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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 4GBIT 63VFBGA
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 4Gb （256M x 16） 并联 63-VFBGA
  
  型号：MT29F4G16ABCHC:C TR
  仓库库存编号：557-1369-1-ND
  别名：557-1369-1
  MT29F4G16ABCHCCTR
  
  规格：工作温度 0°C ~ 70°C（TA）,
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 8GBIT 48TSOP
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 8Gb （1G x 8） 并联 48-TSOP I
  
  型号：MT29F8G08AAAWP:A TR
  仓库库存编号：557-1371-1-ND
  别名：557-1371-1
  MT29F8G08AAAWPATR
  
  规格：工作温度 0°C ~ 70°C（TA）,
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 16GBIT 48TSOP
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 16Gb （2G x 8） 并联 48-TSOP I
  
  型号：MT29F16G08MAAWP:A TR
  仓库库存编号：557-1374-1-ND
  别名：557-1374-1
  MT29F16G08MAAWPATR
  
  规格：工作温度 0°C ~ 70°C（TA）,
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 32GBIT 48TSOP
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 32Gb （4G x 8） 并联 48-TSOP I
  
  型号：MT29F32G08QAAWP:A TR
  仓库库存编号：557-1375-1-ND
  别名：557-1375-1
  MT29F32G08QAAWPATR
  
  规格：工作温度 0°C ~ 70°C（TA）,
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• Micron Technology Inc.
  IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 90BGA
  详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 512Mb （16M x 32） 并联 200MHz 5.0ns 90-VFBGA（10x13）
  
  型号：MT46H16M32LFCM-5:B TR
  仓库库存编号：557-1379-1-ND
  别名：557-1379-1
  MT46H16M32LFCM5BTR
  
  规格：工作温度 0°C ~ 70°C（TA）,
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• Micron Technology Inc.
  IC SDRAM 512MBIT 167MHZ 90VFBGA
  详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 512Mb （16M x 32） 并联 166MHz 5.0ns 90-VFBGA（10x13）
  
  型号：MT46H16M32LFCM-6:B TR
  仓库库存编号：557-1381-1-ND
  别名：557-1381-1
  MT46H16M32LFCM6BTR
  
  规格：工作温度 0°C ~ 70°C（TA）,
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• Micron Technology Inc.
  IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 60BGA
  详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 512Mb （32M x 16） 并联 200MHz 5.0ns 60-VFBGA（8x9）
  
  型号：MT46H32M16LFBF-5:B TR
  仓库库存编号：557-1382-1-ND
  别名：557-1382-1
  MT46H32M16LFBF5BTR
  
  规格：工作温度 0°C ~ 70°C（TA）,
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• Micron Technology Inc.
  IC SDRAM 512MBIT 167MHZ 60VFBGA
  详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 512Mb （32M x 16） 并联 166MHz 5.0ns 60-VFBGA（8x9）
  
  型号：MT46H32M16LFBF-6:B TR
  仓库库存编号：557-1384-1-ND
  别名：557-1384-1
  MT46H32M16LFBF6BTR
  
  规格：工作温度 0°C ~ 70°C（TA）,
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• Micron Technology Inc.
  IC SDRAM 1GBIT 200MHZ 90VFBGA
  详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 1Gb （32M x 32） 并联 200MHz 5.0ns 90-VFBGA（10x13）
  
  型号：MT46H32M32LFCM-5:A TR
  仓库库存编号：557-1385-1-ND
  别名：557-1385-1
  MT46H32M32LFCM5ATR
  
  规格：工作温度 0°C ~ 70°C（TA）,
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• Micron Technology Inc.
  IC SDRAM 1GBIT 200MHZ 60VFBGA
  详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 1Gb （64M x 16） 并联 200MHz 5.0ns 60-VFBGA（10x11.5）
  
  型号：MT46H64M16LFCK-5:A TR
  仓库库存编号：557-1386-1-ND
  别名：557-1386-1
  MT46H64M16LFCK5ATR
  
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• Micron Technology Inc.
  IC SDRAM 512MBIT 133MHZ 90VFBGA
  详细描述：SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 512Mb （16M x 32） 并联 133MHz 5.4ns 90-VFBGA（10x13）
  
  型号：MT48H16M32LFCM-75:B TR
  仓库库存编号：557-1388-1-ND
  别名：557-1388-1
  MT48H16M32LFCM75BTR
  
  规格：工作温度 0°C ~ 70°C（TA）,
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• Micron Technology Inc.
  IC SDRAM 512MBIT 133MHZ 54VFBGA
  详细描述：SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 512Mb （32M x 16） 并联 133MHz 5.4ns 54-VFBGA（6x9）
  
