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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 660mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP297H6327XTSA1
  仓库库存编号：BSP297H6327XTSA1CT-ND
  别名：BSP297H6327XTSA1CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 700V 4A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 6.2W（Tc） PG-SOT223
  
  型号：IPN70R1K4P7SATMA1
  仓库库存编号：IPN70R1K4P7SATMA1CT-ND
  别名：IPN70R1K4P7SATMA1CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 46W（Tc） PG-TO252-3-313
  
  型号：IPD50N04S4L08ATMA1
  仓库库存编号：IPD50N04S4L08ATMA1CT-ND
  别名：IPD50N04S4L08ATMA1CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 80V LFPAK56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 62A（Tc） 147W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN014-80YLX
  仓库库存编号：1727-2590-1-ND
  别名：1727-2590-1
  568-13041-1
  568-13041-1-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 100V 4.2A TO252-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.2A（Tc） 38W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD04P10PLGBTMA1
  仓库库存编号：SPD04P10PLGBTMA1CT-ND
  别名：SPD04P10PL GCT
  SPD04P10PL GCT-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 75V 49A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 49A（Tc） 105W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK7Y18-75B,115
  仓库库存编号：1727-4606-1-ND
  别名：1727-4606-1
  568-5516-1
  568-5516-1-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 42A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 42A（Tc） 89W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN028-100YS,115
  仓库库存编号：1727-5226-1-ND
  别名：1727-5226-1
  568-6543-1
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  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V LFPAK56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 49A（Tc） 147W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN021-100YLX
  仓库库存编号：1727-2593-1-ND
  别名：1727-2593-1
  568-13044-1
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  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 550V 7.6A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.6A（Tc） 57W（Tc） PG-TO-252
  
  型号：IPD50R500CEAUMA1
  仓库库存编号：IPD50R500CEAUMA1CT-ND
  别名：IPD50R500CEAUMA1CT
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 50W（Tc） PG-TO252-3-11
  
  型号：IPD50N06S4L12ATMA2
  仓库库存编号：IPD50N06S4L12ATMA2CT-ND
  别名：IPD50N06S4L12ATMA2CT
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 1.5A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.5A（Tc） 6W（Tc） PG-SOT223
  
  型号：IPN80R4K5P7ATMA1
  仓库库存编号：IPN80R4K5P7ATMA1CT-ND
  别名：IPN80R4K5P7ATMA1CT
  
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 43A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 43A（Tc） 94W（Tc） DPAK
  
  型号：BUK7225-55A,118
  仓库库存编号：1727-7154-1-ND
  别名：1727-7154-1
  568-9637-1
  568-9637-1-ND
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 82A 5X6 PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Ta），82A（Tc） 3.6W（Ta），46W（Tc） PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH5303TR2PBF
  仓库库存编号：IRFH5303TR2PBFCT-ND
  别名：IRFH5303TR2PBFCT
  
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  MOSFET N-CH 60V 18.5A 6PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18.5A（Tc） 11.5W（Tc） 6-PQFN（2x2）
  
  型号：IRL60HS118
  仓库库存编号：IRL60HS118CT-ND
  别名：IRL60HS118CT
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 55V 20A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20A（Tc） 79W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：IRLR9343TRPBF
  仓库库存编号：IRLR9343TRPBFCT-ND
  别名：IRLR9343TRPBFCT
  
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  MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），35W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ088N03LSGATMA1
  仓库库存编号：BSZ088N03LSGATMA1CT-ND
  别名：BSZ088N03LSGINCT
  BSZ088N03LSGINCT-ND
  
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 88W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN2R5-30YL,115
  仓库库存编号：1727-4164-1-ND
  别名：1727-4164-1
  568-4680-1
  568-4680-1-ND
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 47W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB080N03L G
  仓库库存编号：IPB080N03L GCT-ND
  别名：IPB080N03L GCT
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 700V 6A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 6.5W（Tc） PG-SOT223
  
  型号：IPN70R900P7SATMA1
  仓库库存编号：IPN70R900P7SATMA1CT-ND
  别名：IPN70R900P7SATMA1CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 75A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 105W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK9Y07-30B,115
  仓库库存编号：1727-4610-1-ND
  别名：1727-4610-1
  568-5522-1
  568-5522-1-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 40V 86A TO252-3-313
  详细描述：表面贴装 N 沟道 86A（Tc） 65W（Tc） PG-TO252-3-313
  
  型号：IPD90N04S405ATMA1
  仓库库存编号：IPD90N04S405ATMA1CT-ND
  别名：IPD90N04S405ATMA1CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 42A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 42A（Tc） 83W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB42N03S2L-13
  仓库库存编号：SPB42N03S2L13INCT-ND
  别名：SPB42N03S2L13
  SPB42N03S2L13INCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 23A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Tc） 99W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK7675-100A,118
  仓库库存编号：1727-7173-1-ND
  别名：1727-7173-1
  568-9658-1
  568-9658-1-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 42A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 42A（Tc） 99W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK9628-55A,118
  仓库库存编号：1727-7195-1-ND
  别名：1727-7195-1
  568-9684-1
  568-9684-1-ND
  
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  MOSFET P-CH 30V 16A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 16A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF9317TRPBF
  仓库库存编号：IRF9317TRPBFCT-ND
  别名：IRF9317TRPBFCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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