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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V 35A TO220NIS
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 35A（Ta） 35W（Tc） TO-220NIS
  
  型号：2SK3662(F)
  仓库库存编号：2SK3662(F)-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V 45A TO220NIS
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 45A（Ta） 45W（Tc） TO-220NIS
  
  型号：2SK3844(Q)
  仓库库存编号：2SK3844(Q)-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 500V 5A TO220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 5A（Ta） 35W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：2SK3868(Q,M)
  仓库库存编号：2SK3868(Q,M)-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 20A TO-3PN
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 20A（Ta） 150W（Tc） TO-3P（N）
  
  型号：2SK3906(Q)
  仓库库存编号：2SK3906(Q)-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 13A TO220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 13A（Ta） 50W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：2SK4016(Q)
  仓库库存编号：2SK4016(Q)-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 250V 4.5A PW-MOLD2
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 4.5A（Ta） 20W（Tc） PW-MOLD2
  
  型号：2SK4021(Q)
  仓库库存编号：2SK4021(Q)-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  IGBT 400V 1W 8-SOIC
  详细描述：IGBT 400V 1W Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
  
  型号：GT10G131(TE12L,Q)
  仓库库存编号：GT10G131(TE12L,Q)-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  IGBT 600V 10A 60W TO220SM
  详细描述：IGBT 600V 10A 60W Surface Mount TO-220SM
  
  型号：GT10J312(Q)
  仓库库存编号：GT10J312(Q)-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH
  详细描述：IGBT 1000V 60A 170W Through Hole TO-3P(LH)
  
  型号：GT60N321(Q)
  仓库库存编号：GT60N321(Q)-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  IGBT 400V 600MW 8TSSOP
  详细描述：IGBT 400V 600mW Surface Mount 8-TSSOP
  
  型号：GT8G133(TE12L,Q)
  仓库库存编号：GT8G133(TE12L,Q)-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  IGBT 600V 50A 240W TO3P LH
  详细描述：IGBT 600V 50A 240W Through Hole TO-3P(LH)
  
  型号：GT50J121(Q)
  仓库库存编号：GT50J121(Q)-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP（5.5x6.0）
  
  型号：TPC8026(TE12L,Q,M)
  仓库库存编号：TPC8026(TE12L,Q,M)-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 18A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP（5.5x6.0）
  
  型号：TPC8036-H(TE12L,QM
  仓库库存编号：TPC8036-H(TE12L,QM-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 40A 8SOIC ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 40A（Ta） 1.6W（Ta），45W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPCA8025(TE12L,Q,M
  仓库库存编号：TPCA8025(TE12L,Q,M-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 38A 8SOIC ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 38A（Ta） 1.6W（Ta），45W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPCA8036-H(TE12L,Q
  仓库库存编号：TPCA8036-H(TE12L,Q-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 34A 8SOP ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 34A（Ta） 1.6W（Ta），45W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPCA8A02-H(TE12LQM
  仓库库存编号：TPCA8A02-H(TE12LQM-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 44A 8SOP ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 44A（Ta） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPCA8A04-H(TE12L,Q
  仓库库存编号：TPCA8A04-H(TE12L,Q-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 100V 2.2A PS-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 2.2A（Ta） 840mW（Ta） PS-8 (2.9x2.4)
  
  型号：TPCP8003-H(TE85L,F
  仓库库存编号：TPCP8003-H(TE85L,F-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  TRANS NPN 400V 1.5A TO-92
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 400V 1.5A 1.5W Through Hole TO-92-3
  
  型号：STBV32G
  仓库库存编号：497-8887-ND
  别名：497-8887
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  TRANS NPN 400V 1A TO-92
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 400V 1A 1W Through Hole TO-92-3
  
  型号：STBV42G
  仓库库存编号：497-8888-ND
  别名：497-8888
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  TRANS NPN 400V 2A TO-92
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 400V 2A 2.5W Through Hole TO-92
  
  型号：STX13004G
  仓库库存编号：497-8904-5-ND
  别名：497-8904-5
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 18A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP（5.5x6.0）
  
  型号：TPC8042(TE12L,Q,M)
  仓库库存编号：TPC8042TE12LQMCT-ND
  别名：TPC8042TE12LQM
  TPC8042TE12LQMCT
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V 35A 8-SOP ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 35A（Ta） 1.6W（Ta），45W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPCA8048-H(TE12L,Q
  仓库库存编号：TPCA8048-HTE12LQCT-ND
  别名：TPCA8048-HTE12LQCT
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 11A PS-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11A（Ta） 840mW（Ta） PS-8 (2.9x2.4)
  
  型号：TPCP8005-H(TE85L,F
  仓库库存编号：TPCP8005-HTE85LFCT-ND
  别名：TPCP8005-HTE85LFCT
  TPCP8005HTE85LF
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 8A TO220FN
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 8A（Ta） 35W（Tc） TO-220FN
  
  型号：RDN080N25FU6
  仓库库存编号：RDN080N25FU6-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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