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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 12A HSMT8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 2W（Ta） 8-HSMT（3.2x3）
  
  型号：RQ3E120BNTB
  仓库库存编号：RQ3E120BNTBCT-ND
  别名：RQ3E120BNTBCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Texas Instruments
  MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.6A（Ta） 1W（Ta） 4-DSBGA（1x1）
  
  型号：CSD25213W10
  仓库库存编号：296-40004-1-ND
  别名：296-40004-1
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 12V MICROFOOT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500mW（Ta） 4-Microfoot
  
  型号：SI8806DB-T2-E1
  仓库库存编号：SI8806DB-T2-E1CT-ND
  别名：SI8806DB-T2-E1CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 17.1A VDFN30308
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17.1A（Ta），46.2A（Tc） 1.1W（Ta） V-DFN3030-8
  
  型号：DMT3006LDK-7
  仓库库存编号：DMT3006LDK-7DICT-ND
  别名：DMT3006LDK-7DICT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 9.8A 8SO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.8A（Ta） 1.54W（Ta） 8-SO
  
  型号：DMS3016SSS-13
  仓库库存编号：DMS3016SSS-13DICT-ND
  别名：DMS3016SSS-13DICT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
  详细描述：表面贴装 P 沟道 500mW（Ta） 4-Microfoot
  
  型号：SI8817DB-T2-E1
  仓库库存编号：SI8817DB-T2-E1CT-ND
  别名：SI8817DB-T2-E1CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 470mA（Ta） 390mW（Ta） SOT-23
  
  型号：DMN61D8LQ-7
  仓库库存编号：DMN61D8LQ-7DICT-ND
  别名：DMN61D8LQ-7DICT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 10.8A PWRDI8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.8A（Ta） 1.18W（Ta） PowerDI5060-8
  
  型号：DMN3016LPS-13
  仓库库存编号：DMN3016LPS-13DICT-ND
  别名：DMN3016LPS-13DICT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 3.3A SOT89
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.2A（Ta） 970mW（Ta） SOT-89
  
  型号：ZXMN3A01ZTA
  仓库库存编号：ZXMN3A01ZTADICT-ND
  别名：ZXMN3A01ZTADICT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.8A（Ta） 420mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：NTR4101PT1H
  仓库库存编号：NTR4101PT1HOSCT-ND
  别名：NTR4101PT1HOSCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.8A（Tc） 1.25W（Ta），2.1W（Tc）
  
  型号：SI2366DS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2366DS-T1-GE3CT-ND
  别名：SI2366DS-T1-GE3CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 6.5A 6-SSOT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Ta），8A（Tc） 1.6W（Ta） 6-SSOT
  
  型号：FDC8886
  仓库库存编号：FDC8886CT-ND
  别名：FDC8886CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-DFN
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.5A（Ta） 530mW（Ta） DFN2015H4-3
  
  型号：DMP2069UFY4-7
  仓库库存编号：DMP2069UFY4-7DICT-ND
  别名：DMP2069UFY4-7DICT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 2A SSOT-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3
  
  型号：FDN327N
  仓库库存编号：FDN327NCT-ND
  别名：FDN327NCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 750MA DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 750mA（Ta） 470mW（Ta） 3-DFN
  
  型号：DMN3730UFB-7
  仓库库存编号：DMN3730UFB-7CT-ND
  别名：DMN3730UFB-7CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 80V 10A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：AO4448
  仓库库存编号：AO4448-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 2.5A WEMT6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.5A（Ta） 700mW（Ta） 6-WEMT
  
  型号：RW1C026ZPT2CR
  仓库库存编号：RW1C026ZPT2CRCT-ND
  别名：RW1C026ZPT2CRCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT-363
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9A（Tc） 2.8W（Tc） SOT-363
  
  型号：SI1416EDH-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1416EDH-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1416EDH-T1-GE3CT
  
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 20V 1.2A SC59-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.2A（Ta） 500mW（Ta） SC-59-3
  
  型号：DMN2114SN-7
  仓库库存编号：DMN2114SNDICT-ND
  别名：DMN2114SNDICT
  
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.2A（Tc） 1.15W（Ta） TSOT-26
  
  型号：DMN2026UVT-7
  仓库库存编号：DMN2026UVT-7DICT-ND
  别名：DMN2026UVT-7DICT
  
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  MOSFET N-CH 60V 540MA 3-DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 540mA（Ta） 430mW（Ta） X1-DFN1212-3
  
  型号：DMN62D0SFD-7
  仓库库存编号：DMN62D0SFD-7DICT-ND
  别名：DMN62D0SFD-7DICT
  
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  MOSFET P-CH 8V 1.4A SOT-323
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.4A（Ta） 290mW（Ta） SC-70-3（SOT323）
  
  型号：NTS2101PT1G
  仓库库存编号：NTS2101PT1GOSCT-ND
  别名：NTS2101PT1GOSCT
  
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 20V 1.2A SC59-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.2A（Ta） 500mW（Ta） SC-59-3
  
  型号：DMN2112SN-7
  仓库库存编号：DMN2112SNDICT-ND
  别名：DMN2112SNDICT
  
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 16A 8HSMT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta） 2W（Ta） 8-HSMT（3.2x3）
  
  型号：RQ3E160ADTB
  仓库库存编号：RQ3E160ADTBCT-ND
  别名：RQ3E160ADTBCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 200V 8.8A 8HVSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.8A（Tc） 50W（Tc） 8-DFN3333（3.3x3.3）
  
  型号：PML260SN,118
  仓库库存编号：1727-7220-1-ND
  别名：1727-7220-1
  568-9716-1
  568-9716-1-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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