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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.8A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP372NH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSP372NH6327XTSA1CT-ND
别名:BSP372NH6327XTSA1CT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 11A TO252-3L
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Ta) 1.68W(Ta) TO-252-3
型号:
DMG8880LK3-13
仓库库存编号:
DMG8880LK3-13DICT-ND
别名:DMG8880LK3-13DICT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506
详细描述:表面贴装 N 沟道 55A(Tc) 1.6W(Ta), 53W(Tc) PowerDI5060-8
型号:
DMNH6021SPSQ-13
仓库库存编号:
DMNH6021SPSQ-13DICT-ND
别名:DMNH6021SPSQ-13DICT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 300mA(Ta) 350mW(Ta) SOT-23(TO-236AB)
型号:
2N7002K
仓库库存编号:
2N7002KCT-ND
别名:2N7002KCT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 0.25A EMT3
详细描述:表面贴装 P 沟道 250mA(Ta) 150mW(Ta) EMT3F(SOT-416FL)
型号:
RE1E002SPTCL
仓库库存编号:
RE1E002SPTCLCT-ND
别名:RE1E002SPTCLCT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 6A TSMT8
详细描述:表面贴装 P 沟道 6A(Ta) 700mW(Ta) TSMT8
型号:
RQ1A060ZPTR
仓库库存编号:
RQ1A060ZPTRCT-ND
别名:RQ1A060ZPTRCT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 0.38A
详细描述:表面贴装 N 沟道 380mA(Ta) 380mW(Ta) SOT-23
型号:
DMN62D0U-13
仓库库存编号:
DMN62D0U-13DICT-ND
别名:DMN62D0U-13DICT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 500MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 500mA(Ta) 225mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
MMBF170LT1G
仓库库存编号:
MMBF170LT1GOSCT-ND
别名:MMBF170LT1GOSCT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 0.34A
详细描述:表面贴装 N 沟道 340mA(Ta) 320mW(Ta) SOT-323
型号:
DMN62D0UW-7
仓库库存编号:
DMN62D0UW-7DICT-ND
别名:DMN62D0UW-7DICT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 34V 17A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Ta),98A(Tc) 2.5W(Ta),57W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC883N03LSGATMA1
仓库库存编号:
BSC883N03LSGATMA1CT-ND
别名:BSC883N03LS GCT
BSC883N03LS GCT-ND
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 310mA(Ta) 480mW(Ta) X1-DFN1212-3
型号:
DMN62D0LFD-7
仓库库存编号:
DMN62D0LFD-7DICT-ND
别名:DMN62D0LFD-7CT
DMN62D0LFD-7CT-ND
DMN62D0LFD-7DICT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道
型号:
BSC882N03LSGATMA1
仓库库存编号:
BSC882N03LSGATMA1CT-ND
别名:BSC882N03LSGATMA1CT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 60V 0.2A S-MINI
详细描述:表面贴装 P 沟道 200mA(Ta) 200mW(Ta) SC-59
型号:
2SJ168TE85LF
仓库库存编号:
2SJ168TE85LFCT-ND
别名:2SJ168TE85LFCT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 13A 8PSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Ta) 3W(Ta) 8-PSOP
型号:
RMW130N03TB
仓库库存编号:
RMW130N03TBCT-ND
别名:RMW130N03TBCT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Comchip Technology
MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 250mA(Ta) 350mW(Ta) SOT-23
型号:
2N7002-HF
仓库库存编号:
641-1756-1-ND
别名:641-1756-1
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 20V 100MA USM
详细描述:表面贴装 N 沟道 100mA(Ta) 100mW(Ta) SC-70
型号:
2SK2034TE85LF
仓库库存编号:
2SK2034TE85LFCT-ND
别名:2SK2034TE85LFCT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 22A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),57W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC034N03LSGATMA1
仓库库存编号:
BSC034N03LSGATMA1TR-ND
别名:BSC034N03LS G
BSC034N03LS G-ND
SP000475948
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V SOT-23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 500mA(Ta) 690mW(Ta) SOT-23(TO-236AB)
型号:
NVR4003NT3G
仓库库存编号:
NVR4003NT3GOSCT-ND
别名:NVR4003NT3GOSCT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 0.38A
详细描述:表面贴装 N 沟道 380mA(Ta) 370mW(Ta) SOT-23
型号:
DMN61D9U-7
仓库库存编号:
DMN61D9U-7DICT-ND
别名:DMN61D9U-7DICT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 0.82A SOT323
详细描述:表面贴装 P 沟道 820mA(Ta) 310mW(Ta) SOT-323
型号:
DMG1013UWQ-7
仓库库存编号:
DMG1013UWQ-7DICT-ND
别名:DMG1013UWQ-7DICT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 0.5A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 500mA(Ta) 300mW(Ta) SOT-23-3
型号:
MMBF170Q-7-F
仓库库存编号:
MMBF170Q-7-FDICT-ND
别名:MMBF170Q-7-FDICT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 15A PQFN56
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Ta),34A(Tc) 3.1W(Ta) PQFN(5x6)单芯片焊盘
型号:
IRFH7921TRPBF
仓库库存编号:
IRFH7921TRPBFCT-ND
别名:IRFH7921TRPBFCT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 45A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 45A(Tc) 158W(Tc) DPAK
型号:
BUK7226-75A,118
仓库库存编号:
1727-7155-1-ND
别名:1727-7155-1
568-9638-1
568-9638-1-ND
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V .22A X2-DFN0606-
详细描述:表面贴装 N 沟道 220mA(Ta) 393mW(Ta) X2-DFN0606-3
型号:
DMN31D5UFZ-7B
仓库库存编号:
DMN31D5UFZ-7BDICT-ND
别名:DMN31D5UFZ-7BDICT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 0.1A CST3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100mA(Ta) 100mW(Ta) CST3
型号:
SSM3K15ACT,L3F
仓库库存编号:
SSM3K15ACTL3FCT-ND
别名:SSM3K15ACTL3F(BCT
SSM3K15ACTL3F(BCT-ND
SSM3K15ACTL3FCT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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