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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 2.2A SSOT-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.2A（Ta） 960mW（Ta） SuperSOT?-6
  
  型号：FDC6392S
  仓库库存编号：FDC6392SCT-ND
  别名：FDC6392S_NLCT
  FDC6392S_NLCT-ND
  FDC6392SCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  无铅
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 400V 3.9A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9A（Tc） 52W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD5T40P
  仓库库存编号：785-1695-1-ND
  别名：785-1695-1
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 0.224A XLLGA3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 224mA（Ta） 120mW（Ta） 3-XLLGA（0.62x0.62）
  
  型号：NTNS3190NZT5G
  仓库库存编号：NTNS3190NZT5GOSCT-ND
  别名：NTNS3190NZT5GOSCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N CH 60V 20A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 42W（Tc） TO-252-3
  
  型号：DMN6040SK3-13
  仓库库存编号：DMN6040SK3-13DICT-ND
  别名：DMN6040SK3-13DICT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  含铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 7.8A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 7.8A（Tc） 2W（Ta），3W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：SI3447CDV-T1-GE3
  仓库库存编号：SI3447CDV-T1-GE3CT-ND
  别名：SI3447CDV-T1-GE3CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 5.6A POWERDI333
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.6A（Ta），18A（Tc） 930mW（Ta） PowerDI3333-8
  
  型号：DMN6069SFG-7
  仓库库存编号：DMN6069SFG-7DICT-ND
  别名：DMN6069SFG-7DICT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.3A（Tc） 1.25W（Ta），2.5W（Tc）
  
  型号：SI2324DS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2324DS-T1-GE3CT-ND
  别名：SI2324DS-T1-GE3CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 94W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80N04S403ATMA1
  仓库库存编号：IPB80N04S403ATMA1CT-ND
  别名：IPB80N04S403ATMA1CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 28A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Ta），32A（Tc） 5W（Ta），46W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6510
  仓库库存编号：785-1691-1-ND
  别名：785-1691-1
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5.4A（Tc） 2.5W（Ta），28W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD7P06TM
  仓库库存编号：FQD7P06TMCT-ND
  别名：FQD7P06TMCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P CH 30V 17A TO252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 17A（Ta） 1.7W（Ta） TO-252-3
  
  型号：DMP3010LK3-13
  仓库库存编号：DMP3010LK3-13DICT-ND
  别名：DMP3010LK3-13DICT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 9A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta），47A（Tc） 910mW（Ta），25.5W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4941NT1G
  仓库库存编号：NTMFS4941NT1GOSCT-ND
  别名：NTMFS4941NT1GOSCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 12A HSMT8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Ta） 2W（Ta） 8-HSMT（3.2x3）
  
  型号：RQ3E120ATTB
  仓库库存编号：RQ3E120ATTBCT-ND
  别名：RQ3E120ATTBCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 30V 11A 8TSON-ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 700mW（Ta），19W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
  
  型号：TPN11003NL,LQ
  仓库库存编号：TPN11003NLLQCT-ND
  别名：TPN11003NLLQCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 100V 15A VSONP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta） 2.8W（Ta）, 23W（Tc） 8-VSONP（3x3.15）
  
  型号：CSD19538Q3A
  仓库库存编号：296-44352-1-ND
  别名：296-44352-1
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 100V 2.3A/6A SOT223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.3A（Ta），6A（Tc） 2W（Ta）, 13.7W（Tc） SOT-223
  
  型号：DMP10H400SE-13
  仓库库存编号：DMP10H400SE-13DICT-ND
  别名：DMP10H400SE-13DICT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 30V 8A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：AO4411
  仓库库存编号：785-1284-1-ND
  别名：785-1284-1
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT-23-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.4A（Ta） 1.1W（Ta） SOT-23-6
  
  型号：ZXMN3A01E6TA
  仓库库存编号：ZXMN3A01E6CT-ND
  别名：ZXMN3A01E6CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 100V 2.3A SOT223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.3A（Ta），6A（Tc） 2W（Ta）, 13.7W（Tc） SOT-223
  
  型号：DMP10H400SEQ-13
  仓库库存编号：DMP10H400SEQ-13DICT-ND
  别名：DMP10H400SEQ-13DICT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 90V 360MA SOT89-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 360mA（Tj） 1.6W（Ta） TO-243AA（SOT-89）
  
  型号：DN1509N8-G
  仓库库存编号：DN1509N8-GCT-ND
  别名：DN1509N8-GCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 2.7A 4-WLCSP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.7A（Ta） 1.3W（Ta） 4-WLCSP（0.80x0.80）
  
  型号：FDZ663P
  仓库库存编号：FDZ663PCT-ND
  别名：FDZ663PCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 200V 0.2A SOT223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 200mA（Ta） 2W（Ta） SOT-223
  
  型号：ZVP2120GTA
  仓库库存编号：ZVP2120GCT-ND
  别名：ZVP2120GCT
  ZVP2120GTA-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 4A 6UDFN
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4A（Ta） 700mW（Ta） 6-UDFN（2x2）
  
  型号：NTLUS3A40PZTAG
  仓库库存编号：NTLUS3A40PZTAGOSCT-ND
  别名：NTLUS3A40PZTAGOSCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 2.7W（Tc） 8-SO
  
  型号：STS12N3LLH5
  仓库库存编号：497-12346-1-ND
  别名：497-12346-1
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO-251
  详细描述：通孔 N 沟道 2.4A（Tc） 22.3W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU60R2K0C6AKMA1
  仓库库存编号：IPU60R2K0C6AKMA1-ND
  别名：SP001399934
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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