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• Renesas Electronics America
  IGBT 600V 50A 122W LDPAK
  详细描述：IGBT Trench 600V 50A 122W Surface Mount 4-LDPAK
  
  型号：RJP60F0DPE-00#J3
  仓库库存编号：RJP60F0DPE-00#J3-ND
  别名：RJP60F0DPE00J3
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  IGBT 600V 16A 30W TO-220FL
  详细描述：IGBT Trench 600V 16A 30W Through Hole TO-220FL
  
  型号：RJH60V1BDPP-M0#T2
  仓库库存编号：RJH60V1BDPP-M0#T2-ND
  别名：RJH60V1BDPPM0T2
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  IGBT 600V 30A 113W LDPAK
  详细描述：IGBT Trench 600V 30A 113W Surface Mount 4-LDPAK
  
  型号：RJH60A85RDPE-00#J3
  仓库库存编号：RJH60A85RDPE-00#J3CT-ND
  别名：RJH60A85RDPE-00#J3CT
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  IGBT 600V 25A 33.8W TO-220FL
  详细描述：IGBT Trench 600V 25A 33.8W Through Hole TO-220FL
  
  型号：RJH60M2DPP-M0#T2
  仓库库存编号：RJH60M2DPP-M0#T2-ND
  别名：RJH60M2DPPM0T2
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  IGBT 600V 35A 39.7W TO-220FL
  详细描述：IGBT Trench 600V 35A 39.7W Through Hole TO-220FL
  
  型号：RJH60M3DPP-M0#T2
  仓库库存编号：RJH60M3DPP-M0#T2-ND
  别名：RJH60M3DPPM0T2
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  IGBT 600V 50A 201.6W TO-247A
  详细描述：IGBT Trench 600V 50A 201.6W Through Hole TO-247A
  
  型号：RJH60F0DPQ-A0#T0
  仓库库存编号：RJH60F0DPQ-A0#T0-ND
  别名：RJH60F0DPQA0T0
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  IGBT 600V 80A 260.4W TO-247A
  详细描述：IGBT Trench 600V 80A 260.4W Through Hole TO-247A
  
  型号：RJH60F5BDPQ-A0#T0
  仓库库存编号：RJH60F5BDPQ-A0#T0-ND
  别名：RJH60F5BDPQA0T0
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  IGBT 600V 80A 50W TO-3PFM
  详细描述：IGBT Trench 600V 80A 50W Through Hole TO-3PFM
  
  型号：RJH60D6DPM-00#T1
  仓库库存编号：RJH60D6DPM-00#T1-ND
  别名：RJH60D6DPM00T1
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 120V 88A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 120V 88A（Tc） 140W（Tc） TO-220
  
  型号：TK42E12N1,S1X
  仓库库存编号：TK42E12N1S1X-ND
  别名：TK42E12N1S1X
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 15.8A（Ta） 40W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK16A60W5,S4VX
  仓库库存编号：TK16A60W5S4VX-ND
  别名：TK16A60W5S4VX
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 30V 130A 8HVSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 130A（Tc） 1.5W（Ta），83W（Tc） 8-HVSON（5.4x5.15）
  
  型号：UPA2766T1A-E2-AY
  仓库库存编号：UPA2766T1A-E2-AYCT-ND
  别名：UPA2766T1A-E2-AYCT
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Broadcom Limited
  DIODE SCHOTTKY 15V 350MA SOT-23
  详细描述：RF Diode Schottky - 1 Pair Series Connection 15V 350mA 250mW SOT-23-3
  
  型号：HSMS-2702-TR1G
  仓库库存编号：516-2841-1-ND
  别名：516-2841-1
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 11.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 11.5A（Ta） 100W（Tc） DPAK
  
  型号：TK12P60W,RVQ
  仓库库存编号：TK12P60WRVQCT-ND
  别名：TK12P60WRVQCT
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 11.5A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 11.5A（Ta） 100W（Tc） I-Pak
  
  型号：TK12Q60W,S1VQ
  仓库库存编号：TK12Q60WS1VQ-ND
  别名：TK12Q60WS1VQ
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  TRANS NPN 80V 3A SOT-32
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 3A 30W Through Hole SOT-32
  
  型号：BD179
  仓库库存编号：BD179ST-ND
  别名：BD179ST
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  TRANS NPN 400V 4A SOT-82
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 400V 4A 55W Through Hole SOT-82-3
  
  型号：BULK128D-B
  仓库库存编号：BULK128D-B-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  TRANS PNP 60V 12A TO-220
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 12A 3MHz 75W Through Hole TO-220
  
  型号：BD708
  仓库库存编号：BD708-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  TRANS NPN 450V 80A ISOTOP
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 450V 80A 270W Chassis Mount ISOTOP
  
  型号：BUF460AV
  仓库库存编号：BUF460AV-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Maxim Integrated
  TRANS RF NPN 900MHZ 15V 8SOIC
  详细描述：RF Transistor NPN 15V 1.2A 1GHz 6.4W Surface Mount 8-SOIC-EP
  
  型号：MAX2601ESA-T
  仓库库存编号：MAX2601ESA-T-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Maxim Integrated
  TRANS RF NPN 900MHZ 15V 8SOIC
  详细描述：RF Transistor NPN 15V 1.2A 1GHz 6.4W Surface Mount 8-SOIC-EP
  
  型号：MAX2602ESA
  仓库库存编号：MAX2602ESA-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Maxim Integrated
  TRANS RF NPN 900MHZ 15V 8SOIC
  详细描述：RF Transistor NPN 15V 1.2A 1GHz 6.4W Surface Mount 8-SOIC-EP
  
  型号：MAX2602ESA-T
  仓库库存编号：MAX2602ESA-T-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Rohm Semiconductor
  TRANS NPN DARL 100V 8A TO220FN
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 8A 40MHz 2W Through Hole TO-220FN
  
  型号：2SD2607FU6
  仓库库存编号：2SD2607FU6-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Rohm Semiconductor
  TRANS 2PNP 50V 0.5A 6SMT
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 50V 500mA 200MHz 300mW Surface Mount SMT6
  
  型号：IMT17T208
  仓库库存编号：IMT17T208-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Rohm Semiconductor
  TRANS NPN/PNP 12V 3A 5TSMT
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP (Emitter Coupled) 12V 3A 280MHz 500mW Surface Mount TSMT5
  
  型号：QSZ3TR
  仓库库存编号：QSZ3TR-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 900V 3A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 3A（Ta） 80W（Tc） TO-3P
  
  型号：2SK1339-E
  仓库库存编号：2SK1339-E-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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