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• Micron Technology Inc.
  IC SDRAM 1GBIT 167MHZ 60VFBGA
  详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 1Gb （64M x 16） 并联 166MHz 5.0ns 60-VFBGA（10x11.5）
  
  型号：MT46H64M16LFCK-6:A TR
  仓库库存编号：557-1336-1-ND
  别名：557-1336-1
  MT46H64M16LFCK6ATR
  
  规格：工作温度 0°C ~ 70°C（TA）,
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• Micron Technology Inc.
  IC SDRAM 128MBIT 200MHZ 66TSOP
  详细描述：SDRAM - DDR 存储器 IC 128Mb （8M x 16） 并联 200MHz 700ps 66-TSOP
  
  型号：MT46V8M16P-5B:D TR
  仓库库存编号：557-1337-1-ND
  别名：557-1337-1
  MT46V8M16P5BDTR
  
  规格：工作温度 0°C ~ 70°C（TA）,
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• Texas Instruments
  IC GAS GAUGE LITH-ION 16-SOIC
  详细描述：Battery Battery Monitor IC Multi-Chemistry 16-SOIC
  
  型号：BQ2092SN-A311
  仓库库存编号：BQ2092SN-A311-ND
  
  规格：工作温度 0°C ~ 70°C（TA）,
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• Texas Instruments
  IC GAS GAUGE LITH-ION 16-SOIC
  详细描述：Battery Battery Monitor IC Multi-Chemistry 16-SOIC
  
  型号：BQ2092SN-A311TR
  仓库库存编号：BQ2092SN-A311TR-ND
  
  规格：工作温度 0°C ~ 70°C（TA）,
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• Texas Instruments
  IC GAS GAUGE LITH-ION 16-SOIC
  详细描述：Battery Battery Monitor IC Multi-Chemistry 16-SOIC
  
  型号：BQ2092SN-A311TRG4
  仓库库存编号：BQ2092SN-A311TRG4-ND
  
  规格：工作温度 0°C ~ 70°C（TA）,
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• Texas Instruments
  IC NVSRAM 64KBIT 150NS 28DIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 64Kb （8K x 8） 并联 150ns 28-DIP 模块（18.42x37.72）
  
  型号：BQ4010MA-150
  仓库库存编号：296-32840-5-ND
  别名：296-32840-5
  BQ4010MA-150-ND
  BQ4010MA150
  
  规格：工作温度 0°C ~ 70°C（TA）,
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• Texas Instruments
  IC NVSRAM 64KBIT 200NS 28DIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 64Kb （8K x 8） 并联 200ns 28-DIP 模块（18.42x37.72）
  
  型号：BQ4010MA-200
  仓库库存编号：BQ4010MA-200-ND
  
  规格：工作温度 0°C ~ 70°C（TA）,
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• Texas Instruments
  IC NVSRAM 64KBIT 70NS 28DIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 64Kb （8K x 8） 并联 70ns 28-DIP 模块（18.42x37.72）
  
  型号：BQ4010MA-70
  仓库库存编号：296-32841-5-ND
  别名：296-32841-5
  BQ4010MA-70-ND
  BQ4010MA70
  
  规格：工作温度 0°C ~ 70°C（TA）,
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• Texas Instruments
  IC NVSRAM 64KBIT 150NS 28DIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 64Kb （8K x 8） 并联 150ns 28-DIP 模块（18.42x37.72）
  
  型号：BQ4010YMA-150
  仓库库存编号：296-32842-5-ND
  别名：296-32842-5
  BQ4010YMA-150-ND
  BQ4010YMA150
  
  规格：工作温度 0°C ~ 70°C（TA）,
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• Texas Instruments
  IC NVSRAM 64KBIT 200NS 28DIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 64Kb （8K x 8） 并联 200ns 28-DIP 模块（18.42x37.72）
  
  型号：BQ4010YMA-200
  仓库库存编号：BQ4010YMA-200-ND
  
  规格：工作温度 0°C ~ 70°C（TA）,
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• Texas Instruments
  IC NVSRAM 64KBIT 85NS 28DIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 64Kb （8K x 8） 并联 85ns 28-DIP 模块（18.42x37.72）
  
  型号：BQ4010YMA-85
  仓库库存编号：BQ4010YMA-85-ND
  
  规格：工作温度 0°C ~ 70°C（TA）,
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• Texas Instruments
  IC NVSRAM 256KBIT 150NS 28DIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 150ns 28-DIP 模块（18.42x37.72）
  
