规格：工作温度 150°C（TJ）,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(10964)
电路保护
(14)
分立半导体产品
(10815)
集成电路（IC）
(110)
光电元件
(25)
筛选品牌
Broadcom Limited(458)
CEL(239)
Comchip Technology(6)
Cree/Wolfspeed(2)
Dialog Semiconductor GmbH(1)
Diodes Incorporated(5)
Exar Corporation(1)
Fairchild/Micross Components(1410)
Fairchild/ON Semiconductor(342)
Infineon Technologies(688)
Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas(19)
Intersil(28)
IXYS(14)
IXYS Integrated Circuits Division(4)
Kionix Inc.(706)
LED Engin Inc.(2)
Luminus Devices Inc.(23)
Maxim Integrated(8)
Micro Commercial Co(38)
Microsemi Corporation(2)
Microsemi Solutions Sdn Bhd.(13)
Nexperia USA Inc.(787)
NXP USA Inc.(317)
ON Semiconductor(1262)
Panasonic - ATG(144)
Panasonic - BSG(50)
Panasonic - DTG(9)
Panasonic Electric Works(10)
Panasonic Electronic Components(222)
Panasonic Industrial Automation Sales(366)
Renesas Electronics America(311)
Rohm Semiconductor(575)
Sanken(302)
SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation(1)
Skyworks Solutions Inc.(33)
STMicroelectronics(1131)
Taiwan Semiconductor Corporation(257)
Texas Instruments(7)
Torex Semiconductor Ltd(10)
Toshiba Semiconductor and Storage(998)
Trinamic Motion Control GmbH(1)
Vishay BC Components(6)
Vishay Beyschlag(17)
Vishay Electro-Films(5)
Vishay Sfernice(6)
Vishay Siliconix(5)
WeEn Semiconductors(123)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
IXYS
IC MOD DIODE 3PHASE BRIDGE UGB3
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 10500V 1.2A Chassis Mount UGB-3
型号：
UGD8124AG
仓库库存编号：
UGD8124AG-ND
规格：工作温度 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 100A 480W ECONO
详细描述：IGBT Module 1200V 100A 480W Chassis Mount ECONO2 4PACK
型号：
VS-GB75YF120N
仓库库存编号：
VS-GB75YF120N-ND
别名：VSGB75YF120N
规格：工作温度 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 100A 480W ECONO
详细描述：IGBT Module 1200V 100A 480W Chassis Mount ECONO2 4PACK
型号：
VS-GB75YF120UT
仓库库存编号：
VS-GB75YF120UT-ND
别名：VSGB75YF120UT
规格：工作温度 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK
详细描述：IGBT Module Half Bridge 1200V 200A 833W Chassis Mount Double INT-A-PAK
型号：
VS-GB100TH120N
仓库库存编号：
VS-GB100TH120N-ND
别名：VSGB100TH120N
规格：工作温度 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Luminus Devices Inc.
EMITTER UV 387NM 30A MODULE
详细描述：Ultraviolet (UV) Emitter 400nm 3.4V 30A Module
型号：
CBT-120-UV-C14-R400-22
仓库库存编号：
CBT-120-UV-C14-R400-22-ND
规格：工作温度 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Luminus Devices Inc.
