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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.7A（Tc） 3.1W（Ta），54W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFBF20STRLPBF
  仓库库存编号：IRFBF20STRLPBFCT-ND
  别名：IRFBF20STRLPBFCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N CH 650V 9A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 85W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB11N65M5
  仓库库存编号：497-13144-1-ND
  别名：497-13144-1
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 60V 18A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Ta），78A（Tc） 2.1W（Ta），45.5W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF266L
  仓库库存编号：785-1443-5-ND
  别名：785-1443-5
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 120A
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 188W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI032N06N3GAKSA1
  仓库库存编号：IPI032N06N3GAKSA1-ND
  别名：SP000680650
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 61A TO-263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta），61A（Tc） 150W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB3652
  仓库库存编号：FDB3652CT-ND
  别名：FDB3652CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 34A D-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 34A（Ta） 3.8W（Ta），83W（Tc） TO-252
  
  型号：FDD3670
  仓库库存编号：FDD3670CT-ND
  别名：FDD3670CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 180W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：HUF76439S3ST
  仓库库存编号：HUF76439S3STCT-ND
  别名：HUF76439S3STCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 60A POLARPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.2W（Ta），125W（Tc） 10-PolarPAK?（L）
  
  型号：SIE874DF-T1-GE3
  仓库库存编号：SIE874DF-T1-GE3CT-ND
  别名：SIE874DF-T1-GE3CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CHAN 80V TO252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 136W（Tc） TO-252AA
  
  型号：SQD50P08-25L_GE3
  仓库库存编号：SQD50P08-25L_GE3CT-ND
  别名：SQD50P08-25L_GE3CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 5.4W（Ta），96W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7738DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7738DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7738DP-T1-GE3CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 7.5A POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.5A（Tc） 56W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL16N65M2
  仓库库存编号：497-15259-1-ND
  别名：497-15259-1
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 4.2A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 4.2A（Tc） 3.13W（Ta），140W（Tc） I2PAK
  
  型号：FQI4N90TU
  仓库库存编号：FQI4N90TU-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 800 V, 0.75 OHM TYP.,
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 110W（Tc） DPAK
  
  型号：STD7N90K5
  仓库库存编号：497-17079-1-ND
  别名：497-17079-1
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N CH 100V 51A TO-263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 51A（Tc） 180W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：HUF76639S3ST_F085
  仓库库存编号：HUF76639S3ST_F085CT-ND
  别名：HUF76639S3ST_F085CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V POWERPAK SO-8L
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.9A（Tc） 96W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIHJ7N65E-T1-GE3
  仓库库存编号：SIHJ7N65E-T1-GE3CT-ND
  别名：SIHJ7N65E-T1-GE3CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 9A LPT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 40W（Tc） LPTS（D2PAK）
  
  型号：R6009ENJTL
  仓库库存编号：R6009ENJTLCT-ND
  别名：R6009ENJTLCT
  
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 110A（Tc） 176W（Tj） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB86566_F085
  仓库库存编号：FDB86566_F085CT-ND
  别名：FDB86566_F085CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 16.7A（Tc） 35W（Tc） PG-TO220FP
  
  型号：IPA80R310CEXKSA2
  仓库库存编号：IPA80R310CEXKSA2-ND
  别名：SP001313398
  
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 31A（Tc） 3.13W（Ta），180W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB34N20TM_AM002
  仓库库存编号：FQB34N20TM_AM002CT-ND
  别名：FQB34N20TM_AM002CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 16A MLPD8X8 4L
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 125W（Tc） PowerFlat?（8x8） HV
  
  型号：STL25N60M2-EP
  仓库库存编号：497-16249-1-ND
  别名：497-16249-1
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 40V 28A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Ta） 254W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB8442_F085
  仓库库存编号：FDB8442_F085CT-ND
  别名：FDB8442_F085CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB75NF75LT4
  仓库库存编号：497-3514-1-ND
  别名：497-3514-1
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 22A LPTS
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Tc） 1.56W（Ta），40W（Tc） LPTS（SC-83）
  
  型号：RCJ220N25TL
  仓库库存编号：RCJ220N25TLCT-ND
  别名：RCJ220N25TLCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 80V 130A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 130A（Tc） 4.8W（Ta）, 135W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL135N8F7AG
  仓库库存编号：497-16318-1-ND
  别名：497-16318-1
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 8A POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 52W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL16N60M2
  仓库库存编号：497-16003-1-ND
  别名：497-16003-1
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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