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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 4.5A SC70-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Tc） 3.4W（Ta），17.9W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
  
  型号：SIA408DJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA408DJ-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA408DJ-T1-GE3CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 40V 4.8A PS-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.8A（Ta） 840mW（Ta） PS-8 (2.9x2.4)
  
  型号：TPCP8103-H(TE85LFM
  仓库库存编号：TPCP8103-H(TE85LFMCT-ND
  别名：TPCP8103-H(TE85LFMCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 80V 50A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 2.6W（Ta） TO-252
  
  型号：DMTH8012LK3-13
  仓库库存编号：DMTH8012LK3-13DICT-ND
  别名：DMTH8012LK3-13DICT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 13A（Tc） 2.5W（Ta），5.6W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4835DDY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4835DDY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4835DDY-T1-E3CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 1.8A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.8A（Ta） 1.14W（Ta） 6-TSOP
  
  型号：SI3430DV-T1-GE3
  仓库库存编号：SI3430DV-T1-GE3CT-ND
  别名：SI3430DV-T1-GE3CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 19A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta），42A（Tc） 2.5W（Ta），46W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
  
  型号：FDMS0310S
  仓库库存编号：FDMS0310SCT-ND
  别名：FDMS0310SCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 150V 0.8A 3SSOT
  详细描述：表面贴装 P 沟道 800mA（Ta） 1.5W（Ta） SuperSOT-3
  
  型号：FDN86265P
  仓库库存编号：FDN86265PCT-ND
  别名：FDN86265PCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 60V 7.2A TO252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 7.2A（Ta），23.6A（Tc） 1.9W（Ta） TO-252
  
  型号：DMPH6050SK3Q-13
  仓库库存编号：DMPH6050SK3Q-13DICT-ND
  别名：DMPH6050SK3Q-13DICT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.6A（Ta），31A（Tc） 1.16W（Ta） PowerDI5060-8
  
  型号：DMT6015LPS-13
  仓库库存编号：DMT6015LPS-13DICT-ND
  别名：DMT6015LPS-13DICT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 5.5A SSOT-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.5A（Ta） 1.6W（Ta） SuperSOT?-6
  
  型号：FDC645N
  仓库库存编号：FDC645NCT-ND
  别名：FDC645NCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 25.7A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 25.7A（Tc） 6W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4101DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4101DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4101DY-T1-GE3CT
  
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 5W（Ta），37.9W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7686DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7686DP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7686DP-T1-E3CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 700V 12.8A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 30.5W（Tc） PG-TO251
  
  型号：IPS70R900P7SAKMA1
  仓库库存编号：IPS70R900P7SAKMA1-ND
  别名：SP001499716
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 5W（Ta），48W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7149ADP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7149ADP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7149ADP-T1-GE3CT
  
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 90A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 65W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：FDD050N03B
  仓库库存编号：FDD050N03BCT-ND
  别名：FDD050N03BCT
  
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 8-MLP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12.5A（Ta），18A（Tc） 2.3W（Ta），27W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3）
  
  型号：FDMC7692S
  仓库库存编号：FDMC7692SCT-ND
  别名：FDMC7692SCT
  
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 6A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 30W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD6NF10T4
  仓库库存编号：497-7974-1-ND
  别名：497-7974-1
  
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 1.8A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.8A（Ta） 1.14W（Ta） 6-TSOP
  
  型号：SI3430DV-T1-E3
  仓库库存编号：SI3430DV-T1-E3CT-ND
  别名：SI3430DV-T1-E3CT
  
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 20A TP-FA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 1W（Ta），23W（Tc） TP-FA
  
  型号：SFT1446-TL-H
  仓库库存编号：SFT1446-TL-HOSCT-ND
  别名：SFT1446-TL-HOSCT
  
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 1.6A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 1.6A（Tc） 2.5W（Ta），30W（Tc） I-Pak
  
  型号：FQU2N50BTU_WS
  仓库库存编号：FQU2N50BTU_WS-ND
  
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V PWR33
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta），15A（Tc） 2.3W（Ta），18W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3）
  
  型号：FDMC8884_F126
  仓库库存编号：FDMC8884_F126CT-ND
  别名：FDMC8884_F126CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 30A SO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 48W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJA00EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJA00EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJA00EP-T1_GE3CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 27A SO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 27A（Tc） 45W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJ416EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ416EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJ416EP-T1_GE3CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 4.6A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 4.6A（Tc） 2.5W（Ta），40W（Tc） I-Pak
  
  型号：IRFU220BTU_AM002
  仓库库存编号：IRFU220BTU_AM002-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 2.5W（Tc） 8-SO
  
  型号：STS11NF30L
  仓库库存编号：497-4121-1-ND
  别名：497-4121-1
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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