EMITTER UV 387NM 30A MODULE
详细描述：Ultraviolet (UV) Emitter 400nm 3.4V 30A Module
型号：
CBT-120-UV-C31-R400-22
仓库库存编号：
CBT-120-UV-C31-R400-22-ND
规格：工作温度 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 300A 1008W INT-A-PAK
详细描述：IGBT Module Half Bridge 1200V 300A 1008W Chassis Mount Double INT-A-PAK
型号：
VS-GB150TH120N
仓库库存编号：
VS-GB150TH120N-ND
别名：VSGB150TH120N
规格：工作温度 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 360A 1136W INT-A-PAK
详细描述：IGBT Module Half Bridge 1200V 360A 1136W Chassis Mount Double INT-A-PAK
型号：
VS-GB200TH120N
仓库库存编号：
VS-GB200TH120N-ND
别名：VSGB200TH120N
规格：工作温度 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 330A 1316W INT-A-PAK
详细描述：IGBT Module Half Bridge 1200V 330A 1316W Chassis Mount Double INT-A-PAK
型号：
VS-GB200TH120U
仓库库存编号：
VS-GB200TH120U-ND
别名：VSGB200TH120U
规格：工作温度 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 500A 1645W INT-A-PAK
详细描述：IGBT Module Half Bridge 1200V 500A 1645W Chassis Mount Double INT-A-PAK
型号：
VS-GB300TH120N
仓库库存编号：
VS-GB300TH120N-ND
别名：VSGB300TH120N
规格：工作温度 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 530A 2119W INT-A-PAK
详细描述：IGBT Module Half Bridge 1200V 530A 2119W Chassis Mount Double INT-A-PAK
型号：
VS-GB300TH120U
仓库库存编号：
VS-GB300TH120U-ND
别名：VSGB300TH120U
规格：工作温度 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 30V 100mA 250MHz 330mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BC848BE6327HTSA1
仓库库存编号：
BC848BE6327HTSA1CT-ND
别名：BC 848B E6327CT
BC 848B E6327CT-ND
规格：工作温度 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 30V 100mA 250MHz 330mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BC848AE6327HTSA1
仓库库存编号：
BC848AE6327HTSA1TR-ND
别名：BC 848A E6327
BC 848A E6327-ND
BC848AE6327XT
SP000010568
规格：工作温度 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 30V 100mA 250MHz 330mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BC848CE6327HTSA1
仓库库存编号：
BC848CE6327HTSA1CT-ND
别名：BC 848C E6327CT
BC 848C E6327CT-ND
规格：工作温度 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 30V 100mA 250MHz 330mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BC849BE6327HTSA1
仓库库存编号：
BC849BE6327HTSA1CT-ND
别名：BC 849B E6327CT
BC 849B E6327CT-ND
规格：工作温度 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 30V 100mA 250MHz 330mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BC849CE6327HTSA1
仓库库存编号：
BC849CE6327HTSA1CT-ND
别名：BC 849C E6327CT
BC 849C E6327CT-ND
规格：工作温度 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS NPN 45V 0.1A SOT-23
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 45V 100mA 250MHz 330mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BC850CE6327HTSA1
仓库库存编号：
BC850CE6327HTSA1CT-ND
别名：BC850CE6327INCT
BC850CE6327INCT-ND
规格：工作温度 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS NPN 45V 0.1A SOT-23
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 45V 100mA 250MHz 330mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BC850BE6327HTSA1
仓库库存编号：
BC850BE6327HTSA1CT-ND
别名：BC 850B E6327CT
BC 850B E6327CT-ND
规格：工作温度 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS PNP 30V 0.1A SOT-23
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 30V 100mA 250MHz 330mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BC858AE6327HTSA1
仓库库存编号：
BC858AE6327HTSA1TR-ND
别名：BC 858A E6327
BC 858A E6327-ND
BC858AE6327XT
SP000010636
规格：工作温度 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS PNP 30V 0.1A SOT-23
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 30V 100mA 250MHz 330mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BC858BE6327HTSA1
仓库库存编号：
BC858BE6327HTSA1CT-ND
别名：BC 858B E6327CT
BC 858B E6327CT-ND
规格：工作温度 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS PNP 30V 0.1A SOT-23
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 30V 100mA 250MHz 330mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BC858CE6327HTSA1
仓库库存编号：
BC858CE6327HTSA1CT-ND
别名：BC 858C E6327CT
BC 858C E6327CT-ND
规格：工作温度 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS PNP 45V 0.1A SOT-23
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 45V 100mA 250MHz 330mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BC860BE6327HTSA1
仓库库存编号：
BC860BE6327HTSA1CT-ND
别名：BC 860B E6327CT
BC 860B E6327CT-ND
规格：工作温度 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS NPN 32V 0.1A SOT-23
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 32V 100mA 250MHz 330mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BCW60BE6327HTSA1
仓库库存编号：
BCW60BE6327HTSA1TR-ND
别名：BCW 60B E6327
BCW 60B E6327-ND
BCW60BE6327XT
SP000010551
规格：工作温度 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS NPN 45V 0.1A SOT-23
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 45V 100mA 250MHz 330mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BCX70GE6327HTSA1
仓库库存编号：
BCX70GE6327HTSA1TR-ND
别名：BCX 70G E6327
BCX 70G E6327-ND
BCX70GE6327XT
SP000010555
规格：工作温度 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS NPN 32V 0.1A SOT-23
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 32V 100mA 250MHz 330mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BCW60CE6327HTSA1
仓库库存编号：
BCW60CE6327HTSA1CT-ND
别名：BCW 60C E6327CT
BCW 60C E6327CT-ND
规格：工作温度 150°C（TJ）,
无铅
搜索
247
248
249
250
251
252
253
254
255
256
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
