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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.5A(Ta) 1.8W(Ta) Micro8?
型号:
IRF7607TRPBF
仓库库存编号:
IRF7607TRPBFCT-ND
别名:IRF7607TRPBFCT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 3.6A MICRO8
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.6A(Ta) 1.8W(Ta) Micro8?
型号:
IRF7606TRPBF
仓库库存编号:
IRF7606TRPBFCT-ND
别名:IRF7606TRPBFCT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.7A(Ta) 1.8W(Ta) Micro8?
型号:
IRF7601TRPBF
仓库库存编号:
IRF7601TRPBFCT-ND
别名:IRF7601TRPBFCT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 25A PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 19A(Ta) 2.8W(Ta),37W(Tc)
型号:
IRFHM8326TRPBF
仓库库存编号:
IRFHM8326TRPBFCT-ND
别名:IRFHM8326TRPBFCT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V MLFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 62W(Tc) LFPAK33
型号:
BUK7M27-80EX
仓库库存编号:
1727-2561-1-ND
别名:1727-2561-1
568-13005-1
568-13005-1-ND
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 700V 5.4A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.4A(Tc) 53W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD70R1K4CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD70R1K4CEAUMA1CT-ND
别名:IPD70R1K4CEAUMA1CT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 0.7A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 700mA(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF6217TRPBF
仓库库存编号:
IRF6217TRPBFCT-ND
别名:IRF6217TRPBFCT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 6A(Ta) 2W(Ta) P-TSOP6-6
型号:
BSL207SPH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSL207SPH6327XTSA1CT-ND
别名:BSL207SPH6327XTSA1CT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Ta),35A(Tc) 2.1W(Ta),25W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ130N03MS G
仓库库存编号:
BSZ130N03MSGINCT-ND
别名:BSZ130N03MSGINCT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 38A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 38A(Tc) 62W(Tc) LFPAK33
型号:
BUK9M19-60EX
仓库库存编号:
1727-2574-1-ND
别名:1727-2574-1
568-13018-1
568-13018-1-ND
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 65A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Ta),65A(Tc) 2.5W(Ta),39W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC886N03LSGATMA1
仓库库存编号:
BSC886N03LSGATMA1CT-ND
别名:BSC886N03LS GCT
BSC886N03LS GCT-ND
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 500V 5A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Tc) 60W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50R800CEATMA1
仓库库存编号:
IPD50R800CEATMA1CT-ND
别名:IPD50R800CEATMA1CT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 9A(Ta),39.5A(Tc) 2.1W(Ta),40W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ180P03NS3EGATMA1
仓库库存编号:
BSZ180P03NS3EGATMA1CT-ND
别名:BSZ180P03NS3EGATMA1CT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 60W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD30N03S2L20ATMA1
仓库库存编号:
IPD30N03S2L20ATMA1CT-ND
别名:IPD30N03S2L20ATMA1CT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 5A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Tc) 49W(Tc) PG-TO-252
型号:
IPD60R1K5CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD60R1K5CEAUMA1TR-ND
别名:IPD60R1K5CEAUMA1-ND
IPD60R1K5CEAUMA1TR
SP001396902
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 5A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Tc) 49W(Tc) PG-TO-252
型号:
IPD60R1K5CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD60R1K5CEAUMA1CT-ND
别名:IPD60R1K5CEAUMA1CT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 5A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Tc) 49W(Tc) PG-TO-252
型号:
IPD60R1K5CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD60R1K5CEAUMA1DKR-ND
别名:IPD60R1K5CEAUMA1DKR
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V LFPAK56
详细描述:表面贴装 N 沟道 37A(Tc) 95W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN025-80YLX
仓库库存编号:
1727-2594-1-ND
别名:1727-2594-1
568-13045-1
568-13045-1-ND
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 26A 8PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 26A(Ta),85A(Tc) 3.6W(Ta),104W(Tc) 8-PQFN(5x6)
型号:
IRLH7134TRPBF
仓库库存编号:
IRLH7134TRPBFCT-ND
别名:IRLH7134TRPBFCT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.3A(Tc) 2.5W(Tc) 8-SO
型号:
IRF7201TRPBF
仓库库存编号:
IRF7201PBFCT-ND
别名:*IRF7201TRPBF
IRF7201PBFCT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 12V 6WLCSP
详细描述:表面贴装 P 沟道 6.2A(Ta) 556mW(Ta), 12.5W(Tc) 6-WLCSP(1.48x.98)
型号:
PMCM6501VPEZ
仓库库存编号:
1727-2689-1-ND
别名:1727-2689-1
568-13208-1
568-13208-1-ND
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 11A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 36W(Tc) DPAK
型号:
BUK72150-55A,118
仓库库存编号:
1727-7151-1-ND
别名:1727-7151-1
568-9634-1
568-9634-1-ND
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 16A 8PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Ta) 3W(Ta),30W(Tc) 8-PQFN(3.3x3.3),Power33
型号:
IRFHM8235TRPBF
仓库库存编号:
IRFHM8235TRPBFCT-ND
别名:IRFHM8235TRPBFCT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 37.7A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 37.7A(Tc) 59.4W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK9Y22-30B,115
仓库库存编号:
1727-4615-1-ND
别名:1727-4615-1
568-5527-1
568-5527-1-ND
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 39.5A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 39.5A(Tc) 59W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK7Y20-30B,115
仓库库存编号:
1727-4607-1-ND
别名:1727-4607-1
568-5517-1
568-5517-1-ND
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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