  型号：MT48H32M16LFBF-75:B TR
  仓库库存编号：557-1390-1-ND
  别名：557-1390-1
  MT48H32M16LFBF75BTR
  
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• Micron Technology Inc.
  IC SDRAM 64MBIT 133MHZ 54VFBGA
  详细描述：SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 64Mb （4M x 16） 并联 133MHz 6ns 54-VFBGA（8x8）
  
  型号：MT48H4M16LFB4-75:H TR
  仓库库存编号：557-1392-1-ND
  别名：557-1392-1
  
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• Micron Technology Inc.
  IC SDRAM 128MBIT 143MHZ 60FBGA
  详细描述：SDRAM 存储器 IC 128Mb （16M x 8） 并联 133MHz 5.4ns 60-FBGA（8x16）
  
  型号：MT48LC16M8A2BB-7E:G TR
  仓库库存编号：557-1393-1-ND
  别名：557-1393-1
  MT48LC16M8A2BB7EGTR
  
  规格：工作温度 0°C ~ 70°C（TA）,
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• Micron Technology Inc.
  IC SDRAM 128MBIT 133MHZ 54VFBGA
  详细描述：SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 128Mb （8M x 16） 并联 133MHz 5.4ns 54-VFBGA（8x8）
  
  型号：MT48LC8M16LFB4-75M:G TR
  仓库库存编号：557-1394-1-ND
  别名：557-1394-1
  MT48LC8M16LFB475MGTR
  
  规格：工作温度 0°C ~ 70°C（TA）,
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• Maxim Integrated
  IC BATTERY MANAGER 16-DIP
  详细描述：Battery Power Management IC 16-PDIP
  
  型号：DS1259+
  仓库库存编号：DS1259+-ND
  
  规格：工作温度 0°C ~ 70°C（TA）,
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• Maxim Integrated
  IC NVSRAM 16MBIT 150NS 36EDIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 16Mb （2M x 8） 并联 150ns 36-EDIP
  
  型号：DS1270W-150#
  仓库库存编号：DS1270W-150#-ND
  
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• Maxim Integrated
  IC NVSRAM 16MBIT 100NS 36EDIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 16Mb （2M x 8） 并联 100ns 36-EDIP
  
  型号：DS1270Y-100#
  仓库库存编号：DS1270Y-100#-ND
  
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  IC NVSRAM 8MBIT 70NS 36EDIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 8Mb （1M x 8） 并联 70ns 36-EDIP
  
  型号：DS1265AB-70+
  仓库库存编号：DS1265AB-70+-ND
  
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• Maxim Integrated
  IC NVSRAM 2MBIT 70NS 40EDIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 2Mb （128K x 16） 并联 70ns 40-EDIP
  
  型号：DS1258Y-70#
  仓库库存编号：DS1258Y-70#-ND
  
  规格：工作温度 0°C ~ 70°C（TA）,
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  IC NVSRAM 2MBIT 150NS 40EDIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 2Mb （128K x 16） 并联 150ns 40-EDIP
  
  型号：DS1258W-150#
  仓库库存编号：DS1258W-150#-ND
  
  规格：工作温度 0°C ~ 70°C（TA）,
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• Maxim Integrated
  IC NVSRAM 2MBIT 100NS 40EDIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 2Mb （128K x 16） 并联 100ns 40-EDIP
  
  型号：DS1258W-100#
  仓库库存编号：DS1258W-100#-ND
  
  规格：工作温度 0°C ~ 70°C（TA）,
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  IC NVSRAM 2MBIT 70NS 40EDIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 2Mb （128K x 16） 并联 70ns 40-EDIP
  
  型号：DS1258AB-70#
  仓库库存编号：DS1258AB-70#-ND
  
  规格：工作温度 0°C ~ 70°C（TA）,
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• Maxim Integrated
  IC NVSRAM 2MBIT 100NS 40EDIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 2Mb （128K x 16） 并联 100ns 40-EDIP
  
  型号：DS1258AB-100#
  仓库库存编号：DS1258AB-100#-ND
  
  规格：工作温度 0°C ~ 70°C（TA）,
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• Maxim Integrated
  IC NVSRAM 2MBIT 100NS 40EDIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 2Mb （128K x 16） 并联 100ns 40-EDIP
  
  型号：DS1258Y-100#
  仓库库存编号：DS1258Y-100#-ND
  
  规格：工作温度 0°C ~ 70°C（TA）,
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