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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 550V 12.5A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 12.5A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK13A55DA(STA4,QM)
  仓库库存编号：TK13A55DA(STA4QM)-ND
  别名：TK13A55DA(STA4QM)
  TK13A55DASTA4QM
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta） 100W（Tc） LPTS
  
  型号：R5016ANJTL
  仓库库存编号：R5016ANJTL-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Maxim Integrated
  TRANS RF NPN 900MHZ 15V 8SOIC
  详细描述：RF Transistor NPN 15V 1.2A 1GHz 6.4W Surface Mount 8-SOIC-EP
  
  型号：MAX2601ESA+T
  仓库库存编号：MAX2601ESA+T-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） 100W（Tc） LPTS
  
  型号：R6015ANJTL
  仓库库存编号：R6015ANJTL-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS NPN 160V 18A TO-3PL
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 30MHz Through Hole TO-3P(L)
  
  型号：TTC0002(Q)
  仓库库存编号：TTC0002(Q)-ND
  别名：TTC0002Q
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Sanken
  MOSFET 3N/3P-CH 60V 4A 12-SIP
  详细描述：Mosfet Array 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) 60V 4A 5W Through Hole 12-SIP
  
  型号：SLA5059
  仓库库存编号：SLA5059-ND
  别名：SLA5059 DK
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 100V MP-25/TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 1.5W（Ta），84W（Tc） TO-220AB
  
  型号：2SK3480-AZ
  仓库库存编号：2SK3480-AZ-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Maxim Integrated
  TRANS RF NPN 900MHZ 15V 8SOIC
  详细描述：RF Transistor NPN 15V 1.2A 1GHz 6.4W Surface Mount 8-SOIC-EP
  
  型号：MAX2602ESA+T
  仓库库存编号：MAX2602ESA+T-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS PNP 160V 18A TO-3PL
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 30MHz Through Hole TO-3P(L)
  
  型号：TTA0002(Q)
  仓库库存编号：TTA0002(Q)-ND
  别名：TTA0002Q
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 500V 13A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 13A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK13A50D(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK13A50D(STA4QM)-ND
  别名：TK13A50D(STA4QM)
  TK13A50DSTA4QM
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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  TRANS 4NPN DARL 120V 5A 12SIP
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 4 NPN Darlington (Quad) 120V 5A 5W Through Hole 12-SIP
  
  型号：SLA4060
  仓库库存编号：SLA4060-ND
  别名：SLA4060 DK
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 11.5A（Ta） 110W（Tc） TO-220
  
  型号：TK12E60W,S1VX
  仓库库存编号：TK12E60WS1VX-ND
  别名：TK12E60W,S1VX(S
  TK12E60WS1VX
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 800V TO-3PN
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Ta） 250W（Tc） TO-3P（N）
  
  型号：TK10J80E,S1E
  仓库库存编号：TK10J80ES1E-ND
  别名：TK10J80E,S1E(S
  TK10J80ES1E
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 25V 35A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 43A（Ta），269A（Tc） 2.7W（Ta）, 104W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4H013NFT3G
  仓库库存编号：NTMFS4H013NFT3G-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 100A
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Ta） 1.65W（Ta），90W（Tc） TO-262-3
  
  型号：2SK4066-1E
  仓库库存编号：2SK4066-1E-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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  TRANS 120V 2A 12SIP
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 120V 2A Through Hole 15-SIP
  
  型号：SLA4036
  仓库库存编号：SLA4036-ND
  别名：SLA4036 DK
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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  TRANS 4NPN DARL 200V 3A 12SIP
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 4 NPN Darlington (Quad) 200V 3A 5W Through Hole 12-SIP
  
  型号：SLA4041
  仓库库存编号：SLA4041-ND
  别名：SLA4041 DK
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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  IGBT 600V 16A TO-3PF
  详细描述：IGBT Surface Mount TO-3PF-3
  
  型号：FGM622S
  仓库库存编号：FGM622S-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 550V 14A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Ta） 50W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK14A55D(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK14A55D(STA4QM)-ND
  别名：TK14A55D(STA4QM)
  TK14A55DSTA4QM
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 650V 13.7A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 13.7A（Ta） 130W（Tc） I2PAK
  
  型号：TK14C65W5,S1Q
  仓库库存编号：TK14C65W5S1Q-ND
  别名：TK14C65W5,S1Q(S
  TK14C65W5,S1Q(S2
  TK14C65W5,S1Q-ND
  TK14C65W5S1Q
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 75V 70A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 70A（Ta） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：RJK0703DPN-E0#T2
  仓库库存编号：RJK0703DPN-E0#T2-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 100V 50A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Ta） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：RJK1003DPN-E0#T2
  仓库库存编号：RJK1003DPN-E0#T2-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 100A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 1.65W（Ta），90W（Tc） TO-263-2
  
  型号：2SK4066-DL-1E
  仓库库存编号：2SK4066-DL-1E-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Sanken
  TRANS 4NPN DARL 120V 5A 12SIP
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 4 NPN Darlington (Quad) 120V 5A 5W Through Hole 12-SIP
  
  型号：SLA4061
  仓库库存编号：SLA4061-ND
  别名：SLA4061 DK
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Ta） 35W（Tc） TO-220FN
  
  型号：RDN100N20FU6
  仓库库存编号：RDN100N20FU6-ND
  
  规格：工作温度 150°C（TJ）,
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