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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 45A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 45A（Tc） 780W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT43M60B2
  仓库库存编号：APT43M60B2-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 60A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 540W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ60N20L2
  仓库库存编号：IXTQ60N20L2-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 15A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） 690W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT15N100Q3
  仓库库存编号：IXFT15N100Q3-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 45A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 45A（Tc） 780W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT43F60B2
  仓库库存编号：APT43F60B2-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 60A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 540W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH60N20L2
  仓库库存编号：IXTH60N20L2-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 140A MAX247
  详细描述：通孔 N 沟道 140A（Tc） 450W（Tc） MAX247?
  
  型号：STY140NS10
  仓库库存编号：497-3267-5-ND
  别名：497-3267-5
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 110A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 110A（Tc） 600W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT110N10L2
  仓库库存编号：IXTT110N10L2-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 60A TO268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 540W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT60N20L2
  仓库库存编号：IXTT60N20L2-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 400W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR15N100Q3
  仓库库存编号：IXFR15N100Q3-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 150A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 150A（Tc） 1300W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK150N30P3
  仓库库存编号：IXFK150N30P3-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 25A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 25A（Tc） 300W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR44N50Q3
  仓库库存编号：IXFR44N50Q3-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
  详细描述：通孔 N 沟道 400mA（Tc） 104W（Tc） TO-247HV
  
  型号：IXTH04N300P3HV
  仓库库存编号：IXTH04N300P3HV-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 4500V 0.2A TO247HV
  详细描述：通孔 N 沟道 200mA（Tc） 113W（Tc） TO-247HV
  
  型号：IXTH02N450HV
  仓库库存编号：IXTH02N450HV-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 60A MAX247
  详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 560W（Tc） MAX247?
  
  型号：STY60NM50
  仓库库存编号：497-2775-5-ND
  别名：497-2775-5
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 1.5KV 4A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 280W（Tc） TO-263
  
  型号：IXTA4N150HV
  仓库库存编号：IXTA4N150HV-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  500V POLAR2 HIPERFETS
  详细描述：底座安装 N 沟道 68A（Tc） 780W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN94N50P2
  仓库库存编号：IXFN94N50P2-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  不适用
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  MOSFET N-CH 500V 120A PLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 1890W（Tc） PLUS264?
  
  型号：IXFB120N50P2
  仓库库存编号：IXFB120N50P2-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 600V 48A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 48A（Tc） 1000W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX48N60Q3
  仓库库存编号：IXFX48N60Q3-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 1000W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX24N100Q3
  仓库库存编号：IXFX24N100Q3-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 500V 64A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 64A（Tc） 1000W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX64N50Q3
  仓库库存编号：IXFX64N50Q3-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 300V 210A PLUS264
  详细描述：表面贴装 N 沟道 210A（Tc） 1890W（Tc） PLUS264?
  
  型号：IXFB210N30P3
  仓库库存编号：IXFB210N30P3-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 500V 64A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 64A（Tc） 1000W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK64N50Q3
  仓库库存编号：IXFK64N50Q3-ND
  
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  MOSFET N-CH 600V 48A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 48A（Tc） 1000W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK48N60Q3
  仓库库存编号：IXFK48N60Q3-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 32A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 32A（Tc） 1000W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK32N80Q3
  仓库库存编号：IXFK32N80Q3-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 66A（Tc） 960W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN80N60P3
  仓库库存编号：IXFN80N60P3-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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