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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 60A SO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 48W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJ860EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ860EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJ860EP-T1_GE3CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252-5L
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.8A（Tc） 14.9W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：FDD1600N10ALZD
  仓库库存编号：FDD1600N10ALZDCT-ND
  别名：FDD1600N10ALZDCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS8876
  仓库库存编号：FDS8876CT-ND
  别名：FDS8876CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 6A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 73W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FQP6N40C
  仓库库存编号：FQP6N40C-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 45A 8-SOP ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 45A（Ta） 1.6W（Ta），45W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPCA8026(TE12L,Q,M
  仓库库存编号：TPCA8026TE12LQMCT-ND
  别名：TPCA8026TE12LQM
  TPCA8026TE12LQMCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 200V 3.7A IPAK
  详细描述：通孔 P 沟道 3.7A（Tc） 2.5W（Ta），45W（Tc） I-Pak
  
  型号：FQU5P20TU
  仓库库存编号：FQU5P20TU-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  无铅
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 3.3W（Tc） SOT-223
  
  型号：STN3NF06
  仓库库存编号：497-4764-1-ND
  别名：497-4764-1
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 7A 8-HUML
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta） 2W（Ta） HUML2020L8
  
  型号：RF4E070BNTR
  仓库库存编号：RF4E070BNTRCT-ND
  别名：RF4E070BNTRCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 17.6A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17.6A（Tc） 41.7W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS5362L_F085
  仓库库存编号：FDMS5362L_F085CT-ND
  别名：FDMS5362L_F085CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 7.2A（Tc） 68W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA65R1K0CEXKSA1
  仓库库存编号：IPA65R1K0CEXKSA1-ND
  别名：SP001429758
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 23A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Tc） 83W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD6415ANLT4G
  仓库库存编号：NTD6415ANLT4GOSCT-ND
  别名：NTD6415ANLT4GOSCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 60V 50A 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Ta） 3.2W（Ta），75W（Tc） 8-VSON（5x6）
  
  型号：CSD18537NQ5AT
  仓库库存编号：296-37747-1-ND
  别名：296-37747-1
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  含铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6.6A（Tc） 2.5W（Ta），44W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD8P10TM_F085
  仓库库存编号：FQD8P10TM_F085CT-ND
  别名：FQD8P10TM_F085CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 25V 40A 8-MLP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16.5A（Ta），40A（Tc） 2.4W（Ta），26W（Tc） Power33
  
  型号：FDMC8588
  仓库库存编号：FDMC8588CT-ND
  别名：FDMC8588CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19.3A（Tc） 2.5W（Ta），5W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4162DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4162DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4162DY-T1-GE3CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 92A PWRFLAT8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 92A（Tc） 2.9W（Ta），50W（Tc） PowerFlat?（3.3x3.3）
  
  型号：STL23NS3LLH7
  仓库库存编号：497-16040-1-ND
  别名：497-16040-1
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 50V 5.3A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5.3A（Tc） 25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9010TRPBF
  仓库库存编号：IRFR9010PBFCT-ND
  别名：*IRFR9010TRPBF
  IRFR9010PBFCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 25V 35A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 50W（Tc） TO-252AA
  
  型号：FDD8782
  仓库库存编号：FDD8782CT-ND
  别名：FDD8782CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 4A 3X3 MLP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Ta） 1.7W（Ta） MicroFET 3x3mm
  
  型号：FDFM2N111
  仓库库存编号：FDFM2N111CT-ND
  别名：FDFM2N111CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V 17A 8TSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 700mW（Ta），30W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
  
  型号：TPN11006NL,LQ
  仓库库存编号：TPN11006NLLQCT-ND
  别名：TPN11006NLLQCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 4.5A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Ta） 2.5W（Ta），5W（Tc） 8-SO
  
  型号：FDS86252
  仓库库存编号：FDS86252CT-ND
  别名：FDS86252CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 16A 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 16A（Tc） 53W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SQ7415AEN-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ7415AEN-T1_GE3TR-ND
  别名：SQ7415AEN-T1-GE3
  SQ7415AEN-T1-GE3TR
  SQ7415AEN-T1-GE3TR-ND
  SQ7415AEN-T1_GE3TR
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP.,
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.5A（Tc） 45W（Tc） DPAK
  
  型号：STD5N60DM2
  仓库库存编号：497-16928-1-ND
  别名：497-16928-1
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 55A D-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12.6A（Ta），55A（Tc） 55W（Tc） TO-252AA
  
  型号：FDD8882
  仓库库存编号：FDD8882CT-ND
  别名：FDD8882CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET P-CH 30V 12A
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Tc） 33W（Tc） DPAK
  
  型号：STD28P3LLH6AG
  仓库库存编号：497-16301-1-ND
  别名：497-16301-1
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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