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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP057N08N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPP057N08N3GXKSA1-ND
  别名：IPP057N08N3 G
  IPP057N08N3 G-ND
  IPP057N08N3G
  SP000680810
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 400V 2A TO-220
  详细描述：通孔 P 沟道 2A（Tc） 63W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FQP2P40_F080
  仓库库存编号：FQP2P40_F080-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 75V 40A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 125W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD45NF75T4
  仓库库存编号：497-4334-1-ND
  别名：497-4334-1
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 90A TO262-3-1
  详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 150W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI90N04S402AKSA1
  仓库库存编号：IPI90N04S402AKSA1-ND
  别名：IPI90N04S4-02
  IPI90N04S4-02-ND
  SP000646194
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 29A TO-263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Ta），29A（Tc） 135W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB2572
  仓库库存编号：FDB2572CT-ND
  别名：FDB2572CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 51A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 51A（Tc） 80W（Tc） TO-220AB
  
  型号：AUIRLZ44Z
  仓库库存编号：AUIRLZ44Z-ND
  别名：SP001522994
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 40V 195A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 195A（Tc） 230W（Tc） TO-262
  
  型号：IRFSL7437PBF
  仓库库存编号：IRFSL7437PBF-ND
  别名：SP001578458
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 1.5A（Tc） 35W（Tc） TO-220F-3（Y 型）
  
  型号：FQPF2N80YDTU
  仓库库存编号：FQPF2N80YDTU-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 7A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS86141
  仓库库存编号：FDS86141CT-ND
  别名：FDS86141CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 21.1A POWER56
  详细描述：表面贴装 P 沟道 21.1A（Ta），49A（Tc） 2.5W（Ta），73W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS6681Z
  仓库库存编号：FDMS6681ZCT-ND
  别名：FDMS6681ZCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N CH 60V 25A 8-PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta），80A（Tc） 2.5W（Ta），104W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
  
  型号：FDMS86500L
  仓库库存编号：FDMS86500LFSCT-ND
  别名：FDMS86500LFSCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 8A TO-220F-3
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 42W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF10N50UT
  仓库库存编号：FDPF10N50UT-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 205W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP030N06B_F102
  仓库库存编号：FDP030N06B_F102-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 18A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 41W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF33N10
  仓库库存编号：FQPF33N10-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 4.8W（Ta），62.5W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIJ420DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIJ420DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIJ420DP-T1-GE3CT
  
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD100N3LF3
  仓库库存编号：497-16197-1-ND
  别名：497-16197-1
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 150W（Tc） H2Pak-2
  
  型号：STH175N4F6-2AG
  仓库库存编号：497-15467-1-ND
  别名：497-15467-1
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 75A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 300W（Tc） I2PAK
  
  型号：BUK7E04-40A,127
  仓库库存编号：1727-7227-ND
  别名：1727-7227
  568-9744-5
  568-9744-5-ND
  934056701127
  BUK7E04-40A,127-ND
  BUK7E0440A127
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.5A（Tc） 85W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB10N60M2
  仓库库存编号：497-14528-1-ND
  别名：497-14528-1
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 25V 5X6 100A 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Ta），100A（Tc） 3.1W（Ta） 8-VSON-CLIP（5x6）
  
  型号：CSD16325Q5
  仓库库存编号：296-24964-1-ND
  别名：296-24964-1
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 31A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 49A（Tc） 94W（Tc） TO-220AB
  
  型号：AUIRFZ44N
  仓库库存编号：AUIRFZ44N-ND
  别名：SP001519708
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 4A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 60W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB6N65M2
  仓库库存编号：497-15047-1-ND
  别名：497-15047-1
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V TO-220F-3
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 42W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF12N50UT
  仓库库存编号：FDPF12N50UT-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 34A（Ta），100A（Tc） 3.2W（Ta） 8-VSON-CLIP（5x6）
  
  型号：CSD16414Q5
  仓库库存编号：296-24257-1-ND
  别名：296-24257-1
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 25.5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 25.5A（Tc） 180W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FQP27N25
  仓库库存编号：FQP27N25-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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