  型号：BQ4011MA-150
  仓库库存编号：BQ4011MA-150-ND
  
  规格：工作温度 0°C ~ 70°C（TA）,
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• Texas Instruments
  IC NVSRAM 256KBIT 200NS 28DIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 200ns 28-DIP 模块（18.42x37.72）
  
  型号：BQ4011MA-200
  仓库库存编号：BQ4011MA-200-ND
  
  规格：工作温度 0°C ~ 70°C（TA）,
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  IC NVSRAM 256KBIT 150NS 28DIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 150ns 28-DIP 模块（18.42x37.72）
  
  型号：BQ4011YMA-150
  仓库库存编号：BQ4011YMA-150-ND
  
  规格：工作温度 0°C ~ 70°C（TA）,
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• Texas Instruments
  IC NVSRAM 256KBIT 200NS 28DIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 200ns 28-DIP 模块（18.42x37.72）
  
  型号：BQ4011YMA-200
  仓库库存编号：BQ4011YMA-200-ND
  
  规格：工作温度 0°C ~ 70°C（TA）,
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  IC NVSRAM 1MBIT 120NS 32DIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 1Mb （128K x 8） 并联 120ns 32-DIP 模块（18.42x42.8）
  
  型号：BQ4013MA-120
  仓库库存编号：BQ4013MA-120-ND
  
  规格：工作温度 0°C ~ 70°C（TA）,
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  IC NVSRAM 1MBIT 85NS 32DIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 1Mb （128K x 8） 并联 85ns 32-DIP 模块（18.42x42.8）
  
  型号：BQ4013MA-85
  仓库库存编号：BQ4013MA-85-ND
  
  规格：工作温度 0°C ~ 70°C（TA）,
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• Texas Instruments
  IC NVSRAM 1MBIT 120NS 32DIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 1Mb （128K x 8） 并联 120ns 32-DIP 模块（18.42x42.8）
  
  型号：BQ4013YMA-120
  仓库库存编号：296-32844-5-ND
  别名：296-32844-5
  BQ4013YMA-120-ND
  BQ4013YMA120
  
  规格：工作温度 0°C ~ 70°C（TA）,
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  IC NVSRAM 2MBIT 120NS 32DIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 2Mb （256K x 8） 并联 120ns 32-DIP 模块（18.42x52.96）
  
  型号：BQ4014MB-120
  仓库库存编号：BQ4014MB-120-ND
  
  规格：工作温度 0°C ~ 70°C（TA）,
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  IC NVSRAM 2MBIT 120NS 32DIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 2Mb （256K x 8） 并联 120ns 32-DIP 模块（18.42x52.96）
  
  型号：BQ4014YMB-120
  仓库库存编号：BQ4014YMB-120-ND
  
  规格：工作温度 0°C ~ 70°C（TA）,
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• Texas Instruments
  IC NVSRAM 4MBIT 85NS 32DIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 4Mb （512K x 8） 并联 85ns 32-DIP 模块（18.42x42.8）
  
  型号：BQ4015MA-85
  仓库库存编号：BQ4015MA-85-ND
  
  规格：工作温度 0°C ~ 70°C（TA）,
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• Texas Instruments
  IC SRAM 16MBIT 70NS 36DIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 16Mb （2M x 8） 并联 70ns 36-DIP 模块（18.42x52.96）
  
  型号：BQ4017YMC-70
  仓库库存编号：BQ4017YMC-70-ND
  
  规格：工作温度 0°C ~ 70°C（TA）,
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• Texas Instruments
  IC D-TYPE POS TRG SNGL 20SOIC
  
  型号：CD74FCT273M96
  仓库库存编号：CD74FCT273M96-ND
  
  规格：工作温度 0°C ~ 70°C（TA）,
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• Texas Instruments
  IC D-TYPE POS TRG SNGL 20SOIC
  
  型号：CD74FCT273M96E4
  仓库库存编号：CD74FCT273M96E4-ND
  
  规格：工作温度 0°C ~ 70°C（TA）,
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• Texas Instruments
  IC D-TYPE POS TRG SNGL 20SOIC
  
  型号：CD74FCT374M96
  仓库库存编号：CD74FCT374M96-ND
  
  规格：工作温度 0°C ~ 70°C（TA）,
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