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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP
详细描述：IGBT Module 600V 138A 543W Chassis Mount MTP
型号：
VS-150MT060WDF
仓库库存编号：
VS-150MT060WDF-ND
规格：工作温度 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 600V 138A 500W INT-A-PAK
详细描述：IGBT Module NPT Half Bridge 600V 138A 500W Chassis Mount INT-A-PAK
型号：
VS-GB150TS60NPBF
仓库库存编号：
VS-GB150TS60NPBF-ND
别名：VSGB150TS60NPBF
规格：工作温度 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 200A 650W INT-A-PAK
详细描述：IGBT Module Half Bridge 1200V 200A 650W Chassis Mount INT-A-PAK
型号：
VS-GB100TP120N
仓库库存编号：
VS-GB100TP120N-ND
别名：VSGB100TP120N
规格：工作温度 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOD IGBT BUCK 1200V 180A Y3-DCB
详细描述：IGBT Module NPT Single 1200V 180A 760W Chassis Mount Y3-DCB
型号：
MDI150-12A4
仓库库存编号：
MDI150-12A4-ND
规格：工作温度 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOD IGBT RBSOA 1200V 180A Y3-DCB
详细描述：IGBT Module NPT Single 1200V 180A 760W Chassis Mount Y3-DCB
型号：
MID150-12A4
仓库库存编号：
MID150-12A4-ND
规格：工作温度 150°C（TJ）,
无铅
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Luminus Devices Inc.
BIG CHIP UV LED 405NM
详细描述：Ultraviolet (UV) Emitter 400nm 3.5V 6A Module
型号：
CBT-39-UV-C32-DA400-22
仓库库存编号：
CBT-39-UV-C32-DA400-22-ND
规格：工作温度 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOD IGBT BUCK 1200V 270A Y3-DCB
详细描述：IGBT Module NPT Single 1200V 270A 1130W Chassis Mount Y3-DCB
型号：
MDI200-12A4
仓库库存编号：
MDI200-12A4-ND
规格：工作温度 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOD IGBT RBSOA 1200V 270A Y3-DCB
详细描述：IGBT Module NPT Single 1200V 270A 1130W Chassis Mount Y3-DCB
型号：
MID200-12A4
仓库库存编号：
MID200-12A4-ND
规格：工作温度 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOD IGBT RBSOA 1200V 180A Y3-DCB
详细描述：IGBT Module NPT Half Bridge 1200V 180A 760W Chassis Mount Y3-DCB
型号：
MII150-12A4
仓库库存编号：
MII150-12A4-ND
规格：工作温度 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
IC MOD DIODE 1PHASE BRIDGE UGB1
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 4800V 1.3A Chassis Mount UGB-1
型号：
UGB3132AD
仓库库存编号：
UGB3132AD-ND
规格：工作温度 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 66A 330W ECONO
详细描述：IGBT Module 1200V 66A 330W Chassis Mount ECONO2 4PACK
型号：
VS-GB50YF120N
仓库库存编号：
VS-GB50YF120N-ND
别名：VSGB50YF120N
规格：工作温度 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 280A 1147W INT-A-PAK
详细描述：IGBT Module Half Bridge 1200V 280A 1147W Chassis Mount Double INT-A-PAK
型号：
VS-GB150TH120U
仓库库存编号：
VS-GB150TH120U-ND
别名：VSGB150TH120U
规格：工作温度 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOD IGBT RBSOA 1200V 270A Y3-DCB
详细描述：IGBT Module NPT Half Bridge 1200V 270A 1130W Chassis Mount Y3-DCB
型号：
MII200-12A4
仓库库存编号：
MII200-12A4-ND
规格：工作温度 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOD IGBT BUCK 1200V 670A Y3-DCB
详细描述：IGBT Module NPT Single 1200V 670A 2750W Chassis Mount Y3-DCB
型号：
MDI550-12A4
仓库库存编号：
MDI550-12A4-ND
规格：工作温度 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOD IGBT RBSOA 1200V 670A Y3-DCB
详细描述：IGBT Module NPT Single 1200V 670A 2750W Chassis Mount Y3-DCB
型号：
MID550-12A4
仓库库存编号：
MID550-12A4-ND
规格：工作温度 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 500A 1645W INT-A-PAK
详细描述：IGBT Module Single 1200V 500A 1645W Chassis Mount Double INT-A-PAK
型号：
VS-GB300LH120N
仓库库存编号：
VS-GB300LH120N-ND
别名：VSGB300LH120N
规格：工作温度 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 500A 1645W INT-A-PAK
详细描述：IGBT Module Single 1200V 500A 1645W Chassis Mount Double INT-A-PAK
型号：
VS-GB300NH120N
仓库库存编号：
VS-GB300NH120N-ND
别名：VSGB300NH120N
规格：工作温度 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 550A 2841W INT-A-PAK
详细描述：IGBT Module Single 1200V 550A 2841W Chassis Mount Double INT-A-PAK
型号：
VS-GB400AH120U
仓库库存编号：
VS-GB400AH120U-ND
别名：VSGB400AH120U
规格：工作温度 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
IC MOD DIODE 1PHASE BRIDGE UGB1
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 10500V 1A Chassis Mount UGB-1
型号：
UGB6124AG
仓库库存编号：
UGB6124AG-ND
规格：工作温度 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 150A 543W INT-A-PAK
详细描述：IGBT Module Half Bridge 1200V 150A 543W Chassis Mount INT-A-PAK
型号：
VS-GB75TP120N
仓库库存编号：
VS-GB75TP120N-ND
别名：VSGB75TP120N
规格：工作温度 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
IC MOD DIODE 3PHASE BRIDGE UGB3
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 7200V 1.8A Chassis Mount UGB-3
型号：
UGD6123AG
仓库库存编号：
UGD6123AG-ND
规格：工作温度 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 660A 2660W INT-A-PAK
详细描述：IGBT Module NPT Half Bridge 1200V 660A 2660W Chassis Mount Double INT-A-PAK
型号：
VS-GB400TH120U
仓库库存编号：
VS-GB400TH120U-ND
别名：VSGB400TH120U
规格：工作温度 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK
详细描述：IGBT Module Single 1200V 200A 833W Chassis Mount Double INT-A-PAK
型号：
VS-GB100NH120N
仓库库存编号：
VS-GB100NH120N-ND
别名：VSGB100NH120N
规格：工作温度 150°C（TJ）,
无铅
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Luminus Devices Inc.
EMITTER UV 387NM 30A MODULE
详细描述：Ultraviolet (UV) Emitter 400nm 3.4V 30A Module
型号：
CBT-120-UV-C14-P400-22
仓库库存编号：
CBT-120-UV-C14-P400-22-ND
规格：工作温度 150°C（TJ）,
无铅
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Luminus Devices Inc.
EMITTER UV 387NM 30A MODULE
详细描述：Ultraviolet (UV) Emitter 400nm 3.4V 30A Module
型号：
CBT-120-UV-C31-P400-22
仓库库存编号：
CBT-120-UV-C31-P400-22-ND
规格：工作温度 150°C（TJ）,
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