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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N/P-CH 30V 8A/6A MPT6
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 8A, 6A 2W Surface Mount MPT6
  
  型号：MP6M14TCR
  仓库库存编号：MP6M14TCRCT-ND
  别名：MP6M14TCRCT
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 7A MPT6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 7A（Ta） 2W（Ta） MPT6
  
  型号：RP1E070XNTCR
  仓库库存编号：RP1E070XNTCRCT-ND
  别名：RP1E070XNTCRCT
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 7.5A MPT6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 7.5A（Ta） 2W（Ta） MPT6
  
  型号：RP1E075RPTR
  仓库库存编号：RP1E075RPCT-ND
  别名：RP1E075RPTRCT
  RP1E075RPTRCT-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 9A MPT6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 9A（Ta） 2W（Ta） MPT6
  
  型号：RP1E090XNTCR
  仓库库存编号：RP1E090XNTCRCT-ND
  别名：RP1E090XNTCRCT
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 10A MPT6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 10A（Ta） 2W（Ta） MPT6
  
  型号：RP1E100XNTR
  仓库库存编号：RP1E100XNCT-ND
  别名：RP1E100XNTRCT
  RP1E100XNTRCT-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 12.5A MPT6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12.5A（Ta） 2W（Ta） MPT6
  
  型号：RP1E125XNTR
  仓库库存编号：RP1E125XNCT-ND
  别名：RP1E125XNTRCT
  RP1E125XNTRCT-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 45V 6.5A MPT6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 45V 6.5A（Ta） 2W（Ta） MPT6
  
  型号：RP1H065SPTR
  仓库库存编号：RP1H065SPCT-ND
  别名：RP1H065SPTRCT
  RP1H065SPTRCT-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 5.5A MPT6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 5.5A（Ta） 2W（Ta） MPT6
  
  型号：RP1L055SNTR
  仓库库存编号：RP1L055SNCT-ND
  别名：RP1L055SNTRCT
  RP1L055SNTRCT-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 8A MPT6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 8A（Ta） 2W（Ta） MPT6
  
  型号：RP1L080SNTR
  仓库库存编号：RP1L080SNCT-ND
  别名：RP1L080SNTRCT
  RP1L080SNTRCT-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET 2N-CH 30V 0.1A 2-2J1C
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 100mA 300mW Surface Mount US6
  
  型号：SSM6N48FU,RF
  仓库库存编号：SSM6N48FURFCT-ND
  别名：SSM6N48FURFCT
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  TRANS PNP 160V 1.5A TO-126
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 160V 1.5A 120MHz 1.5W Through Hole TO-126ML
  
  型号：2SA1507T
  仓库库存编号：2SA1507T-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  TRANS PNP 50V 2A MP
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 2A 420MHz 1W Through Hole 3-MP
  
  型号：2SA2127
  仓库库存编号：2SA2127-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  TRANS NPN 160V 0.7A NP
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 160V 700mA 120MHz 700mW Through Hole 3-NP
  
  型号：2SC3332S
  仓库库存编号：2SC3332SOS-ND
  别名：2SC3332S-ND
  2SC3332SOS
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  TRANS NPN 160V 0.7A NP
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 160V 700mA 120MHz 700mW Through Hole 3-NP
  
  型号：2SC3332T
  仓库库存编号：2SC3332T-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  TRANS NPN 50V 2A MP
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 2A 420MHz 1W Through Hole 3-MP
  
  型号：2SC6043
  仓库库存编号：2SC6043-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  TRANS NPN 50V 2A MP
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 2A 150MHz 1W Through Hole 3-MP
  
  型号：2SD1207S
  仓库库存编号：2SD1207S-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  TRANS NPN 50V 2A MP
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 2A 150MHz 1W Through Hole 3-MP
  
  型号：2SD1207T
  仓库库存编号：2SD1207T-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  TRANS NPN 50V 2A MP
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 2A 150MHz 1W Through Hole 3-MP
  
  型号：2SD1207U
  仓库库存编号：2SD1207U-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  TRANS NPN 20V 5A TO-126
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 20V 5A 120MHz 1.5W Through Hole TO-126ML
  
  型号：2SD1685F
  仓库库存编号：2SD1685F-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  TRANS NPN 50V 2A NP
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 2A 150MHz 750mW Through Hole 3-NP
  
  型号：2SD1835S
  仓库库存编号：2SD1835S-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  TRANS NPN 50V 2A NP
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 2A 150MHz 750mW Through Hole 3-NP
  
  型号：2SD1835T
  仓库库存编号：2SD1835T-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  JFET N-CH 1MA 100MW SPA
  详细描述：JFET N-Channel 1mA 100mW Through Hole 3-SPA
  
  型号：2SK596S-B
  仓库库存编号：2SK596S-B-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  DIODE BRIDGE 1PH 25A 600V SIP
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 6A Through Hole
  
  型号：DBD250G
  仓库库存编号：DBD250G-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  DIODE BRIDGE 1PH 1A 600V 4SIP
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 1A Through Hole
  
  型号：DBF10G
  仓库库存编号：DBF10G-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  DIODE BRIDGE 1PH 1A 600V TH
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 1A Through Hole
  
  型号：DBF10TG
  仓库库存编号：DBF10TG-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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