规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 7.6A PG-TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.6A(Tc) 57W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50R500CEBTMA1
仓库库存编号:
IPD50R500CEBTMA1CT-ND
别名:IPD50R500CEIN
IPD50R500CEIN-ND
IPD50R500CEINCT
IPD50R500CEINCT-ND
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 78A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 78A(Tc) 128W(Tc) DPAK
型号:
BUK6210-55C,118
仓库库存编号:
1727-5503-1-ND
别名:1727-5503-1
568-6981-1
568-6981-1-ND
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 50W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ110N08NS5ATMA1
仓库库存编号:
BSZ110N08NS5ATMA1CT-ND
别名:BSZ110N08NS5ATMA1CT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 42A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR2905ZTRPBF
仓库库存编号:
IRFR2905ZPBFCT-ND
别名:*IRFR2905ZTRPBF
IRFR2905ZPBFCT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 9.4A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.4A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7468TRPBF
仓库库存编号:
IRF7468PBFCT-ND
别名:*IRF7468TRPBF
IRF7468PBFCT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 5A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Tc) 33.8W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ42DN25NS3 G
仓库库存编号:
BSZ42DN25NS3 GCT-ND
别名:BSZ42DN25NS3 GCT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Tc) 34W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ22DN20NS3 G
仓库库存编号:
BSZ22DN20NS3GCT-ND
别名:BSZ22DN20NS3GCT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 2A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
AUIRLL014NTR
仓库库存编号:
AUIRLL014NTRCT-ND
别名:AUIRLL014NTRCT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
N-CHANNEL_100+
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 71W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD35N12S3L24ATMA1
仓库库存编号:
IPD35N12S3L24ATMA1CT-ND
别名:IPD35N12S3L24ATMA1CT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 47A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 47A(Tc) 167W(Tc) DPAK
型号:
BUK9230-100B,118
仓库库存编号:
1727-4708-1-ND
别名:1727-4708-1
568-5858-1
568-5858-1-ND
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 70A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 70A(Tc) 158W(Tc) DPAK
型号:
BUK7214-75B,118
仓库库存编号:
1727-4696-1-ND
别名:1727-4696-1
568-5844-1
568-5844-1-ND
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 48A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 48A(Tc) 167W(Tc) DPAK
型号:
BUK7227-100B,118
仓库库存编号:
1727-4697-1-ND
别名:1727-4697-1
568-5845-1
568-5845-1-ND
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7862TRPBF
仓库库存编号:
IRF7862TRPBFCT-ND
别名:IRF7862TRPBFCT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 28A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),69W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC0901NS
仓库库存编号:
BSC0901NSCT-ND
别名:BSC0901NSCT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Tc) 3.8W(Ta),70W(Tc) D2PAK
型号:
IRF530NSTRLPBF
仓库库存编号:
IRF530NSTRLPBFCT-ND
别名:IRF530NSTRLPBFCT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 89A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 89A(Tc) 195W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK7Y9R9-80EX
仓库库存编号:
1727-1489-1-ND
别名:1727-1489-1
568-10969-1
568-10969-1-ND
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3-313
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 94W(Tc) PG-TO252-3-313
型号:
IPD90N04S403ATMA1
仓库库存编号:
IPD90N04S403ATMA1CT-ND
别名:IPD90N04S403ATMA1CT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 73A
详细描述:表面贴装 N 沟道 73A(Tc) 100W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD096N08N3GATMA1
仓库库存编号:
IPD096N08N3GATMA1CT-ND
别名:IPD096N08N3GATMA1CT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 194W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN1R2-30YLDX
仓库库存编号:
1727-1860-1-ND
别名:1727-1860-1
568-11556-1
568-11556-1-ND
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 2.1W(Ta),69W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ042N04NS G
仓库库存编号:
BSZ042N04NSGATMA1CT-ND
别名:BSZ042N04NSGINCT
BSZ042N04NSGINCT-ND
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 21A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Ta),98A(Tc) 2.5W(Ta),52W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC032N04LSATMA1
仓库库存编号:
BSC032N04LSATMA1CT-ND
别名:BSC032N04LSATMA1CT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH TO252-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 73A(Tc) 75W(Tc) PG-TO252-3-313
型号:
IPD70P04P409ATMA1
仓库库存编号:
IPD70P04P409ATMA1CT-ND
别名:IPD70P04P409ATMA1CT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 18.6A(Tc) 80W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD18P06P G
仓库库存编号:
SPD18P06P GCT-ND
别名:SPD18P06P GCT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 51A(Tc) 80W(Tc) D2PAK
型号:
IRLZ44ZSTRLPBF
仓库库存编号:
IRLZ44ZSTRLPBFCT-ND
别名:IRLZ44ZSTRLPBFCT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55A(Tc) 107W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3103TRPBF
仓库库存编号:
IRLR3103PBFCT-ND
别名:*IRLR3103TRPBF
IRLR3103PBFCT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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