规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 9.8A(Ta) 1.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4463BDY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4463BDY-T1-E3CT-ND
别名:SI4463BDY-T1-E3CT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 3.6A 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.6A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7415DN-T1-E3
仓库库存编号:
SI7415DN-T1-E3CT-ND
别名:SI7415DN-T1-E3CT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 3.6A 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.6A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7415DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7415DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7415DN-T1-GE3CT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.7A(Ta) 1.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4848DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4848DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4848DY-T1-GE3CT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 82A(Tj) 238W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN013-100YSEX
仓库库存编号:
1727-1129-1-ND
别名:1727-1129-1
568-10284-1
568-10284-1-ND
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 35A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 70W(Tc) D-Pak
型号:
STD30NF06LT4
仓库库存编号:
497-4101-1-ND
别名:497-4101-1
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 700V 0.17A 3DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 170mA(Tj) 2.5W(Ta) TO-252,(D-Pak)
型号:
DN2470K4-G
仓库库存编号:
DN2470K4-GCT-ND
别名:DN2470K4-GCT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 21.5A(Tc) 113W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN102-200Y,115
仓库库存编号:
1727-5227-1-ND
别名:1727-5227-1
568-6544-1
568-6544-1-ND
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 19A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 19A(Tc) 2.5W(Ta),6W(Tc) 8-SO
型号:
SI4840BDY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4840BDY-T1-E3CT-ND
别名:SI4840BDY-T1-E3CT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 25A 8DFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 25A(Ta),50A(Tc) 6.25W(Ta),83W(Tc) 8-DFN-EP(3.3x3.3)
型号:
AON7405
仓库库存编号:
785-1305-1-ND
别名:785-1305-1
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 60A(Tc) 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7157DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7157DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7157DP-T1-GE3CT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N CH 60V 13.5A 8PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 13.5A(Ta),22A(Tc) 2.5W(Ta),69W(Tc) 8-PQFN(5x6),Power56
型号:
FDMS86520L
仓库库存编号:
FDMS86520LFSCT-ND
别名:FDMS86520LFSCT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 75V 150A SOP8
详细描述:表面贴装 N 沟道 150A(Tc) 142W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)
型号:
TPH2R608NH,L1Q
仓库库存编号:
TPH2R608NHL1QCT-ND
别名:TPH2R608NHL1QCT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 34A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 34A(Tc) 2.5W(Ta),5.7W(Tc) 8-SO
型号:
SI4838BDY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4838BDY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4838BDY-T1-GE3CT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT-223
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.9A(Ta) 3W(Ta) SOT-223-4
型号:
NDT454P
仓库库存编号:
NDT454PFSCT-ND
别名:NDT454PFSCT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 3.5W(Ta),7.8W(Tc) 8-SO
型号:
SI4630DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4630DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4630DY-T1-E3CT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 58A(Tc) 4.6W(Ta),46W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7884BDP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7884BDP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7884BDP-T1-GE3CT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 5.4W(Ta),83W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR414DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR414DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR414DP-T1-GE3CT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 1.3A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRLD120PBF
仓库库存编号:
IRLD120PBF-ND
别名:*IRLD120PBF
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55A(Tc) 95W(Tc) D2PAK
型号:
STB55NF06LT4
仓库库存编号:
497-7462-1-ND
别名:497-7462-1
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 8.6A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7461DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7461DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7461DP-T1-E3CT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 8.6A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7461DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7461DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7461DP-T1-GE3CT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 30A 8-PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Ta),174A(Tc) 2.8W(Ta),65W(Tc) Power33
型号:
FDMC8010ET30
仓库库存编号:
FDMC8010ET30CT-ND
别名:FDMC8010ET30CT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 53.7A(Tc) 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR872ADP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR872ADP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR872ADP-T1-GE3CT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.6A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7370DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7370DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7370DP-T1-E3CT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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