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• CEL
  RF TRANSISTOR NPN SOT-323
  详细描述：RF Transistor NPN 6V 100mA 11GHz 150mW Surface Mount 3-SuperMiniMold (30 PKG)
  
  型号：NE202930-A
  仓库库存编号：NE202930-A-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• CEL
  RF TRANSISTOR NPN SOT-323
  详细描述：RF Transistor NPN 6V 100mA 11GHz 150mW Surface Mount SOT-323
  
  型号：NE202930-T1-A
  仓库库存编号：NE202930-T1-ATR-ND
  别名：NE202930-T1-ATR
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 11.5A 5DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 11.5A（Ta） 104W（Tc） 5-DFN（8x8）
  
  型号：TK12V60W,LVQ
  仓库库存编号：TK12V60WLVQCT-ND
  别名：TK12V60WLVQCT
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 15.8A 5DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 15.8A（Ta） 139W（Tc） 5-DFN（8x8）
  
  型号：TK16V60W,LVQ
  仓库库存编号：TK16V60WLVQCT-ND
  别名：TK16V60WLVQCT
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TRANS 7NPN DARL 95V 0.5A 16JDIP
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 95V 500mA Through Hole 16-CDIP
  
  型号：SG2023J-883B
  仓库库存编号：1259-1109-ND
  别名：1259-1109
  1259-1109-MIL
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 30V 3.3A 3MPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 3.3A（Ta） 800mW（Ta） 3-MPAK
  
  型号：RQJ0303PGDQA#H6
  仓库库存编号：RQJ0303PGDQA#H6-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  SWITCHING DIODE 30V INDEPENDENT
  详细描述：RF Diode PIN - 2 Independent 30V 50mA TESQ
  
  型号：JDP4P02AT(TE85L)
  仓库库存编号：JDP4P02AT(TE85L)CT-ND
  别名：JDP4P02AT(TE85L)CT
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 150mA 60MHz 100mW Surface Mount ES6
  
  型号：HN2C01FE-GR(T5L,F)
  仓库库存编号：HN2C01FE-GR(T5LF)CT-ND
  别名：HN2C01FE-GR(T5LF)CT
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 50V 150mA 800MHz 100mW Surface Mount ES6
  
  型号：HN2A01FE-GR(TE85LF
  仓库库存编号：HN2A01FE-GR(TE85LFCT-ND
  别名：HN2A01FE-GR(TE85LFCT
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 50V 150mA 80MHz 100mW Surface Mount ES6
  
  型号：HN2A01FE-Y(TE85L,F
  仓库库存编号：HN2A01FE-Y(TE85LFCT-ND
  别名：HN2A01FE-Y(TE85LFCT
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SM6
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 30V 500mA 200MHz 300mW Surface Mount SM6
  
  型号：HN1B04F(TE85L,F)
  仓库库存编号：HN1B04F(TE85LF)CT-ND
  别名：HN1B04F(TE85LF)CT
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  TRANS NPN 45V 0.1A SOT416
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 45V 100mA 100MHz 150mW Surface Mount SC-75
  
  型号：BC847AT,115
  仓库库存编号：568-11092-1-ND
  别名：568-11092-1
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  TRANS RF 15V 9GHZ SOT143B
  详细描述：RF Transistor NPN 15V 120mA 9GHz 400mW Surface Mount SOT-143B
  
  型号：BFG540,215
  仓库库存编号：568-11108-1-ND
  别名：568-11108-1
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  TRANS RF 15V 9GHZ SOT143B
  详细描述：RF Transistor NPN 15V 120mA 9GHz 400mW Surface Mount SOT-143B
  
  型号：BFG540,215
  仓库库存编号：568-11108-6-ND
  别名：568-11108-6
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  JFET N-CH 40V 250MW SOT23
  详细描述：JFET N-Channel 40V 250mW Surface Mount SOT-23 (TO-236AB)
  
  型号：BSR58,215
  仓库库存编号：568-11114-1-ND
  别名：568-11114-1
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  JFET N-CH 40V 250MW SOT23
  详细描述：JFET N-Channel 40V 250mW Surface Mount SOT-23 (TO-236AB)
  
  型号：BSR58,215
  仓库库存编号：568-11114-6-ND
  别名：568-11114-6
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  TRANS PNP 400V 1A TO-92
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 400V 1A 1.5W Through Hole TO-92
  
  型号：STX93003-AP
  仓库库存编号：497-12374-1-ND
  别名：497-12374-1
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Luminus Devices Inc.
  EMITTER UV 387NM 30A MODULE
  详细描述：Ultraviolet (UV) Emitter 382nm 3.7V 30A Module
  
  型号：CBT-120-UV-C14-M382-22
  仓库库存编号：CBT-120-UV-C14-M382-22-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Luminus Devices Inc.
  EMITTER UV 387NM 30A MODULE
  详细描述：Ultraviolet (UV) Emitter 382nm 3.7V 30A Module
  
  型号：CBT-120-UV-C14-P382-22
  仓库库存编号：CBT-120-UV-C14-P382-22-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE BAND SW SOD80 MINIMELF
  详细描述：RF Diode PIN - Single 35V 100mA SOD-80 MiniMELF
  
  型号：BA682-GS18
  仓库库存编号：BA682-GS18-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE BAND SW SOD80 MINIMELF
  详细描述：RF Diode PIN - Single 35V 100mA SOD-80 MiniMELF
  
  型号：BA683-GS18
  仓库库存编号：BA683-GS18-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE BAND SW SOD80
  详细描述：RF Diode Standard - Single 35V 100mA SOD-80 QuadroMELF
  
  型号：BA982-GS18
  仓库库存编号：BA982-GS18-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE BAND SW SOD80
  详细描述：RF Diode Standard - Single 35V 100mA SOD-80 QuadroMELF
  
  型号：BA983-GS18
  仓库库存编号：BA983-GS18-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE BAND SW SOD80 MINIMELF
  详细描述：RF Diode PIN - Single 35V 100mA SOD-80 MiniMELF
  
  型号：BA682-GS08
  仓库库存编号：BA682-GS08-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE BAND SW SOD80 MINIMELF
  详细描述：RF Diode PIN - Single 35V 100mA SOD-80 MiniMELF
  
  型号：BA683-GS08
  仓库库存编号：BA683-GS08-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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