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• ON Semiconductor
  IC MOTOR DRIVER PAR 19SIP
  详细描述：电机驱动器 功率 MOSFET，IGBT 并联
  
  型号：STK681-310
  仓库库存编号：STK681-310OSCT-ND
  别名：STK681-310OSCT
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• CEL
  TRANS NPN LOW PRO M13 SMD
  详细描述：RF Transistor NPN 5.5V 100mA 4.5GHz 140mW Surface Mount M13
  
  型号：NE851M13-T3-A
  仓库库存编号：NE851M13-T3-ACT-ND
  别名：NE851M13-T3-ACT
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• CEL
  RF TRANSISTOR NPN SOT-89
  详细描述：RF Transistor NPN 15V 250mA 2W Surface Mount SOT-89
  
  型号：NE461M02-T1-AZ
  仓库库存编号：NE461M02-T1-AZCT-ND
  别名：NE461M02-T1-AZCT
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• CEL
  RF TRANSISTOR NPN SOT-343F
  详细描述：RF Transistor NPN 3.3V 35mA 25GHz 115mW Surface Mount SOT-343F
  
  型号：NE662M04-T2-A
  仓库库存编号：NE662M04-T2-ACT-ND
  别名：NE662M04-T2-ACT
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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  RF TRANSISTOR NPN SOT-343F
  详细描述：RF Transistor NPN 6V 100mA 12GHz 205mW Surface Mount SOT-343F
  
  型号：NE678M04-T2-A
  仓库库存编号：NE678M04-T2-ACT-ND
  别名：NE678M04-T2-ACT
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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  RF TRANSISTOR NPN SOT-143
  详细描述：RF Transistor NPN 12V 100mA 9GHz 200mW Surface Mount SOT-143
  
  型号：NE85639-T1-A
  仓库库存编号：NE85639-T1-ACT-ND
  别名：NE85639-T1-ACT
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• CEL
  TRANS NPN 2GHZ SOT-343
  详细描述：RF Transistor NPN 2.3V 35mA 60GHz 80mW Surface Mount M04
  
  型号：NESG2030M04-T2-A
  仓库库存编号：NESG2030M04-T2-ACT-ND
  别名：NESG2030M04-T2-ACT
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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  TRANS NPN 460MHZ SOT-89
  详细描述：RF Transistor NPN 9.2V 600mA 1.9W Surface Mount 3-PowerMiniMold
  
  型号：NESG260234-T1-AZ
  仓库库存编号：NESG260234-T1-AZCT-ND
  别名：NESG260234-T1-AZCT
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Luminus Devices Inc.
  EMITTER UV 387NM 30A MODULE
  详细描述：Ultraviolet (UV) Emitter 382nm 3.7V 30A Module
  
  型号：CBT-120-UV-C14-I382-22
  仓库库存编号：1214-1139-ND
  别名：1214-1139
  CBT120UVC14I38222
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Luminus Devices Inc.
  EMITTER UV 405NM 22.5A MODULE
  详细描述：Ultraviolet (UV) Emitter 400nm 3.4V 22.5A Module
  
  型号：CBT-90-UV-C11-GA400-22
  仓库库存编号：1214-1140-ND
  别名：1214-1140
  CBT-90-UV-C11-G400-22
  CBT90UVC11G40022
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA Through Hole 16-CDIP
  
  型号：SG2003J
  仓库库存编号：SG2003J-ND
  别名：1259-1080
  1259-1080-MIL
  1259-1080-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA Through Hole 16-CDIP
  
  型号：SG2003J-883B
  仓库库存编号：1259-1081-ND
  别名：1259-1081
  1259-1081-MIL
  Q10386303
  SG2003J883B
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA Through Hole 16-CDIP
  
  型号：SG2003J-JAN
  仓库库存编号：1259-1082-ND
  别名：1259-1082
  1259-1082-MIL
  M38510/14103BEA
  Q9387418
  SG2003JJAN
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TRANS 7NPN DARL 95V 0.5A 16DIP
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 95V 500mA Through Hole 16-CDIP
  
  型号：SG2023J-DESC
  仓库库存编号：1259-1083-ND
  别名：1259-1083
  1259-1083-MIL
  5962-8987601EA
  SG2023JDESC
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TRANS 8NPN DARL 95V 0.5A 18DIP
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 95V 500mA Through Hole 18-CDIP
  
  型号：SG2823J
  仓库库存编号：SG2823J-ND
  别名：1259-1086
  1259-1086-MIL
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TRANS 8NPN DARL 95V 0.5A 18DIP
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 95V 500mA Through Hole 18-CDIP
  
  型号：SG2823J-883B
  仓库库存编号：1259-1087-ND
  别名：1259-1087
  1259-1087-MIL
  SG2823J883B
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TRANS 8NPN DARL 95V 0.5A 18DIP
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 95V 500mA Through Hole 18-CDIP
  
  型号：SG2823J-DESC
  仓库库存编号：1259-1088-ND
  别名：1259-1088
  1259-1088-MIL
  5962-8968501VA
  SG2823JDESC
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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  RF TRANSISTOR NPN SOT-23
  详细描述：RF Transistor NPN 12V 100mA 7GHz 200mW Surface Mount SOT-23
  
  型号：NE85633-T1B-R23-A
  仓库库存编号：NE85633-T1B-R23-A-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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  RF TRANSISTOR NPN SOT-89
  详细描述：RF Transistor NPN 12V 100mA 6.5GHz 1.2W Surface Mount SOT-89
  
  型号：NE85634-T1-RE-A
  仓库库存编号：NE85634-T1-RE-A-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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  RF TRANSISTOR NPN SOT-23
  详细描述：RF Transistor NPN 12V 100mA 7GHz 200mW Surface Mount SOT-23
  
  型号：NE85633-R23-A
  仓库库存编号：NE85633-R23-A-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  IGBT 600V 40A 178.5W TO-3P
  详细描述：IGBT Trench 600V 40A 178.5W Through Hole TO-3P
  
  型号：RJH60F3DPK-00#T0
  仓库库存编号：RJH60F3DPK-00#T0-ND
  别名：RJH60F3DPK00T0
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  IGBT 600V 60A 235.8W TO-3P
  详细描述：IGBT Trench 600V 60A 235.8W Through Hole TO-3P
  
  型号：RJH60F4DPK-00#T0
  仓库库存编号：RJH60F4DPK-00#T0-ND
  别名：RJH60F4DPK00T0
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  IGBT 600V 25A 63W LDPAK
  详细描述：IGBT Trench 600V 25A 63W Surface Mount 4-LDPAK
  
  型号：RJH60D2DPE-00#J3
  仓库库存编号：RJH60D2DPE-00#J3CT-ND
  别名：RJH60D2DPE-00#J3CT
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  IGBT 600V 80A 45W TO-3PFM
  详细描述：IGBT Trench 600V 80A 45W Through Hole TO-3PFM
  
  型号：RJP60F5DPM-00#T1
  仓库库存编号：RJP60F5DPM-00#T1-ND
  别名：RJP60F5DPM00T1
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  IGBT 600V 45A 40W TO-3PFM
  详细描述：IGBT 600V 45A 40W Through Hole TO-3PFM
  
  型号：RJP60D0DPM-00#T1
  仓库库存编号：RJP60D0DPM-00#T1-ND
  别名：RJP60D0DPM00T1
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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