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• Panasonic Electronic Components
  TRANS PNP 40V 10A TO-220F
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 150MHz Through Hole TO-220F-A1
  
  型号：2SB0947AP
  仓库库存编号：2SB0947AP-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 30.8A 5DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30.8A（Ta） 240W（Tc） 5-DFN（8x8）
  
  型号：TK31V60W,LVQ
  仓库库存编号：TK31V60WLVQCT-ND
  别名：TK31V60WLVQCT
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Panasonic Electronic Components
  TRANS NPN 120V 6A TOP-3F
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 20MHz Through Hole TOP-3F-A1
  
  型号：2SD20640S
  仓库库存编号：2SD20640S-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Sanken
  MOSFET 4N-CH 100V 10A 12SIP
  详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel 100V 10A 5W Through Hole 12-SIP
  
  型号：SLA5037
  仓库库存编号：SLA5037-ND
  别名：SLA5037 DK
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Sanken
  MOSFET N-CH 330V 30A TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Ta） 85W（Tc） TO-3P
  
  型号：FKP330C
  仓库库存编号：FKP330C-ND
  别名：FKP330C DK
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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  MOSFET 6N-CH 250V 7A 12-SIP
  详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 250V 7A 4W Through Hole 12-SIP
  
  型号：SMA5112
  仓库库存编号：SMA5112-ND
  别名：SMA5112 DK
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 20A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Ta） 165W（Tc） TO-247
  
  型号：TK20N60W,S1VF
  仓库库存编号：TK20N60WS1VF-ND
  别名：TK20N60W,S1VF(S
  TK20N60WS1VF
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  IGBT 600V 75A 200W TO-247
  详细描述：IGBT Trench Through Hole TO-247
  
  型号：RJH60D5BDPQ-E0#T2
  仓库库存编号：RJH60D5BDPQ-E0#T2-ND
  别名：RJH60D5BDPQE0T2
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 2.5A（Ta） 100W（Tc） TO-3P
  
  型号：2SK1317-E
  仓库库存编号：2SK1317-E-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IC MOTOR DRIVER 500V QFN
  详细描述：Half Bridge Driver AC Motors UMOS 31-PQFN (8x9)
  
  型号：IRSM807-105MH
  仓库库存编号：IRSM807-105MH-ND
  别名：SP001543516
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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  MOSFET 4N-CH 200V 10A 12SIP
  详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel 200V 10A 5W Through Hole 12-SIP
  
  型号：SLA5041
  仓库库存编号：SLA5041-ND
  别名：SLA5041 DK
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 500V 25A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 25A（Ta） 150W（Ta） TO-3P
  
  型号：RJK5015DPK-00#T0
  仓库库存编号：RJK5015DPK-00#T0-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IC MOTOR DRIVER PAR POWERSO36
  详细描述：双极性 电机驱动器 DMOS 并联 PowerSO-36
  
  型号：E-L6258EATR
  仓库库存编号：E-L6258EATR-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 100V 80A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Ta） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：RJK1001DPP-E0#T2
  仓库库存编号：RJK1001DPP-E0#T2-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  IGBT 600V 90A 300W TO3P
  详细描述：IGBT Trench Through Hole TO-3P
  
  型号：RJH60D7DPK-00#T0
  仓库库存编号：RJH60D7DPK-00#T0-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 500V 25A TO3PFM
  详细描述：通孔 N 沟道 25A（Ta） 60W（Tc） TO-3PFM
  
  型号：RJK5015DPM-00#T1
  仓库库存编号：RJK5015DPM-00#T1-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IC MOTOR DRIVER PAR POWERSO36
  详细描述：双极性 电机驱动器 DMOS 并联 PowerSO-36
  
  型号：E-L6258EA
  仓库库存编号：E-L6258EA-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  IGBT 600V 85A 297.6W TO247A
  详细描述：IGBT Trench Through Hole TO-247A
  
  型号：RJH60F6DPQ-A0#T0
  仓库库存编号：RJH60F6DPQ-A0#T0-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  IGBT 600V 90A 300W TO-3P
  详细描述：IGBT Trench Through Hole TO-3P
  
  型号：RJH60D7ADPK-00#T0
  仓库库存编号：RJH60D7ADPK-00#T0-ND
  别名：RJH60D7ADPK00T0
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Sanken
  MOSFET 4N-CH 60V 7A 15-SIP
  详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel 60V 7A 4.8W Through Hole 15-SIP
  
  型号：SLA5065 LF830
  仓库库存编号：SLA5065 LF830-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 30.8A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 30.8A（Ta） 230W（Tc） TO-220
  
  型号：TK31E60W,S1VX
  仓库库存编号：TK31E60WS1VX-ND
  别名：TK31E60W,S1VX(S
  TK31E60WS1VX
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 30.8A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK31A60W,S4VX
  仓库库存编号：TK31A60WS4VX-ND
  别名：TK31A60W,S4VX(M
  TK31A60WS4VX
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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  MOSFET 6N-CH 60V 7A 15-SIP
  详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 60V 7A 5W Through Hole 15-SIP
  
  型号：SLA5068 LF853
  仓库库存编号：SLA5068 LF853-ND
  别名：SLA5058 LF853
  SLA5058 LF853-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 1500V 4A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Ta） 125W（Tc） TO-3P
  
  型号：2SK1835-E
  仓库库存编号：2SK1835-E-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  TRANS NPN 125V 32A TO-247
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 125V 32A 200W Through Hole TO-247-3
  
  型号：BUT70W
  仓库库存编号：497-7213-5-ND
  别名：497-7213-5
  BUT70W-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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