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  SAME AS NE68130 NPN SILICON AMPL
  详细描述：RF Transistor NPN 10V 65mA 7GHz 150mW Surface Mount SOT-323
  
  型号：2SC4227-T1-R34-A
  仓库库存编号：2SC4227-T1-R34-A-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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  SAME AS 2SC4536 NPN SILICON MEDI
  详细描述：RF Transistor NPN 15V 250mA 5.5GHz 2W Surface Mount SOT-89
  
  型号：NE46134-T1-QR-AZ
  仓库库存编号：NE46134-T1-QR-AZ-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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  SAME AS 2SC4536 NPN SILICON MEDI
  详细描述：RF Transistor NPN 15V 250mA 5.5GHz 2W Surface Mount SOT-89
  
  型号：NE46134-T1-QS-AZ
  仓库库存编号：NE46134-T1-QS-AZ-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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  SAME AS 2SC5337 NPN SILICON MEDI
  详细描述：RF Transistor NPN 15V 250mA 2W Surface Mount
  
  型号：NE461M02-T1-QR-AZ
  仓库库存编号：NE461M02-T1-QR-AZ-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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  SAME AS 2SC5337 NPN SILICON MEDI
  详细描述：RF Transistor NPN 15V 250mA 2W Surface Mount SOT-89
  
  型号：NE461M02-T1-QS-AZ
  仓库库存编号：NE461M02-T1-QS-AZ-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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  SAME AS 2SC4227 NPN SILICON AMPL
  详细描述：RF Transistor NPN 10V 65mA 7GHz 150mW Surface Mount SOT-323
  
  型号：NE68130-T1-R34-A
  仓库库存编号：NE68130-T1-R34-A-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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  SAME AS 2SC3357 SAME AS 2SC3357
  详细描述：RF Transistor NPN 12V 100mA 6.5GHz 1.2W Surface Mount SOT-89
  
  型号：NE85634-T1-RF-A
  仓库库存编号：NE85634-T1-RF-A-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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  SAME AS 2SC4093 NPN SILICON AMPL
  详细描述：RF Transistor NPN 12V 100mA 9GHz 200mW Surface Mount SOT-143
  
  型号：NE85639-T1-R27-A
  仓库库存编号：NE85639-T1-R27-A-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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  SAME AS 2SC4093 NPN SILICON AMPL
  详细描述：RF Transistor NPN 12V 100mA 9GHz 200mW Surface Mount SOT-143
  
  型号：NE85639-T1-R28-A
  仓库库存编号：NE85639-T1-R28-A-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas
  IGBT 1700V 72A 500W MODULE
  详细描述：IGBT Module Half Bridge 1700V 72A 500W Chassis Mount Module
  
  型号：BSM50GB170DN2HOSA1
  仓库库存编号：BSM50GB170DN2HOSA1-ND
  别名：SP000100463
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas
  IGBT 1700V 110A 625W MODULE
  详细描述：IGBT Module Half Bridge 1700V 110A 625W Chassis Mount Module
  
  型号：BSM75GB170DN2HOSA1
  仓库库存编号：BSM75GB170DN2HOSA1-ND
  别名：SP000100464
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas
  IGBT BSM50GD120DN2GBOSA1
  详细描述：IGBT Module Full Bridge 1200V 78A 400W Chassis Mount Module
  
  型号：BSM50GD120DN2G
  仓库库存编号：BSM50GD120DN2G-ND
  别名：SP000100363
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas
  IGBT DDB6U180N16RRBPSA1
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Dual Brake Chopper 1200V 140A 515W Surface Mount Module
  
  型号：DDB6U180N16RR
  仓库库存编号：DDB6U180N16RR-ND
  别名：SP001050516
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas
  IGBT DF400R07PE4RB6BOSA1
  详细描述：IGBT Module NPT Single Chopper 650V 450A 1100W Chassis Mount Module
  
  型号：DF400R07PE4R_B6
  仓库库存编号：DF400R07PE4R_B6-ND
  别名：SP000986082
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas
  IGBT FS100R12KE3B3NOSA1
  详细描述：IGBT Module NPT Three Phase Inverter 1200V 140A 480W Chassis Mount Module
  
  型号：FS100R12KE3_B3
  仓库库存编号：FS100R12KE3_B3-ND
  别名：SP000100423
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas
  IGBT FS75R12KE3B3NOSA1
  详细描述：IGBT Module NPT Three Phase Inverter 1200V 100A 355W Chassis Mount Module
  
  型号：FS75R12KE3_B3
  仓库库存编号：FS75R12KE3_B3-ND
  别名：SP000091904
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas
  IGBT FT150R12KE3GB4NOSA1
  详细描述：IGBT Module Three Phase Inverter 1200V 200A 700W Chassis Mount Module
  
  型号：FT150R12KE3G_B4
  仓库库存编号：FT150R12KE3G_B4-ND
  别名：SP000091897
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas
  IGBT BSM35GD120DN2BOSA1
  详细描述：IGBT Module NPT Three Phase Inverter 1200V 50A 280W Chassis Mount Module
  
  型号：BSM35GD120DN2
  仓库库存编号：BSM35GD120DN2-ND
  别名：BSM35GD120DN2BOSA1
  SP000100371
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas
  IGBT BSM150GD60DLCBOSA1
  详细描述：IGBT Module NPT Single 600V 180A 570W Chassis Mount Module
  
  型号：BSM150GD60DLC
  仓库库存编号：BSM150GD60DLC-ND
  别名：BSM150GD60DLCBOSA1
  SP000100394
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas
  IGBT BSM30GD60DLCE3224BOSA1
  详细描述：IGBT Module NPT Single 600V 40A 135W Chassis Mount Module
  
  型号：BSM30GD60DLCE3224
  仓库库存编号：BSM30GD60DLCE3224-ND
  别名：BSM30GD60DLCE3224BOSA1
  SP000100388
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS PNP 1A 160V TO226-3
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 160V 1A 50MHz 900mW Through Hole TO-92L
  
  型号：2SA1013-O,T6MIBF(J
  仓库库存编号：2SA1013-OT6MIBF(J-ND
  别名：2SA1013-OT6MIBF(J
  2SA1013OT6MIBFJ
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS PNP 2A 50V TO226-3
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 2A 100MHz 900mW Through Hole TO-92MOD
  
  型号：2SA1020A,NSEIKIF(J
  仓库库存编号：2SA1020ANSEIKIF(J-ND
  别名：2SA1020ANSEIKIF(J
  2SA1020ANSEIKIFJ
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS PNP 2A 50V TO226-3
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 2A 100MHz 900mW Through Hole TO-92MOD
  
  型号：2SA1020A,T6CSF(J
  仓库库存编号：2SA1020AT6CSF(J-ND
  别名：2SA1020AT6CSF(J
  2SA1020AT6CSFJ
  
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS PNP 2A 50V TO226-3
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 2A 100MHz 900mW Through Hole TO-92MOD
  
  型号：2SA1020-O(F,M)
  仓库库存编号：2SA1020-O(FM)-ND
  别名：2SA1020-O(FM)
  2SA1020OFM
  
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS PNP 2A 50V TO226-3
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 2A 100MHz 900mW Through Hole TO-92MOD
  
  型号：2SA1020-O(TE6,F,M)
  仓库库存编号：2SA1020-O(TE6FM)-ND
  别名：2SA1020-O(TE6FM)
  2SA1020OTE6FM
  
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