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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 64A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 64A(Tc) 2.5W(Ta),46W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC066N06NSATMA1
仓库库存编号:
BSC066N06NSATMA1CT-ND
别名:BSC066N06NSATMA1CT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 103W(Tc) D2PAK
型号:
PSMN017-80BS,118
仓库库存编号:
1727-7209-1-ND
别名:1727-7209-1
568-9700-1
568-9700-1-ND
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 37A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 37A(Tc) 103W(Tc) D2PAK
型号:
PSMN027-100BS,118
仓库库存编号:
1727-7210-1-ND
别名:1727-7210-1
568-9701-1
568-9701-1-ND
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 70A TO-263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 70A(Tc) 79W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB042N03L G
仓库库存编号:
IPB042N03LGINCT-ND
别名:IPB042N03LGINCT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-263
详细描述:表面贴装 P 沟道 18.7A(Ta) 81.1W(Ta) PG-TO263-2
型号:
SPB18P06P G
仓库库存编号:
SPB18P06PGINCT-ND
别名:SPB18P06PGINCT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 660mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP149H6906XTSA1
仓库库存编号:
BSP149H6906XTSA1CT-ND
别名:BSP149H6906XTSA1CT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 10A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7416GTRPBF
仓库库存编号:
IRF7416GTRPBFCT-ND
别名:IRF7416GTRPBFCT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 56A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 56A(Tc) 99W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
IRFR7746TRPBF
仓库库存编号:
IRFR7746TRPBFCT-ND
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 23A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 23A(Tc) 99W(Tc) D2PAK
型号:
BUK9675-100A,118
仓库库存编号:
1727-7199-1-ND
别名:1727-7199-1
568-9688-1
568-9688-1-ND
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.1A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7815TRPBF
仓库库存编号:
IRF7815TRPBFCT-ND
别名:IRF7815TRPBFCT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.4A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7490TRPBF
仓库库存编号:
IRF7490TRPBFCT-ND
别名:IRF7490TRPBFCT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),69W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ0901NSI
仓库库存编号:
BSZ0901NSICT-ND
别名:BSZ0901NSICT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 23A(Ta). 100A(Tc) 2.5W(Ta),83W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC025N03MSGATMA1
仓库库存编号:
BSC025N03MSGATMA1CT-ND
别名:BSC025N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC025N03MSGINCT
BSC025N03MSGINCT-ND
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 53A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 53A(Tc) 138W(Tc) D2PAK
型号:
BUK7623-75A,118
仓库库存编号:
1727-7167-1-ND
别名:1727-7167-1
568-9652-1
568-9652-1-ND
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 67A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 67A(Tc) 157W(Tc) D2PAK
型号:
BUK9616-75B,118
仓库库存编号:
1727-4714-1-ND
别名:1727-4714-1
568-5864-1
568-5864-1-ND
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 100W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
IPC100N04S5L1R9ATMA1
仓库库存编号:
IPC100N04S5L1R9ATMA1CT-ND
别名:IPC100N04S5L1R9ATMA1CT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
N-CHANNEL_30/40V
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 100W(Tc) PG-TDSON-8-34
型号:
IPC100N04S51R9ATMA1
仓库库存编号:
IPC100N04S51R9ATMA1CT-ND
别名:IPC100N04S51R9ATMA1CT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 3.2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.2A(Tc) 38W(Tc) PG-TO252-3-1
型号:
SPD03N50C3ATMA1
仓库库存编号:
SPD03N50C3ATMA1CT-ND
别名:SPD03N50C3ATMA1CT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 3.2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.2A(Tc) 38W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD03N50C3
仓库库存编号:
SPD03N50C3INCT-ND
别名:SPD03N50C3INCT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
含铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 90A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 158W(Tc) DPAK
型号:
BUK624R5-30C,118
仓库库存编号:
1727-5512-1-ND
别名:1727-5512-1
568-6991-1
568-6991-1-ND
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
含铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 157W(Tc) DPAK
型号:
BUK724R5-30C,118
仓库库存编号:
1727-4698-1-ND
别名:1727-4698-1
568-5846-1
568-5846-1-ND
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
含铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 90A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 158W(Tc) DPAK
型号:
BUK6207-55C,118
仓库库存编号:
1727-5501-1-ND
别名:1727-5501-1
568-6978-1
568-6978-1-ND
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 85A 6-PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 85A(Tc) 83W(Tc) PQFN(5x6)
型号:
IRFH7545TRPBF
仓库库存编号:
IRFH7545TRPBFCT-ND
别名:IRFH7545TRPBFCT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD30N08S2L21ATMA1
仓库库存编号:
IPD30N08S2L21ATMA1CT-ND
别名:IPD30N08S2L-21CT
IPD30N08S2L-21CT-ND
IPD30N08S2L21ATMA1CT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 28A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 28A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),69W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC0901NSI
仓库库存编号:
BSC0901NSICT-ND
别名:BSC0901NSICT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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