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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 27A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 27A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF6201TRPBF
仓库库存编号:
IRF6201TRPBFCT-ND
别名:IRF6201TRPBFCT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 16A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),37W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ036NE2LS
仓库库存编号:
BSZ036NE2LSCT-ND
别名:BSZ036NE2LSCT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 48W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
IPZ40N04S55R4ATMA1
仓库库存编号:
IPZ40N04S55R4ATMA1CT-ND
别名:IPZ40N04S55R4ATMA1CT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7413TRPBF
仓库库存编号:
IRF7413PBFCT-ND
别名:*IRF7413TRPBF
IRF7413PBFCT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 42A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR2905ZTRPBF
仓库库存编号:
IRLR2905ZTRPBFCT-ND
别名:IRLR2905ZTRPBFCT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 75A TO252-3-313
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 58W(Tc) PG-TO252-3-313
型号:
IPD75N04S406ATMA1
仓库库存编号:
IPD75N04S406ATMA1CT-ND
别名:IPD75N04S406ATMA1CT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 31A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 31A(Tc) 3W(Ta),110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3410TRLPBF
仓库库存编号:
IRFR3410TRLPBFCT-ND
别名:IRFR3410TRLPBFCT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 45A
详细描述:N 沟道 45A(Tc) 79W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD135N08N3GATMA1
仓库库存编号:
IPD135N08N3GATMA1CT-ND
别名:IPD135N08N3GATMA1CT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 79W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD079N06L3 G
仓库库存编号:
IPD079N06L3 GCT-ND
别名:IPD079N06L3 GCT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7807TRPBF
仓库库存编号:
IRF7807PBFCT-ND
别名:*IRF7807TRPBF
IRF7807PBFCT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 179W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN1R5-30YLC,115
仓库库存编号:
1727-5297-1-ND
别名:1727-5297-1
568-6727-1
568-6727-1-ND
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.4A(Tc) 37W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R950C6ATMA1
仓库库存编号:
IPD60R950C6ATMA1CT-ND
别名:IPD60R950C6ATMA1CT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 109W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN1R7-30YL,115
仓库库存编号:
1727-4162-1-ND
别名:1727-4162-1
568-4678-1
568-4678-1-ND
PSMN1R730YL115
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 700V 20.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.5A(Tc) 43W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD70R600P7SAUMA1
仓库库存编号:
IPD70R600P7SAUMA1CT-ND
别名:IPD70R600P7SAUMA1CT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 21A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Ta),40A(Tc) 2.5W(Ta),48W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ0902NSI
仓库库存编号:
BSZ0902NSICT-ND
别名:BSZ0902NSICT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 30V 32A PQFN5X6
详细描述:表面贴装 N 沟道 32A(Ta),169A(Tc) 3.6W(Ta),96W(Tc) PQFN(5x6)
型号:
IRFH8311TRPBF
仓库库存编号:
IRFH8311TRPBFCT-ND
别名:IRFH8311TRPBFCT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 86W(Tc) D2PAK
型号:
PSMN015-60BS,118
仓库库存编号:
1727-7207-1-ND
别名:1727-7207-1
568-9698-1
568-9698-1-ND
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 190mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP300H6327XUSA1
仓库库存编号:
BSP300H6327XUSA1CT-ND
别名:BSP300H6327XUSA1CT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MV POWER MOS
详细描述:表面贴装 N 沟道 43A(Tc) 71W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD180N10N3GATMA1
仓库库存编号:
IPD180N10N3GATMA1TR-ND
别名:IPD180N10N3GATMA1-ND
IPD180N10N3GATMA1TR
SP000900132
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MV POWER MOS
详细描述:表面贴装 N 沟道 43A(Tc) 71W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD180N10N3GATMA1
仓库库存编号:
IPD180N10N3GATMA1CT-ND
别名:IPD180N10N3GATMA1CT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MV POWER MOS
详细描述:表面贴装 N 沟道 43A(Tc) 71W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD180N10N3GATMA1
仓库库存编号:
IPD180N10N3GATMA1DKR-ND
别名:IPD180N10N3GATMA1DKR
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 32A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 32A(Tc) 130W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3411TRPBF
仓库库存编号:
IRFR3411TRPBFCT-ND
别名:IRFR3411TRPBFCT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 13A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Tc) 38W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ900N15NS3 G
仓库库存编号:
BSZ900N15NS3 GCT-ND
别名:BSZ900N15NS3 GCT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 15A
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Ta),80A(Tc) 3.6W(Ta),104W(Tc) PQFN(5x6)
型号:
IRFH7191TRPBF
仓库库存编号:
IRFH7191TRPBFCT-ND
别名:IRFH7191TRPBFCT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 7A 8DSO
详细描述:表面贴装 P 沟道 7A(Ta) 1.6W(Ta) P-DSO-8
型号:
BSO203SP H
仓库库存编号:
BSO203SP HCT-ND
别名:BSO203SP HCT
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