCT-ND
  别名：SSM3K72CFSLFCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 30V 0.1A USM
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100mA（Ta） 150mW（Ta） USM
  
  型号：SSM3J15FU,LF
  仓库库存编号：SSM3J15FULFCT-ND
  别名：SSM3J15FULFCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 0.1A EMT3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100mA（Ta） 150mW（Ta） EMT3F（SOT-416FL）
  
  型号：RE1C001ZPTL
  仓库库存编号：RE1C001ZPTLCT-ND
  别名：RE1C001ZPTLCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 0.2A UMT3F
  详细描述：表面贴装 P 沟道 200mA（Ta） 150mW（Ta） UMT3F
  
  型号：RU1C002ZPTCL
  仓库库存编号：RU1C002ZPTCLCT-ND
  别名：RU1C002ZPTCLCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 20V 0.25A CST3C
  详细描述：表面贴装 P 沟道 250mA（Ta） 500mW（Ta） CST3C
  
  型号：SSM3J35CTC,L3F
  仓库库存编号：SSM3J35CTCL3FCT-ND
  别名：SSM3J35CTCL3FCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 0.18A SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180mA（Ta） 370mW（Ta） SOT-23
  
  型号：2N7002A-7
  仓库库存编号：2N7002A-7DICT-ND
  别名：2N7002A-7DICT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V SOT883
  详细描述：表面贴装 N 沟道 590mA（Ta） 310mW（Ta）, 1.67W（Tc） DFN1006-3
  
  型号：PMZ550UNEYL
  仓库库存编号：1727-2322-1-ND
  别名：1727-2322-1
  568-12608-1
  568-12608-1-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 310mA（Ta） 280mW（Tj） SC-70-3（SOT323）
  
  型号：2V7002WT1G
  仓库库存编号：2V7002WT1GOSCT-ND
  别名：2V7002WT1GOSCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Rohm Semiconductor
  1.2V DRIVE PCH MOSFET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 200mA（Ta） 150W（Tc） EMT3F（SOT-416FL）
  
  型号：RE1C002ZPTL
  仓库库存编号：RE1C002ZPTLCT-ND
  别名：RE1C002ZPTLCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.6A（Ta） 700mW（Ta） SOT-23
  
  型号：DMN6140L-7
  仓库库存编号：DMN6140L-7DICT-ND
  别名：DMN6140L-7DICT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 50V 0.13A SOT-23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 130mA（Ta） 225mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SBSS84LT1G
  仓库库存编号：SBSS84LT1GOSCT-ND
  别名：SBSS84LT1GOSCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 450MA 3DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 450mA（Ta） 360mW（Ta） 3-DFN1006B（0.6x1）
  
  型号：2N7002BKMB,315
  仓库库存编号：1727-1233-1-ND
  别名：1727-1233-1
  568-10438-1
  568-10438-1-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 0.2A EMT3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 200mA（Ta） 150mW（Ta） EMT3
  
  型号：RZE002P02TL
  仓库库存编号：RZE002P02TLCT-ND
  别名：RZE002P02TLCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 20V 1A 3DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Ta） 360mW（Ta），2.7W（Tc） 3-DFN1006B（0.6x1）
  
  型号：PMZB290UN,315
  仓库库存编号：1727-1242-1-ND
  别名：1727-1242-1
  568-10448-1
  568-10448-1-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 20V 680MA DFN1006B-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 680mA（Ta） 360mW（Ta），2.7W（Tc） 3-DFN1006B（0.6x1）
  
  型号：PMZB670UPE,315
  仓库库存编号：1727-1380-1-ND
  别名：1727-1380-1
  568-10845-1
  568-10845-1-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Ta） 800mW（Ta） SOT-23
  
  型号：DMN6075S-7
  仓库库存编号：DMN6075S-7DICT-ND
  别名：DMN6075S-7DICT
  
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1A（Ta） 400mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：NTR1P02T1G
  仓库库存编号：NTR1P02T1GOSCT-ND
  别名：NTR1P02T1GOS
  NTR1P02T1GOS-ND
  NTR1P02T1GOSCT
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.2A（Ta） 540mW（Ta） Micro3?/SOT-23
  
  型号：IRLML2803TRPBF
  仓库库存编号：IRLML2803PBFCT-ND
  别名：*IRLML2803TRPBF
  IRLML2803PBFCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 0.76A SC-89
  详细描述：表面贴装 P 沟道 760mA（Tj） 313mW（Tj） SC-89-3
  
  型号：NTE4151PT1G
  仓库库存编号：NTE4151PT1GOSCT-ND
  别名：NTE4151PT1GOSCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 16V 2.5A DFN-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.5A（Ta） 400mW（Ta） DFN2015H4-3
  
  型号：DMG3415UFY4-7
  仓库库存编号：DMG3415UFY4-7DICT-ND
  别名：DMG3415UFY4-7DICT
  
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 0.63A SC-75A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 240mW（Ta） SC-75A
  
  型号：SI1012CR-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1012CR-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1012CR-T1-GE3CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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