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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 11A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 2.5W(Ta),28W(Tc) D-Pak
型号:
FQD13N06LTM
仓库库存编号:
FQD13N06LTMCT-ND
别名:FQD13N06LTMCT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Rohm Semiconductor
NCH 60V 12A MIDDLE POWER MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 14.8W(Tc) 8-HSMT(3.2x3)
型号:
RQ3L050GNTB
仓库库存编号:
RQ3L050GNTBCT-ND
别名:RQ3L050GNTBCT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 3.7A MLP2X2
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.7A(Ta) 1.4W(Tj) 6-MicroFET(2x2)
型号:
FDFMA2N028Z
仓库库存编号:
FDFMA2N028ZCT-ND
别名:FDFMA2N028ZCT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 30V 15A 8SOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Tc) 1W(Tc) 8-SOP
型号:
TP89R103NL,LQ
仓库库存编号:
TP89R103NLLQCT-ND
别名:TP89R103NLLQCT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 19.5A 8-SO
详细描述:表面贴装 P 沟道 19.5A(Tc) 1.4W(Ta) 8-SO
型号:
DMP3036SSS-13
仓库库存编号:
DMP3036SSS-13DICT-ND
别名:DMP3036SSS-13DICT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.3A(Ta),45A(Tc) 1W(Ta) PowerDI3333-8
型号:
DMN6013LFG-7
仓库库存编号:
DMN6013LFG-7DICT-ND
别名:DMN6013LFG-7DICT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.7A(Ta) 2W(Ta) SOT-223
型号:
ZXMN10A11GTA
仓库库存编号:
ZXMN10A11GCT-ND
别名:ZXMN10A11GCT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 39A DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 39A(Ta),85A(Tc) 6.2W(Ta),42W(Tc) 8-DFN(5x6)
型号:
AON6794
仓库库存编号:
785-1745-1-ND
别名:785-1745-1
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 45A POWERDI
详细描述:表面贴装 P 沟道 13.2A(Ta) 1.29W(Ta) PowerDI5060-8
型号:
DMP3012LPS-13
仓库库存编号:
DMP3012LPS-13DICT-ND
别名:DMP3012LPS-13DICT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Panasonic Electronic Components
MOSFET N-CH 20V 4.5A WSMINI6
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.5A(Ta) 700mW(Ta) WS迷你型6-F1-B
型号:
FK6K02010L
仓库库存编号:
FK6K02010LCT-ND
别名:FK6K02010LCT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 40V 6.7A TO252
详细描述:表面贴装 P 沟道 6.7A(Ta) 1.7W(Ta) TO-252-3
型号:
DMP4025LK3-13
仓库库存编号:
DMP4025LK3-13DICT-ND
别名:DMP4025LK3-13DICT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.6A(Ta) 1.1W(Ta) SOT-26
型号:
ZXMN10B08E6TA
仓库库存编号:
ZXMN10B08E6CT-ND
别名:ZXMN10B08E6CT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET P-CH 60V SOT-223
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.6W(Tc) SOT-223
型号:
STN3P6F6
仓库库存编号:
497-13537-1-ND
别名:497-13537-1
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 6-MICROFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 7.8A(Ta) 2.4W(Ta) 6-MicroFET(2x2)
型号:
FDMA507PZ
仓库库存编号:
FDMA507PZCT-ND
别名:FDMA507PZCT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 40V 30A ATPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 30A(Ta) 40W(Tc) ATPAK
型号:
ATP106-TL-H
仓库库存编号:
869-1075-1-ND
别名:869-1075-1
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Tc) 29.8W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR172DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR172DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR172DP-T1-GE3CT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Central Semiconductor Corp
MOSFET N-CH 20V 1A SOT563
详细描述:表面贴装 N 沟道 1A(Ta) 150mW(Ta) SOT-563
型号:
CMLDM7120G TR
仓库库存编号:
CMLDM7120G CT-ND
别名:CMLDM7120G CT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 20A 8-HSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta) 3W(Ta),25.1W(Tc) 8-HSOP
型号:
RS1E200GNTB
仓库库存编号:
RS1E200GNTBCT-ND
别名:RS1E200GNTBCT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 19.3A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 19.3A(Tc) 2.5W(Ta),5.7W(Tc)
型号:
SI4048DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4048DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4048DY-T1-GE3CT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 18A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 37W(Tc) TO-252
型号:
DMN10H100SK3-13
仓库库存编号:
DMN10H100SK3-13DICT-ND
别名:DMN10H100SK3-13DICT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 3A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Tc) 2.5W(Ta),30W(Tc) D-Pak
型号:
FQD4N20TM
仓库库存编号:
FQD4N20TMFSCT-ND
别名:FQD4N20TMFSCT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.3A(Ta) 750mW(Ta)
型号:
SI2319DS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2319DS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2319DS-T1-GE3CT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 150V 1.7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.7A(Ta) 2.2W(Ta) TO-252-3
型号:
ZXMN15A27KTC
仓库库存编号:
ZXMN15A27KTCCT-ND
别名:ZXMN15A27KTCCT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 700V 8.2A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 22.7W(Tc) PG-TO251
型号:
IPS70R1K4P7SAKMA1
仓库库存编号:
IPS70R1K4P7SAKMA1-ND
别名:SP001499706
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 100V 0.6A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 600mA(Ta) 625mW(Ta) SOT-23
型号:
ZXMP10A13FQTA
仓库库存编号:
ZXMP10A13FQTADICT-ND
别名:ZXMP10A13FQTADICT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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