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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 900V 5A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 5A（Ta） 100W（Tc） TO-3P
  
  型号：2SK1340-E
  仓库库存编号：2SK1340-E-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 6A（Ta） 100W（Tc） TO-3P
  
  型号：2SK1341-E
  仓库库存编号：2SK1341-E-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 8A（Ta） 100W（Tc） TO-3P
  
  型号：2SK1342-E
  仓库库存编号：2SK1342-E-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 900V 8A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 8A（Ta） 60W（Tc） TO-3P
  
  型号：2SK1775-E
  仓库库存编号：2SK1775-E-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 6A（Ta） 60W（Tc） TO-3P
  
  型号：2SK1859-E
  仓库库存编号：2SK1859-E-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 1500V 2A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 1500V 2A（Ta） 50W（Tc） TO-3PFM
  
  型号：2SK2225-E
  仓库库存编号：2SK2225-E-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 250V 1A TO-92
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 1A（Ta） 900mW（Ta） TO-92MOD
  
  型号：2SK4093TZ-E
  仓库库存编号：2SK4093TZ-E-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 250V 0.4A TO-92
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 400mA（Ta） 750mW（Ta） TO-92
  
  型号：2SK4150TZ-E
  仓库库存编号：2SK4150TZ-E-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 150V 1A TO-92
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 1A（Ta） 750mW（Ta） TO-92
  
  型号：2SK4151TZ-E
  仓库库存编号：2SK4151TZ-E-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 600V 0.2A TO-92
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 200mA（Ta） 750mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：HS54095TZ-E
  仓库库存编号：HS54095TZ-E-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 40V 100A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Ta） 1.5W（Ta），119W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：N0413N-ZK-E1-AY
  仓库库存编号：N0413N-ZK-E1-AY-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 60V 100A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 100A（Ta） 1.5W（Ta），156W（Tc） TO-263
  
  型号：N0601N-ZK-E1-AY
  仓库库存编号：N0601N-ZK-E1-AY-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  IGBT 1100V 55A 227.2W TO247
  详细描述：IGBT 1100V 55A 227.2W Through Hole TO-247
  
  型号：RJH1BF6RDPQ-80#T2
  仓库库存编号：RJH1BF6RDPQ-80#T2-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  IGBT 1200V 40A 156.2W TO247
  详细描述：IGBT 1200V 40A 156.2W Through Hole TO-247
  
  型号：RJH1CF4RDPQ-80#T2
  仓库库存编号：RJH1CF4RDPQ-80#T2-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  IGBT 1200V 50A 192.3W TO247
  详细描述：IGBT 1200V 50A 192.3W Through Hole TO-247
  
  型号：RJH1CF5RDPQ-80#T2
  仓库库存编号：RJH1CF5RDPQ-80#T2-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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  IGBT 1200V 30A 245W TO247
  详细描述：IGBT 1200V 30A 245W Through Hole TO-247
  
  型号：RJH1CM5DPQ-E0#T2
  仓库库存编号：RJH1CM5DPQ-E0#T2-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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  IGBT 1200V 70A 320W TO247
  详细描述：IGBT Trench 1200V 70A 320W Through Hole TO-247
  
  型号：RJH1CV7DPQ-E0#T2
  仓库库存编号：RJH1CV7DPQ-E0#T2-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 60V 110A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 110A（Ta） 200W（Tc） TO-220AB
  
  型号：RJK0601DPN-E0#T2
  仓库库存编号：RJK0601DPN-E0#T2-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 60V 25A WPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 25A（Ta） 50W（Tc） 8-WPAK
  
  型号：RJK0658DPA-00#J5A
  仓库库存编号：RJK0658DPA-00#J5A-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 60V 30A WPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 30A（Ta） 55W（Tc） 8-WPAK
  
  型号：RJK0659DPA-00#J5A
  仓库库存编号：RJK0659DPA-00#J5A-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 60V 40A WPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 40A（Ta） 65W（Tc） 8-WPAK
  
  型号：RJK0660DPA-00#J5A
  仓库库存编号：RJK0660DPA-00#J5A-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 200V 40A LDPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 40A（Ta） 100W（Tc） 4-LDPAK
  
  型号：RJK2006DPE-00#J3
  仓库库存编号：RJK2006DPE-00#J3-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 200V 20A WPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 20A（Ta） 30W（Tc） 8-WPAK
  
  型号：RJK2057DPA-00#J0
  仓库库存编号：RJK2057DPA-00#J0-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 250V 65A TO3P
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 65A（Ta） 200W（Tc） TO-3P
  
  型号：RJK2511DPK-00#T0
  仓库库存编号：RJK2511DPK-00#T0-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 250V 17A TO3P
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 17A（Ta） 30W（Tc） 8-WPAK
  
  型号：RJK2555DPA-00#J0
  仓库库存编号：RJK2555DPA-00#J0-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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