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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 14A U8FL
  详细描述：表面贴装 P 沟道 9A（Ta） 840mW（Ta） 8-WDFN（3.3x3.3）
  
  型号：NTTFS3A08PZTAG
  仓库库存编号：NTTFS3A08PZTAGOSCT-ND
  别名：NTTFS3A08PZTAGOSCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 60A TO-263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Ta） 60W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB7030BL
  仓库库存编号：FDB7030BLCT-ND
  别名：FDB7030BLCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 100V 8A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8A（Tc） 3.75W（Ta），65W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB8P10TM
  仓库库存编号：FQB8P10TMCT-ND
  别名：FQB8P10TMCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET NCH 800V 3.9A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 3.9A（Tc） 31W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA80R1K4CEXKSA2
  仓库库存编号：IPA80R1K4CEXKSA2-ND
  别名：SP001313390
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 700V 20.5 TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 8.5A（Tc） 25W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA70R600P7SXKSA1
  仓库库存编号：IPA70R600P7SXKSA1-ND
  别名：SP001499700
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 2.5A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 2.5A（Ta） 30W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK3A60DA(Q,M)
  仓库库存编号：TK3A60DA(QM)-ND
  别名：TK3A60DA(Q)
  TK3A60DA(Q)-ND
  TK3A60DA(QM)
  TK3A60DAQM
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 9A POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 2W（Ta），50W（Tc） PowerFlat?（3.3x3.3）
  
  型号：STL10N3LLH5
  仓库库存编号：497-11843-1-ND
  别名：497-11843-1
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 10A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta），42A（Tc） 2W（Ta），35W（Tc） PowerDI3333-8
  
  型号：DMT10H015LFG-7
  仓库库存编号：DMT10H015LFG-7DICT-ND
  别名：DMT10H015LFG-7DICT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 80V 11A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：AO4444
  仓库库存编号：785-1197-1-ND
  别名：785-1197-1
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 58A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 58A（Tc） 94W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP126N10N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPP126N10N3GXKSA1-ND
  别名：IPP126N10N3 G
  IPP126N10N3 G-ND
  SP000683088
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 24A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 75W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP24N08
  仓库库存编号：FQP24N08-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Sanken
  MOSFET N-CH 40V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 116W（Tc） TO-220-3
  
  型号：EKI04036
  仓库库存编号：EKI04036-ND
  别名：EKI04036 DK
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 115W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP057N06N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPP057N06N3GXKSA1-ND
  别名：IPP057N06N3 G
  IPP057N06N3 G-ND
  IPP057N06N3G
  SP000680808
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 190W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP80N06S209AKSA2
  仓库库存编号：IPP80N06S209AKSA2-ND
  别名：SP001061400
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 11A TO262
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 272W（Tc） TO-262
  
  型号：AOW11N60
  仓库库存编号：785-1426-5-ND
  别名：785-1426-5
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 12V 35A 1212-8 PPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SIS452DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS452DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SIS452DN-T1-GE3CT
  
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.2A（Ta） 2.11W（Ta） TO-252-3
  
  型号：ZXMN10A25KTC
  仓库库存编号：ZXMN10A25KTCCT-ND
  别名：ZXMN10A25KTCCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 37.9W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF11N60L
  仓库库存编号：785-1435-5-ND
  别名：785-1435-5
  
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 100V 11.5A TO-220
  详细描述：通孔 P 沟道 11.5A（Tc） 75W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FQP12P10
  仓库库存编号：FQP12P10-ND
  
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 6.5A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 6.5A（Tc） 33W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF7N60NZT
  仓库库存编号：FDPF7N60NZT-ND
  
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Tc） 60W（Tc） DPAK
  
  型号：STD6N60M2
  仓库库存编号：497-13939-1-ND
  别名：497-13939-1
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 2.3A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 2.3A（Tc） 27W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF3N25
  仓库库存编号：FQPF3N25-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.7A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4848DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4848DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4848DY-T1-E3CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 10A CPT3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta） 20W（Tc） CPT3
  
  型号：RSD100N10TL
  仓库库存编号：RSD100N10TLCT-ND
  别名：RSD100N10TLCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 9A MPT6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 9A（Ta） 2W（Ta） MPT6
  
  型号：RP1E090RPTR
  仓库库存编号：RP1E090RPCT-ND
  别名：RP1E090RPCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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