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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 3.75W(Ta),250W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM90N03-2M2P-E3
仓库库存编号:
SUM90N03-2M2P-E3CT-ND
别名:SUM90N03-2M2P-E3CT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 45A LPTS
详细描述:表面贴装 N 沟道 45A(Tc) 1.56W(Ta),40W(Tc) LPTS
型号:
RCJ450N20TL
仓库库存编号:
RCJ450N20TLCT-ND
别名:RCJ450N20TLCT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 12A TO220 FULLP
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 33W(Tc) TO-220 整包
型号:
SIHF12N60E-GE3
仓库库存编号:
SIHF12N60E-GE3CT-ND
别名:SIHF12N60E-GE3CT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 5W(Ta),50W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR890DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR890DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR890DP-T1-GE3CT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Panasonic Electronic Components
MOSFET N-CH 500V 7A TO-220D
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 2W(Ta),40W(Tc) TO-220D-A1
型号:
2SK3046
仓库库存编号:
2SK3046-ND
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 160A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB
型号:
AUIRF1404Z
仓库库存编号:
AUIRF1404Z-ND
别名:SP001520218
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 16A LPT
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Tc) 50W(Tc) LPTS
型号:
R5016FNJTL
仓库库存编号:
R5016FNJTLCT-ND
别名:R5016FNJTLCT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Tc) 3.1W(Ta),125W(Tc) D2PAK
型号:
IRF840STRLPBF
仓库库存编号:
IRF840STRLPBFCT-ND
别名:IRF840STRLPBFCT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V TO-220F-3
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 42W(Tc) TO-220F
型号:
FDPF10N60ZUT
仓库库存编号:
FDPF10N60ZUT-ND
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 14A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Tc) 327W(Tc) TO-220AB
型号:
IXFP14N60P3
仓库库存编号:
IXFP14N60P3-ND
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 330V 18A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 150W(Tc) D2PAK
型号:
STB18NF30
仓库库存编号:
497-12970-1-ND
别名:497-12970-1
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
STB80NF10T4
仓库库存编号:
497-2489-1-ND
别名:497-2489-1
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 48A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 48A(Tc) 180W(Tc) TO-247
型号:
FQH44N10_F133
仓库库存编号:
FQH44N10_F133FS-ND
别名:FQH44N10_F133-ND
FQH44N10_F133FS
FQH44N10F133
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 65A(Ta) 156W(Tc) D2PAK
型号:
TK65G10N1,RQ
仓库库存编号:
TK65G10N1RQCT-ND
别名:TK65G10N1RQCT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 80V 90A
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 200W(Tc) H2Pak-2
型号:
STH145N8F7-2AG
仓库库存编号:
497-16315-1-ND
别名:497-16315-1
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 50A POLARPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 5.2W(Ta),104W(Tc) 10-PolarPAK?(S)
型号:
SIE822DF-T1-GE3
仓库库存编号:
SIE822DF-T1-GE3CT-ND
别名:SIE822DF-T1-GE3CT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 110W(Tc) DPAK
型号:
STD120N4LF6
仓库库存编号:
497-11097-1-ND
别名:497-11097-1
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 110W(Tc) DPAK
型号:
STD120N4F6
仓库库存编号:
497-10781-1-ND
别名:497-10781-1
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
STB75NF75T4
仓库库存编号:
497-15666-1-ND
别名:497-15666-1
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) D2PAK(TO-263)
型号:
SQM40010EL_GE3
仓库库存编号:
SQM40010EL_GE3CT-ND
别名:SQM40010EL_GE3CT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 95A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 95A(Tc) 375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SQM90142E_GE3
仓库库存编号:
SQM90142E_GE3CT-ND
别名:SQM90142E_GE3CT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) D2PAK(TO-263)
型号:
SQM40031EL_GE3
仓库库存编号:
SQM40031EL_GE3CT-ND
别名:SQM40031EL_GE3CT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Tc) 125W(Tc) D2PAK
型号:
STB11NK50ZT4
仓库库存编号:
497-2451-1-ND
别名:497-2451-1
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 650V 10.2A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 10.2A(Tc) 33W(Tc) TO-220F
型号:
FCPF380N65FL1
仓库库存编号:
FCPF380N65FL1-ND
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET NCH 300V 19A TO262
详细描述:表面贴装 N 沟道 19A(Tc) 210W(Tc) TO-262-3
型号:
AUIRFSL6535
仓库库存编号:
AUIRFSL6535-ND
别名:SP001522854
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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