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• IXYS
  RECT BRIDGE 100A 1400V FO-T-A
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1400V 100A Chassis Mount FO-T-A
  
  型号：VUO100-14NO7
  仓库库存编号：VUO100-14NO7-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT TRENCH FULL BRIDGE SP1
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge 600V 80A 176W Chassis Mount SP1
  
  型号：APTCV40H60CT1G
  仓库库存编号：APTCV40H60CT1G-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 3N-CH 600V 36A SP1
  详细描述：Mosfet Array 3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper) 600V 36A 250W Chassis Mount SP1
  
  型号：APTC60AM83BC1G
  仓库库存编号：APTC60AM83BC1G-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  DIODE BRIDGE 50A 1800V PWS-A
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1800V 50A Chassis Mount PWS-A
  
  型号：VBO50-18NO7
  仓库库存编号：VBO50-18NO7-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 4N-CH 600V 39A SP3
  详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 600V 39A 250W Chassis Mount SP3
  
  型号：APTC60HM70T3G
  仓库库存编号：APTC60HM70T3G-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  IC IPM INVERTER 3PHASE 4DIP
  详细描述：Half Bridge (3) Driver AC Motors IGBT Module
  
  型号：STK5F1U3E3D-E
  仓库库存编号：STK5F1U3E3D-EOS-ND
  别名：STK5F1U3E3D-EOS
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  IGBT 1200V 30A 187W MTP
  详细描述：IGBT Module NPT Three Phase Inverter 1200V 30A 187W Chassis Mount MTP
  
  型号：VS-GB15XP120KTPBF
  仓库库存编号：VS-GB15XP120KTPBF-ND
  别名：VSGB15XP120KTPBF
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT MODULE 1200V 150A HEX
  详细描述：IGBT Module PT Single 1200V 220A 695W Chassis Mount V1A-PAK
  
  型号：MIXA150Q1200VA
  仓库库存编号：MIXA150Q1200VA-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT MODULE 1200V 150A HEX
  详细描述：IGBT Module PT Single 1200V 220A 695W Chassis Mount V1A-PAK
  
  型号：MIXA150R1200VA
  仓库库存编号：MIXA150R1200VA-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOD IGBT 1200V 110A SP2
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 110A 357W Chassis Mount SP2
  
  型号：APTGT75A1202G
  仓库库存编号：APTGT75A1202G-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  DIODE BRIDGE 1800V 65A FO-T-A
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1800V 65A Chassis Mount FO-T-A
  
  型号：VBO65-18NO7
  仓库库存编号：VBO65-18NO7-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  RECT BRIDGE 100A 1600V FO-T-A
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1600V 100A Chassis Mount FO-T-A
  
  型号：VUO100-16NO7
  仓库库存编号：VUO100-16NO7-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP
  详细描述：IGBT Module Through Hole IMS-2
  
  型号：VS-CPV363M4FPBF
  仓库库存编号：VS-CPV363M4FPBF-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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  MODULE IGBT 19A 600V ECO-PAC2
  详细描述：IGBT Module NPT Three Phase Inverter 600V 19A 73W Chassis Mount ECO-PAC2
  
  型号：VWI20-06P1
  仓库库存编号：VWI20-06P1-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 900V 59A SP1
  详细描述：底座安装 N 沟道 900V 59A（Tc） 462W（Tc） SP1
  
  型号：APTC90SKM60T1G
  仓库库存编号：APTC90SKM60T1G-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 900V 59A SP1
  详细描述：底座安装 N 沟道 900V 59A（Tc） 462W（Tc） SP1
  
  型号：APTC90DAM60T1G
  仓库库存编号：APTC90DAM60T1G-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET 2N-CH 600V 38A ECO-PAC2
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 600V 38A Chassis Mount ECO-PAC2
  
  型号：VHM40-06P1
  仓库库存编号：VHM40-06P1-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOD IGBT PHASE LEG 600V ECOPAC2
  详细描述：IGBT Module NPT Half Bridge 600V 121A 379W Chassis Mount ECO-PAC2
  
  型号：VII130-06P1
  仓库库存编号：VII130-06P1-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP4
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Dual, Common Source 1200V 75A 277W Chassis Mount SP4
  
  型号：APTGT50DU120TG
  仓库库存编号：APTGT50DU120TG-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET 2N-CH 70V 165A TO-240AA
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 70V 165A 390W Chassis Mount TO-240AA
  
  型号：VMK165-007T
  仓库库存编号：VMK165-007T-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT TRENCH FULL BRIDGE SP3
  详细描述：IGBT Module NPT, Trench Field Stop Full Bridge 600V 80A 176W Chassis Mount SP3
  
  型号：APTCV50H60T3G
  仓库库存编号：APTCV50H60T3G-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP
  详细描述：IGBT Module 600V 13A 36W Through Hole IMS-2
  
  型号：VS-CPV363M4UPBF
  仓库库存编号：VS-CPV363M4UPBF-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP
  详细描述：IGBT Module 600V 20A 63W Through Hole IMS-2
  
  型号：VS-CPV364M4UPBF
  仓库库存编号：VS-CPV364M4UPBF-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOD IGBT SIXPACK RBSOA 600V E2
  详细描述：IGBT Module NPT Three Phase Inverter 600V 45A 140W Chassis Mount E2
  
  型号：MWI30-06A7
  仓库库存编号：MWI30-06A7-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  DIODE BRIDGE 3PH 1200V 160A SM3
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1200V 160A Chassis Mount M3
  
  型号：MSD160-12
  仓库库存编号：MSD160-12-ND
  别名：MSD16012
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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