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CEL
RF TRANSISTOR NPN SOT-143
详细描述:RF Transistor NPN 6V 100mA 12GHz 200mW Surface Mount
型号:
NE67839-A
仓库库存编号:
NE67839-A-ND
规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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CEL
RF TRANSISTOR NPN SOT-343
详细描述:RF Transistor NPN 6V 50mA 15GHz 200mW Surface Mount
型号:
NE67718-A
仓库库存编号:
NE67718-A-ND
规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
搜索
CEL
RF TRANSISTOR NPN SOT-343
详细描述:RF Transistor NPN 6V 100mA 12GHz 200mW Surface Mount
型号:
NE67818-A
仓库库存编号:
NE67818-A-ND
规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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CEL
RF TRANSISTOR NPN SOT-89
详细描述:RF Transistor NPN 12V 150mA 6GHz 1.8W Surface Mount
型号:
NE462M02-T1-AZ
仓库库存编号:
NE462M02-T1-AZ-ND
规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 1A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 600V 1A(Ta) 1W(Ta),38W(Tc) IPAK/TP
型号:
SFT1458-H
仓库库存编号:
SFT1458-H-ND
规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 1A(Ta) 1W(Ta),38W(Tc) DPAK/TP-FA
型号:
SFT1458-TL-H
仓库库存编号:
SFT1458-TL-H-ND
规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 50V 0.1A MCP3
详细描述:表面贴装 N 沟道 50V 100mA(Ta) 150mW(Ta) 3-MCP
型号:
5HN01M-TL-E
仓库库存编号:
5HN01M-TL-E-ND
规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 50V 0.07A MCP3
详细描述:表面贴装 P 沟道 50V 70mA(Ta) 150mW(Ta) 3-MCP
型号:
5HP01M-TL-E
仓库库存编号:
5HP01M-TL-E-ND
规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 0.35A CPH3
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 350mA(Ta) 1W(Ta) 3-CPH
型号:
CPH3461-TL-H
仓库库存编号:
CPH3461-TL-H-ND
规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2P-CH 50V 0.14A MCPH6
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 50V 140mA 800mW Surface Mount 6-MCPH
型号:
MCH6605-TL-E
仓库库存编号:
MCH6605-TL-E-ND
规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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CEL
TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-23
详细描述:RF Transistor NPN 12V 100mA 7GHz 200mW
型号:
NE85633-A
仓库库存编号:
NE85633-A-ND
规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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CEL
RF TRANSISTOR NPN SOT-143
详细描述:RF Transistor NPN 10V 35mA 10GHz 200mW Surface Mount
型号:
NE68039-T1-R46-A
仓库库存编号:
NE68039-T1-R46-A-ND
规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Renesas Electronics America
TRANS NPN 50V 0.15A
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 150mA 250MHz 200mW Surface Mount SC-59
型号:
2SC3624-T1B-A
仓库库存编号:
2SC3624-T1B-A-ND
规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 500V 20A TO3P
详细描述:通孔 N 沟道 500V 20A(Ta) 120W(Tc) TO-3P
型号:
2SK1518-E
仓库库存编号:
2SK1518-E-ND
规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 80A(Tc) 1.5W(Ta),84W(Tc) TO-220AB
型号:
2SK3430-AZ
仓库库存编号:
2SK3430-AZ-ND
规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 80A(Tc) 1.5W(Ta),84W(Tc) TO-220AB
型号:
2SK3430-Z-E1-AZ
仓库库存编号:
2SK3430-Z-E1-AZ-ND
规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 83A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 83A(Tc) 1.5W(Ta),100W(Tc) TO-220AB
型号:
2SK3431-AZ
仓库库存编号:
2SK3431-AZ-ND
规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 83A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 83A(Tc) 1.5W(Ta),100W(Tc) TO-220AB
型号:
2SK3431-Z-E1-AZ
仓库库存编号:
2SK3431-Z-E1-AZ-ND
规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 100V LDPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 75A(Ta) 100W(Tc) 4-LDPAK
型号:
H7N1002LS-E
仓库库存编号:
H7N1002LS-E-ND
规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 100V LDPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 75A(Ta) 100W(Tc) 4-LDPAK
型号:
H7N1002LSTL-E
仓库库存编号:
H7N1002LSTL-E-ND
规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 8SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 350V 900mA(Ta) 2.5W(Ta) 8-SOP
型号:
HAT2131R-EL-E
仓库库存编号:
HAT2131R-EL-E-ND
规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH WPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 17A(Ta) 30W(Tc) 8-WPAK
型号:
HAT2287WP-EL-E
仓库库存编号:
HAT2287WP-EL-E-ND
规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH WPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 14A(Ta) 25W(Tc) 8-WPAK
型号:
HAT2299WP-EL-E
仓库库存编号:
HAT2299WP-EL-E-ND
规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Renesas Electronics America
IGBT 600V 5A
详细描述:IGBT Trench 600V 10A 29.4W Surface Mount TO-252
型号:
RJH60A01RDPD-A0#J2
仓库库存编号:
RJH60A01RDPD-A0#J2-ND
规格:工作温度 150°C(TJ),
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Renesas Electronics America
IGBT 600V 5A
详细描述:IGBT Trench 600V 10A 29.4W Surface Mount TO-252
型号:
RJH60A81RDPD-A0#J2
仓库库存编号:
RJH60A81RDPD-A0#J2-ND
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