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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），48W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
  
  型号：BSZ0902NS
  仓库库存编号：BSZ0902NSCT-ND
  别名：BSZ0902NSCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• IXYS Integrated Circuits Division
  MOSFET N-CH 800V SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.8W（Ta） SOT-223
  
  型号：CPC3980ZTR
  仓库库存编号：CLA4159-1-ND
  别名：CLA4159-1
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta） 3W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：AO4430
  仓库库存编号：785-1028-1-ND
  别名：785-1028-1
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 6.5A SOP8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Ta） 2W（Ta） 8-SOP
  
  型号：RSH065N03TB1
  仓库库存编号：RSH065N03TB1CT-ND
  别名：RSH065N03TB1CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 7.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.4A（Tc） 2.5W（Ta），55W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD9N25TM
  仓库库存编号：FQD9N25TMCT-ND
  别名：FQD9N25TMCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta） 2.1W（Ta），55W（Tj） DPAK
  
  型号：NTD18N06LT4G
  仓库库存编号：NTD18N06LT4GOSCT-ND
  别名：NTD18N06LT4GOSCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 83W（Tc） D-Pak
  
  型号：FDD5N60NZTM
  仓库库存编号：FDD5N60NZTMCT-ND
  别名：FDD5N60NZTMCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 73A D-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta），73A（Tc） 70W（Tc） TO-252AA
  
  型号：FDD8876
  仓库库存编号：FDD8876CT-ND
  别名：FDD8876CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6.6A（Tc） 2.5W（Ta），44W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD8P10TM
  仓库库存编号：FQD8P10TMCT-ND
  别名：FQD8P10TMCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 25A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），48W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC024NE2LS
  仓库库存编号：BSC024NE2LSCT-ND
  别名：BSC024NE2LSCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 79W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3910TRPBF
  仓库库存编号：IRFR3910PBFCT-ND
  别名：*IRFR3910TRPBF
  IRFR3910PBFCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 40V 6.2A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6.2A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7241TRPBF
  仓库库存编号：IRF7241PBFCT-ND
  别名：*IRF7241TRPBF
  IRF7241PBFCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 43A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 43A（Tc） 40W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR7807ZTRPBF
  仓库库存编号：IRLR7807ZPBFCT-ND
  别名：*IRLR7807ZTRPBF
  IRLR7807ZPBFCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 9.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.5A（Ta），30A（Tc） 2.8W（Ta），36W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：FDD6612A
  仓库库存编号：FDD6612ACT-ND
  别名：FDD6612ACT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 20A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 3.9W（Ta），29.8W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR484DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR484DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR484DP-T1-GE3CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 16A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 40W（Tc） DPAK
  
  型号：STD16NF06T4
  仓库库存编号：497-15667-1-ND
  别名：497-15667-1
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 0.35A TO-92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 350mA（Tc） 1.5W（Tc） TO-92-3
  
  型号：FQNL2N50BTA
  仓库库存编号：FQNL2N50BTACT-ND
  别名：FQNL2N50BTACT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 25V 60A 8-SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta），60A（Tc） 2.6W（Ta） 8-VSON（5x6）
  
  型号：CSD16409Q3
  仓库库存编号：296-24253-1-ND
  别名：296-24253-1
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 23A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Tc） 45W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR2703TRPBF
  仓库库存编号：IRLR2703TRPBFCT-ND
  别名：*IRLR2703TRPBF
  IRLR2703PBFCT
  IRLR2703PBFCT-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC030N03LSGATMA1
  仓库库存编号：BSC030N03LSGATMA1CT-ND
  别名：BSC030N03LS GCT
  BSC030N03LS GCT-ND
  BSC030N03LSGATMA1CT-NDTR-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 5.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.4A（Ta） 3.8W（Ta），42W（Tc） TO-252-3
  
  型号：FDD5612
  仓库库存编号：FDD5612CT-ND
  别名：FDD5612CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• IXYS Integrated Circuits Division
  MOSFET N-CH 415V 5MA SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5mA（Ta） 2.5W（Ta） SOT-223
  
  型号：CPC5603CTR
  仓库库存编号：CLA299CT-ND
  别名：CLA299CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR024TRPBF
  仓库库存编号：IRFR024PBFCT-ND
  别名：*IRFR024TRPBF
  IRFR024PBFCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 80V 40A 8TSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 700mW（Ta），42W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
  
  型号：TPN13008NH,L1Q
  仓库库存编号：TPN13008NHL1QCT-ND
  别名：TPN13008NHL1QCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 7A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7478TRPBF
  仓库库存编号：IRF7478PBFCT-ND
  别名：*IRF7478TRPBF
  IRF7478PBFCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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