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• Rohm Semiconductor
  TRANS NPN DARL 32V 0.3A SPT
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 32V 300mA 200MHz 300mW Through Hole SPT
  
  型号：2SC2062STPC
  仓库库存编号：2SC2062STPCCT-ND
  别名：2SC2062STPCCT
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Luminus Devices Inc.
  EMITTER UV 387NM 30A MODULE
  详细描述：Ultraviolet (UV) Emitter 382nm 3.7V 30A Module
  
  型号：CBT-120-UV-C14-N382-22
  仓库库存编号：1214-1175-ND
  别名：1214-1175
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Luminus Devices Inc.
  EMITTER UV 387NM 30A MODULE
  详细描述：Ultraviolet (UV) Emitter 382nm 3.7V 30A Module
  
  型号：CBT-120-UV-C31-M382-22
  仓库库存编号：1214-1187-ND
  别名：1214-1187
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Luminus Devices Inc.
  EMITTER UV 387NM 30A MODULE
  详细描述：Ultraviolet (UV) Emitter 382nm 3.7V 30A Module
  
  型号：CBT-120-UV-C31-N382-22
  仓库库存编号：1214-1188-ND
  别名：1214-1188
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Luminus Devices Inc.
  EMITTER UV 387NM 30A MODULE
  详细描述：Ultraviolet (UV) Emitter 382nm 3.7V 30A Module
  
  型号：CBT-120-UV-C31-P382-22
  仓库库存编号：1214-1192-ND
  别名：1214-1192
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Luminus Devices Inc.
  EMITTER UV 405NM 22.5A MODULE
  详细描述：Ultraviolet (UV) Emitter 400nm 3.4V 22.5A Module
  
  型号：CBT-90-UV-C31-FB400-22
  仓库库存编号：1214-1190-ND
  别名：1214-1190
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Luminus Devices Inc.
  EMITTER UV 405NM 22.5A MODULE
  详细描述：Ultraviolet (UV) Emitter 400nm 3.4V 22.5A Module
  
  型号：CBT-90-UV-C31-GA400-22
  仓库库存编号：1214-1191-ND
  别名：1214-1191
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Luminus Devices Inc.
  EMITTER UV 405NM 22.5A MODULE
  详细描述：Ultraviolet (UV) Emitter 400nm 3.4V 22.5A Module
  
  型号：CBT-90-UV-C31-GB400-22
  仓库库存编号：1214-1189-ND
  别名：1214-1189
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Sanken
  TRANS 4PNP 60V 3A 10-SIP
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 4 PNP (Quad) 60V 3A 4W Through Hole 10-SIP
  
  型号：STA421A
  仓库库存编号：STA421A-ND
  别名：STA421A DK
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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  不受无铅要求限制
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 20V 0.1A USV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 100mA（Ta） 200mW（Ta） USV
  
  型号：HN4K03JUTE85LF
  仓库库存编号：HN4K03JUTE85LFCT-ND
  别名：HN4K03JUTE85LFCT
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 30V 2.7A TSM
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 2.7A（Ta） 700mW（Ta） TSM
  
  型号：SSM3J14TTE85LF
  仓库库存编号：SSM3J14TTE85LFCT-ND
  别名：SSM3J14TTE85LFCT
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET 2N-CH 20V 0.1A US6
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 100mA 200mW Surface Mount US6
  
  型号：SSM6N16FUTE85LF
  仓库库存编号：SSM6N16FUTE85LFCT-ND
  别名：SSM6N16FUTE85LFCT
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS PNP 50V 0.1A
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 100mA 80MHz 100mW Surface Mount CST3
  
  型号：2SA2154CT-Y(TPL3)
  仓库库存编号：2SA2154CT-Y(TPL3)CT-ND
  别名：2SA2154CT-Y(TPL3)CT
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 20V 0.1A SSM
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 100mA（Ta） 100mW（Ta） SSM
  
  型号：2SK2035(T5L,F,T)
  仓库库存编号：2SK2035(T5LFT)CT-ND
  别名：2SK2035(T5LFT)CT
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS 2PNP 120V 0.1A SM6
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 120V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SM6
  
  型号：HN3A51F(TE85L,F)
  仓库库存编号：HN3A51F(TE85LF)CT-ND
  别名：HN3A51F(TE85LF)CT
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 120V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SM6
  
  型号：HN3C51F-BL(TE85L,F
  仓库库存编号：HN3C51F-BL(TE85LFCT-ND
  别名：HN3C51F-BL(TE85LF)CT
  HN3C51F-BL(TE85LF)CT-ND
  HN3C51F-BL(TE85LFCT
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 120V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SM6
  
  型号：HN3C51F-GR(TE85L,F
  仓库库存编号：HN3C51F-GR(TE85LFCT-ND
  别名：HN3C51F-GR(TE85LF)CT
  HN3C51F-GR(TE85LF)CT-ND
  HN3C51F-GR(TE85LFCT
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS 2PNP 120V 0.1A SMV
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter 120V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SMV
  
  型号：HN4A06J(TE85L,F)
  仓库库存编号：HN4A06J(TE85LF)CT-ND
  别名：HN4A06J(TE85LF)CT
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS RF NPN 7GHZ 80MA UFM
  详细描述：RF Transistor NPN 12V 80mA 7GHz 900mW Surface Mount UFM
  
  型号：MT3S20TU(TE85L)
  仓库库存编号：MT3S20TU(TE85L)CT-ND
  别名：MT3S20TU(TE85L)CT
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 20V 0.33A VESM
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 330mA（Ta） 150mW（Ta） VESM
  
  型号：SSM3J36MFV,L3F
  仓库库存编号：SSM3J36MFVL3FCT-ND
  别名：SSM3J36MFV(TL3T)CT
  SSM3J36MFV(TL3T)CT-ND
  SSM3J36MFVL3FCT
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 3.2A TSM
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 3.2A（Ta） 1.25W（Ta） TSM
  
  型号：SSM3K01T(TE85L,F)
  仓库库存编号：SSM3K01T(TE85LF)CT-ND
  别名：SSM3K01T(TE85LF)CT
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 3A TSM
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 3A（Ta） 700mW（Ta） TSM
  
  型号：SSM3K302T(TE85L,F)
  仓库库存编号：SSM3K302T(TE85LF)CT-ND
  别名：SSM3K302T(TE85LF)CT
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 20V 4.7A TSM
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 4.7A（Ta） 700mW（Ta） TSM
  
  型号：SSM3K309T(TE85L,F)
  仓库库存编号：SSM3K309T(TE85LF)CT-ND
  别名：SSM3K309T(TE85LF)CT
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 2.5A（Ta） 700mW（Ta） TSM
  
  型号：SSM3K318T,LF
  仓库库存编号：SSM3K318TLFCT-ND
  别名：SSM3K318TLFCT
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N/P-CH 20V 0.5A UF6 S
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 20V 500mA 500mW Surface Mount UF6
  
  型号：SSM6L11TU(TE85L,F)
  仓库库存编号：SSM6L11TU(TE85LF)CT-ND
  别名：SSM6L11TU(TE85LF)CT
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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